【課題】コストの問題やアライメント問題を解消し、動作電圧の異なる発光素子と受光素子との間の絶縁性を維持できるフォトカプラ装置を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１上に、ｎ型半導体層２、吸収層３、ｐ型半導体層４が積層され、ｎ型半導体層２〜ｐ型半導体層４までで、ＰＤを構成している。透明絶縁性基板１の裏面には、ｎ型半導体層５、活性層６、ｐ型半導体層７が下方向に向かって順に積層され、ｎ型半導体層５〜ｐ型半導体層７までで、ＬＥＤを構成している。低電圧側のＬＥＤと高電圧側のＰＤとの間に配置された透明絶縁性基板１は、発光素子側の動作電圧と受光素子側の動作電圧との電圧差よりも大きい耐圧を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】ドライバチップの異常検出期間が短過ぎると、異常パルス信号のパルス生成が停止された後、異常判定期間の経過前に異常パルス信号のパルス生成が再開されてしまい、コントローラチップでドライバチップの異常を認識することができなくなるおそれがあり、２つの回路を絶縁しつつ一方の異常を確実に他方に伝達することのできる信号伝達装置、及びこれを用いたモータ駆動装置を提供する。
【解決手段】信号伝達装置１００は、第１回路１１０と第２回路１２０との間を絶縁しながら信号伝達を行うものであり、第１回路１１０は、第２回路１２０から伝達される異常パルス信号Ｓｂを監視して第２回路１２０の異常有無を判定し、第２回路１２０は、第２回路１２０で異常が検出されてから少なくとも第１回路１１０で第２回路１２０の異常有無が判定されるまで異常パルス信号Ｓｂを異常状態に保持する。 （もっと読む）

【課題】放熱特性をより向上させることにより、信頼性の低下を抑制することが可能な樹脂封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】このＢＧＡ型半導体装置（樹脂封止型半導体装置）は、半導体チップ１０が所定領域上に搭載された配線基板１と、この配線基板１の半導体チップ１０が搭載された領域とは異なる領域に形成され、互いに所定の間隔を隔てて配列された複数の金属バンプ３０と、少なくとも半導体チップ１０を覆う封止樹脂層２０とを備えている。そして、複数の金属バンプ３０の各々は、上記した封止樹脂層２０によって覆われている一方、その一部が封止樹脂層２０の上面から露出するように 構成されている。 （もっと読む）

【課題】動作電圧の異なる発光素子と受光素子との間の絶縁性を維持しつつ、受光効率の向上、素子動作の高速化を達成することができるフォトカプラ装置を提供する。
【解決手段】透明絶縁性基板１上に、ｎ型半導体層２、吸収層３、ｐ型半導体層４が積層され、ｎ型半導体層２〜ｐ型半導体層４までで、ＰＤを構成している。透明絶縁性基板１の裏面には、ｎ型半導体層５、活性層６、ｐ型半導体層７が下方向に向かって順に積層され、ｎ型半導体層５〜ｐ型半導体層７までで、ＬＥＤを構成している。低電圧側のＬＥＤと高電圧側のＰＤとの間に配置された透明絶縁性基板１は、発光素子側の動作電圧と受光素子側の動作電圧との電圧差よりも大きい耐圧を有するように構成される。 （もっと読む）

【課題】整流用のダイオードが外れると、スイッチング（ＳＷ）端子の電位が上昇する。
【解決手段】スイッチングトランジスタＭ１は、スイッチング（ＳＷ）端子と接地端子の間に設けられる。誤差増幅器１０は、出力電圧Ｖ_ＯＵＴに応じたフィードバック電圧Ｖ_ＦＢと所定の基準電圧Ｖ_ＲＥＦとの誤差を増幅し、誤差電圧Ｖ_ＥＲＲを生成する。パルス変調器１２は、誤差電圧Ｖ_ＥＲＲに応じてデューティ比が調節されるパルス信号Ｓ_Ｐを生成する。ドライバ１４は、パルス信号Ｓ_ＰにもとづきスイッチングトランジスタＭ１を駆動する。過電圧検出回路２０は、スイッチング（ＳＷ）端子の電圧Ｖ_ＳＷを、所定のしきい値電圧Ｖ_ＴＨより高くなるとアサートされる過電圧保護（ＯＶＰ）信号を生成する。制御回路１００は、ＯＶＰ信号がアサートされると、所定の保護処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 薄型化を図ることが可能な両面読取用画像読取装置を提供する。
【解決手段】 本発明の画像読取装置Ａ１は、読取対象物Ｄｃの第１の読取対象面Ｄｃ１を読み取る第１のイメージセンサモジュール１０１Ａと、反対側の第２の読取対象面Ｄｃ２を読み取る第２のイメージセンサモジュール１０１Ｂと、を備えている。第１のイメージセンサモジュール１０１Ａは、第１の読取対象面Ｄｃ１に対して傾斜する第１の設置面５１Ａを有する第１の基板５Ａと、第１の基板５Ａを収容する第１のケース１Ａと、第１の設置面５１Ａに設置された第１の受光手段６Ａと、第１の受光手段６Ａに第１の読取対象面Ｄｃ１からの光を導く第１のレンズ部材４Ａと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】振動素子を改良し、使用のしやすい携帯電話を提供する。
【解決手段】圧電バイモルフ素子の金属板中央部分から引き出された電極と圧電セラミックス板中央から引き出された電極とを樹脂内部でほぼ９０度屈曲させて金属板とほぼ直行する方向に樹脂表面中央部から引き出す。圧電バイモルフ素子を長手方向中央部の金属板とほぼ平行な方向から挟んで携帯電話内部に保持し、自由振動する両端にそれぞれ振動伝導体を設けて携帯電話上辺または側面で振動させる。携帯電話の角部はガード部とし、振動伝導体を角部近傍に配置して外部衝突からガードしつつ耳珠などとの接触を容易にする。上辺の圧電バイモルフと直交する長い振動伝導体を携帯電話側面に配置する。長い一対の振動素子を携帯電話両側面に配置する。片側面に縦長の振動素子を配し、他側面を保持部とする。上辺の振動素子を弾性体で覆う。 （もっと読む）

【課題】トランスを小型化し直管蛍光灯型のＬＥＤランプに用いることのできる電源モジュール及びトランス回路。
【解決手段】ＬＥＤランプ１は、ＬＥＤモジュール１０と、ＬＥＤモジュール１０に電力供給を行う電源モジュール２０と、を有し、電源モジュール２０は、ＬＥＤモジュール１０から接地端に至る電流経路を導通／遮断するスイッチ素子Ｎ１と、スイッチ素子Ｎ１に流れる電流が目標値と一致するようにスイッチ素子Ｎ１のオン／オフ制御を行うスイッチング制御部ＣＴＲＬと、ＬＥＤモジュール１０に流れる駆動電流を利用してスイッチング制御部ＣＴＲＬへの電力供給を行うトランス回路部Ｘと、を含み、トランス回路部Ｘは、一次巻線Ｘ１１に流れる前記駆動電流に応じて二次巻線Ｘ１２に現れる誘起電力をスイッチング制御部ＣＴＲＬに供給するトランスＸ１と、トランスＸ１に直列接続された少なくとも一つ（図１では２つ）のコイルＸ２及びＸ３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型、Ｎ型（Ｉ型）結晶を別々に形成する２チャンバ方式により、Ｍｇのドーピングに伴う遅延効果およびメモリ効果を抑制し、エピタキシャル成長時間を短縮したＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】水冷機構を備えるコールドウォール構造を備え、ガスの流れはウェハ８の表面に対して水平方向であり、Ｐ型層成長とＮ型（Ｉ型）層成長ではそれぞれ別のＮ型（Ｉ型）層成長用チャンバ１４・Ｐ型層成長用チャンバ１６で成長するように構成され、ウェハ８を保持するサセプタも別々のＮ型層成長用サセプタ３・Ｐ型層成長用サセプタ５を使用するＭＯＣＶＤ装置およびその成長方法、上記のＭＯＣＶＤ装置を適用して形成した半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】移動の有無を自動的に検出可能な小型基地局を提供する。
【解決手段】ＧＰＳ（GlobalPositioning System）ユニット１２は、その座標を検出する。第１筐体間通信機１４は、第２筐体２０との間で無線通信する。第１通信ユニット２２は、移動端末局２との間で無線通信する。第２通信ユニット２４は、固定通信網６との間で通信する。第２筐体間通信機２６は、第１筐体間通信機１４との間で通信する。移動検出部２８は、第２筐体２０の移動距離を検出する。判定部３０は、移動検出部２８が検出した移動距離が所定の第１しきい値を超えると、第１筐体間通信機１４と第２筐体間通信機２６の間の無線通信にもとづき、第１筐体１０と第２筐体２０の筐体間距離を測定し、筐体間距離にもとづき、小型基地局４が許容範囲を超えて移動されたか否かを判定する。 （もっと読む）