【課題】 金属製のポストや配線パターンまで半田が濡れることがなく、半田バンプを所定の高さにする。
【解決手段】 金属製ポスト６上に錫を含む半田層８を配置した処理物２に、水素ラジカルを照射する。処理物２が大気に晒される。この後に、処理物２を半田層８の溶融温度以上の温度に加熱し、半田層８は溶融し、その後に冷却し、半田バンプを形成する。 （もっと読む）

【課題】 良好な導電特性を持つ微細パターンを得る。
【解決手段】 酸化膜４付きのミクロン銅粒子２を溶剤６中に分散させた分散液８を、基板１０上に塗布して、塗布層１２を形成する。塗布層１２中の溶剤１４が揮発させられる。塗布層１４に水素ラジカルを照射して、塗布層１４中の銅粒子２の酸化膜４が除去される。基板１０を昇温させて、銅粒子を凝集させる。 （もっと読む）

【課題】 トレイを用いることなく基板の温度分布の均一化を図りながら当該基板を搬送することができる基板加熱搬送装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る基板加熱搬送装置１０は、加熱源２０と、この加熱源２０上に載置される均熱板４０と、を具備する。加熱源２０には、複数の貫通孔２２，２２，…が設けられており、均熱板４０にも、同様の貫通孔４２，４２，…が設けられている。さらに、加熱源２０には、均熱板４０と同素材の補完ブロック５０，５０，…が設けられている。この補完ブロック５０，５０，…と均熱板４０の各貫通孔４２，４２，…とが嵌合しているときに、加熱源２０の熱が均熱板４０を介してガラス基板１００に伝えられる。そして、均熱板４０の各貫通孔４２，４２，…が加熱源２０の各貫通孔２２，２２，…上にあるときに、ローラ３０，３０，…によってガラス基板１００が搬送される。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】 圧縮残留応力のある薄膜でも機械的特性を容易に測定する。
【解決手段】 ウエハ４上にほぼ扇形に形成された共振デバイス２がその扇形の要付近に回転可能に支持部６によって支持され、扇形の一方の辺に静電引力付与用の櫛歯電極８を有している。櫛歯電極８に振動用の電圧を周波数可変電源１８が供給する。共振デバイス２単独及び共振デバイス２に薄膜を成膜した状態で、周波数可変電源１８から周波数を変化させた電圧が供給されたときの振幅の変化から共振デバイス２単独及び成膜時の共振デバイス２の共振周波数をそれぞれ共振デバイス２の櫛歯電極１２を用いて測定する。共振デバイス２単独の共振周波数と、成膜時の共振デバイス２の共振周波数と、薄膜の密度及び厚さと、共振デバイス２単独のヤング率、密度及び厚さとに基づいて、薄膜のヤング率を演算装置２４が算出する。 （もっと読む）

【課題】 従来よりも高温に耐え得るｃＢＮ膜を含む高硬度被膜を提供する。
【解決手段】 本発明に係る高硬度被膜は、母材１０としての超硬合金の上に形成された中間層３０と、この中間層３０の上に形成されたｃＢＮ膜５０と、を具備する。中間層３０は、その本体としてのＣｒＮ層３４と、これを挟んで形成された接着層としてのＣｒ層３２および３６と、から成る。ｃＢＮ膜５０は、その本体としてのｃＢＮ層５４と、このｃＢＮ層５４の下層側に形成された接着層としてのＢ膜と、から成る。ここで、ＣｒＮ層３４の熱膨張率は、７．５［×１０^−６／℃］であり、ｃＢＮ層５４の熱膨張率（＝６．０［×１０^−６／℃］）に近い。従って、ＣｒＮ層３４を含む中間層３０と、ｃＢＮ層５４を含むｃＢＮ膜５０と、の間における熱膨張差が抑制され、熱応力によるｃＢＮ膜５０の剥離が防止される。つまり、ｃＢＮ膜５０を含む母材１０全体の耐熱性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 真空槽内で被処理物を移動させるための移動手段と、この移動手段を覆う防着カバーと、を備え、移動手段を介して被処理物にバイアス電力が供給されると共に、このバイアス電力の電圧成分が所定の範囲内で任意に調整可能な成膜装置において、防着カバーと移動手段との間に放電現象が生じるのを防止しつつ、当該防着カバーによる防着機能が確実に維持されるようにする。
【解決手段】 移動手段としての自公転ユニット３０は、防着カバーとしての防着板６６および防着壁６８によって覆われている。特に、自公転ユニット３０内の公転板７２と防着板６６との間隔ｄは小さい。従って、これら両者間に不本意な放電現象が生じることが懸念される。本発明では、この間隔ｄが３［ｍｍ］〜１０［ｍｍ］とされる。これにより、当該放電現象の発生が防止される。併せて、防着板６６による防着機能も維持される。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性膜の生成時において、当該絶縁性膜が陽極の表面に付着するのを防止し、ひいてはプラズマの安定化を図る。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング方式の成膜装置１０によれば、陰極としてのフィラメント４０と陽極としてのアノード４２との間にプラズマが発生する。そして、このプラズマによって、膜材料をイオン化し、イオン化された膜材料を被処理物２８，２８，…の表面に照射することで、当該被処理物２８，２８，…の表面にｃＢＮ膜等の絶縁性膜を形成する。このとき、フィラメント４０については、積極的に加熱されるので、当該フィラメント４０の表面には絶縁性膜は付着しない。一方、アノード４２についても、その表面に当該絶縁性膜が付着するのを防止し得る程度に、自己加熱させる。これにより、これら両者間に発生するプラズマの安定化が図られる。 （もっと読む）

【課題】ソルダペースト印刷法によって、鉛フリーはんだを用いて、残渣レスのはんだ接合を実現するはんだ付け方法(例:はんだバンプを形成するか、はんだ実装を行う方法)を提供する。
【解決手段】遊離基ガスを供給してソルダペーストのリフローを行なう方法であって、該ソルダペーストの塗布を印刷方式により行ってから、水素プラズマから得られた水素ラジカルの供給によりリフローを行う際に、リフロー温度で前記ソルダペーストのフラックス成分を揮発させる。 （もっと読む）

【課題】 冷却効率を向上させた上に構成を簡略化することができる加熱冷却装置を提供する。
【解決手段】 冷却体２０は、それぞれが柱状に形成された複数の冷却角柱部２２を、それらの長さ方向がほぼ水平に、互いにほぼ平行にかつ互いの間に所定の間隙を有するように配置してある。それぞれが柱状に形成された複数のヒータ２８を、それらの長さ方向がほぼ水平でかつ互いにほぼ平行な状態として、各冷却角柱部２２の間隙にそれぞれ配置して、加熱体２６を構成している。ほぼ板状に形成されたステージ１６が、ヒータ２８及び冷却角柱部２２の上方に配置されている。ステージ１６は、ヒータ２８及び冷却角柱部２２から離れてほぼ水平に配置された上昇状態と、この上昇状態からほぼ水平状態を維持して降下して各冷却角柱部２２に接触する降下状態とを、取る。 （もっと読む）