【課題】 バックモニタを利用しないで、半導体レーザの出力を制御することで、小さいサイズのレーザモジュールで高い出力を得ることができる光半導体装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の制御方法は、半導体レーザと、前記半導体レーザと光結合された半導体光増幅器とを備える光半導体装置の制御方法であって、前記半導体光増幅器の出力光強度を検知し、前記半導体光増幅器からなされる光出力の強度の検知結果が目標値を超えた場合に、前記半導体光増幅器の制御量を維持しつつ、前記半導体レーザの発光量を低下させる制御をなすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ搭載部分における寄生容量を抑制すること。
【解決手段】本発明は、伝送線路と、前記伝送線路上に配置されたキャパシタ素子と、前記伝送線路と前記キャパシタ素子の間に配置され、導電性を有し、前記伝送線路と前記キャパシタ素子の第1電極とを電気的に接続し、前記伝送線路と接触する部分の幅が、前記キャパシタ素子の幅よりも小さいプレートと、を有することを特徴とする信号伝送路である。 （もっと読む）

【課題】 配線の長さだけに律則されることなく、インダクタンスおよびキャパシタンスを決定し、これによって半導体受光装置の特性を向上する。
【解決手段】 半導体受光装置は、出力側電極と基準電位側電極とを備える半導体受光素子と、前記出力側電極および前記基準電位側電極にそれぞれ接続された引出配線と、を備え、前記出力側電極に接続された前記引出配線の幅が、前記基準電位側電極に接続された引出配線の幅よりも小さいことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】低速動作（ＡＰＣの帯域上限を低く）しつつ、発光応答時間を短縮可能な光送信器を提供すること。
【解決手段】光送信器１は、ＬＤ２を駆動する駆動電流を制御してＬＤ２の光出力の強度を一定にするＡＰＣ回路と、ＬＤ２の光出力を遮断するためのＴｘ＿Ｄｉｓａｂｌｅ信号が解除された際に、パルス状のブースト信号を出力するブースト回路１０と、を備え、ＡＰＣ回路は、Ｔｘ＿Ｄｉｓａｂｌｅ信号に基づいて駆動電流を遮断又は供給するように制御し、ブースト回路１０から出力されたブースト信号に基づいて駆動電流の大きさを増加させるように補正することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】、高出力動作が可能なカレントリユース電子回路を提供すること。
【解決手段】第１端子、第２端子および制御端子を有し、前記第１端子が接地された第１トランジスタＴ１と、第１端子、第２端子および制御端子を有し、前記制御端子に前記第１トランジスタの第２端子が接続され、前記第１端子が前記第１トランジスタの前記第２端子と高周波的に接続され、前記第２端子に直流電源が接続される第２トランジスタＴ２と、前記第１トランジスタの第２端子と前記第２トランジスタの制御端子との間のノードに一端が接続され、他端が前記第２トランジスタの第１端子に接続された第１抵抗Ｒ１と、を具備した電子回路。 （もっと読む）

【課題】光変調装置の安定な特性を得ること。
【解決手段】光変調器１０と、一端が前記光変調器に電気的に接続されたボンディングワイヤ３０と、前記ボンディングワイヤの他端と電気的に接続され、絶縁層上に設けられてなるインダクタ成分を有する第１金属層５６と、前記第１金属層と電気的に直列に接続された接地パターンを備えた第２金属層５２と、を具備する光変調装置。 （もっと読む）

【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。
【解決手段】Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板と前記Ｓｉ基板またはＳｉＣ基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるＦＥＴ１０からなるパワーアンプ１１と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部１２と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部１４と、を具備する増幅回路 （もっと読む）

【課題】温度調整点の数を少なくして設定作業の手間を軽減しつつ、安定した光出力の制御を可能にする。
【解決手段】ＬＤに供給するバイアス電流Ｉｂｉａｓ及び変調電流Ｉｍｏｄを調整するＬＤの駆動方法であって、常温、高温、および低温の三温度の環境下で、所定の光出力強度を得るためのバイアス電流ＩｂｉａｓをＬＤに供給するとともに、三温度の環境下で所定の消光比を与える変調電流Ｉｍｏｄの値を予め取得する第１ステップと、所定の光出力強度を得るようにＬＤに供給するバイアス電流ＩｂｉａｓをＡＰＣ動作によって制御する第２ステップと、三温度以外の温度の環境下では、第１ステップで取得された三温度における変調電流の値を用いて、当該温度における変調電流Ｉｍｏｄの値を指数関数によって近似することによって算出し、算出値を基にＬＤに変調電流Ｉｍｏｄを供給する第３ステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 光学長を短くした光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置は、半導体光増幅器と、半導体光増幅器を収容するパッケージと、入力側光ファイバからの入射光を前記半導体光増幅器に結合する入力レンズと、前記入力レンズを保持し、前記パッケージの側壁面に固定された入力レンズホルダと、前記パッケージの側壁内に固定され、前記半導体光増幅器からの出射光を出力側光ファイバに結合する出力レンズと、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】セラミックパッケージを有するＯＳＡと回路基板とが筺体内においてＦＰＣを介して電気接続されてなり、ＦＰＣが筺体と接触することがない光データリンクの提供。
【解決手段】光データリンクでは、ＬＤが実装されたＴＯＳＡ２０と、電気信号の授受を行う電子部品群が実装されている回路基板とが筺体内においてＦＰＣ３０を介して電気接続されている。ＴＯＳＡ２０が、矩形状のセラミック枠を積層して成るセラミックパッケージ２１ａを有し、ＦＰＣ３０が、セラミックパッケージ２１ａの底面の少なくとも一辺に形成された電極パッドと、回路基板のセラミックパッケージ２１ａの底面と非平行な面に形成された電極パッドとが電気接続可能なように折り曲げられた折り曲げ部３５を有し、該折り曲げ部３５が、セラミックパッケージ２１ａの内側方向に位置する。 （もっと読む）