【課題】 分割予定ラインに沿って強度が低下せしめられたウエーハを、分割予定ラインに沿って正確且つ確実に分割することができるウエーハの分割方法および分割装置を提供する。
【解決手段】 表面に格子状に形成された複数の分割予定ライン１０１に沿って強度が低下せしめられているウエーハ１０を、分割予定ライン１０１に沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハ１０の一方の面に保護テープ１６を貼着するテープ貼着工程と、保護テープ１６が貼着されたウエーハ１０を分割予定ライン１０１の両側で保護テープ１６を介して保持するウエーハ保持工程と、保護テープ１６を介して保持されたウエーハ１０を分割予定ライン１０１に沿って吸引することにより、ウエーハ１０を分割予定ライン１０１に沿って破断する破断工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 研削中に破損することなく、かつ、外周縁にナイフエッジが生ずることなく所定の厚さに研削することができるウエーハの研削方法を提供する。
【解決手段】 外周面が円弧状に面取りされているウエーハの被研削面を研削する研削方法であって、ウエーハの一方の面側から外周縁より所定量内側の位置で外周縁に沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの外周部を除去する外周部除去工程と、外周部が除去されたウエーハの被研削面を研削して所定の仕上がり厚さに形成する研削工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って良好な変質層を形成することができるシリコンウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。
【解決手段】 シリコンウエーハに形成された分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射し、シリコンウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成するシリコンウエーハのレーザー加工方法であって、レーザー光線の波長が1１００〜２０００nmに設定されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハをダイシングする場合において、デバイスの品質を低下させることなく、効率的に個々のデバイスに分割できるようにする。
【解決手段】ウェーハＷの裏面Ｗ２のうち、表面Ｗ１に形成されたストリートＳの裏側以外の部分にレジスト膜Ｒを被覆し、レジスト膜Ｒが被覆されていない部分にフッ素系安定ガスをプラズマ化して供給し、裏面から表面にかけてエッチングして個々のデバイスＤに分割する。切削を行わないため欠けが生じず品質が向上し、すべてのストリートを一度に分離させるため効率的である。 （もっと読む）

【課題】 集光点が浅いレーザ光線が集光点が深いレーザ光線の照射を阻害することなく、複数の変質層を所望の厚さで同時に形成することができるレーザ加工装置を提供する。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物に該被加工物に対して透過性を有するレーザ光線を照射するレーザ光線照射手段と、チャックテーブルとレーザ光線照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを具備し、レーザ光線照射手段がレーザ光線発振手段と、レーザ光線発振手段が発振するレーザ光線を伝送する光学伝送手段と該光学伝送手段によって伝送されたレーザ光線を集光せしめる一つの集光レンズを備えた伝送・集光手段とを含んでいるレーザ加工装置であって、伝送・集光手段はレーザ光線発振手段から発振されたレーザ光線を一つの集光レンズを通して光軸方向および加工送り方向に変位せしめられた少なくとも２個の集光点に集光せしめる。 （もっと読む）

【課題】 ラッピング工程あるいは両頭研削工程を省略しても，スライス工程においてウェハに生じたうねりを除去でき，ウェハ製造時間を短縮することが可能なウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェハを得るスライス工程と，スライス工程によって得られたウェハを面取りする面取り工程と，面取り工程において面取りされたウェハの表面と裏面を，ラッピング工程あるいは両頭研削工程を行うことなく，研削砥石によって各々順番に研削する研削工程と，研削工程において研削されたウェハＷの両面を，固定砥粒研磨パッドと，研磨材を含まない研磨液とによって研磨する研磨工程と，を含む。 （もっと読む）

【課題】 被加工物の外周部を周方向に沿って略均等な切削幅で切削することが可能な切削方法を提供すること。
【解決手段】
スピンドル２６に装着された切削ブレード２２を用いて，被加工物保持手段３０に保持された略円板状の被加工物１２の外周部を周方向に沿って切削する切削方法が提供される。この切削方法は，被加工物保持手段３０に保持された被加工物１２の中心位置Ｏ’を測定する測定工程と；測定された被加工物１２の中心位置Ｏ’と被加工物保持手段３０の回転中心位置Ｏとの位置ずれ量ｄ，φを算出する算出工程と；被加工物保持手段３０を回転させながら，位置ずれ量ｄ，φと被加工物保持手段３０の回転角度θとに基づいて，切削ブレード２２をスピンドル２６の回転軸方向であるＹ軸方向に移動させて，被加工物１２の外周部を被加工物１２の中心位置Ｏ’から略同一の距離で周方向に切削する切削工程と；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研磨量をミクロン単位に正確に制御してウェーハを所望の厚さに形成する。
【解決手段】研磨送りをする駆動源の研磨中における負荷電流と研磨量との相関関係３を予め取得しておき、そのデータに基づき、所望の研磨量に対応する負荷電流値を求める。そして、実際に検出された負荷電流値が求めておいた負荷電流値と一致した時に研磨を終了することにより、ウェーハを所望の厚さとする。 （もっと読む）

【課題】 研磨液のｐＨ値を長時間一定に維持して，高い研磨効率を安定して得る。
【解決手段】 研磨パッドに砥粒を含有させた固定砥粒研磨パッド１６を使用して，半導体ウェハ表面を研磨する際に使用される研磨液２５であって，研磨液２５は，少なくとも，無機アルカリ，塩，及び有機アルカリを混合することにより製造されたものである。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの裏面側からのダイシングにおいて、裏面から確実に表面のストリートを検出できるようにする。
【解決手段】ウェーハの裏面を研削した後、ダイシングを行う前に、ウェーハの裏面の算術平均粗さが０．０１μｍ以下となるように裏面に加工を施す。算術平均粗さをかかる値以下とすると、ストリートと研削痕とを誤認することがなくなり、確実にストリートを検出できるようになる。 （もっと読む）