【課題】高いMR比と低RAとを実現するTMR素子を得る。
【解決手段】基板１００上に、下地層１０３、反強磁性層１０４、磁化固定層１０７、トンネルバリア層１０８、磁化自由層１０９がこの順に積層され、基板１００と下地層１０３との間に、ＺｒとＡｌを含む層（シード層）１０１を設けた。基板上に、反強磁性層、磁化固定層、トンネルバリア層、磁化自由層がこの順に積層され、反強磁性層の基板側に接する、ＺｒとＡｌを含む層を設けた。 （もっと読む）

【課題】少なくとも従来と同様の成膜工程を実行可能であり、かつ従来よりも小型な成膜システムを実現する。
【解決手段】基板６ａ、６ｂが収納される第１及び第２の収納室５ａ、５ｂと、第１の収納室５ａ内を加熱して、第１の収納室５ａに収納された基板６ａを加熱する加熱手段と、を有する。また、第２の収納室５ｂ内を冷却して、第２の収納室５ｂに収納された基板６ｂを冷却する冷却手段を有する。さらに、第１の収納室５ａと第２の収納室５ｂとを熱的に分離する断熱板９を有する。 （もっと読む）

【課題】 磁気ヘッドと記録層との距離であるスペーシングの減少に伴う製造プロセス上の諸課題を解決する。
【解決手段】 磁性膜作成チャンバー１４で磁性膜が作成された基板９は、大気に晒されることなく潤滑層形成チャンバー２５に搬送される。磁性膜作成チャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送される間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマアッシングによりクリーニングされ、第二クリーニングチャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュされる。潤滑層形成後に基板９は後処理チャンバー２６に搬送され、潤滑層の付着性及び潤滑性を調節する後処理が真空中で行われる。 （もっと読む）

【課題】基板に成長した薄膜と反り防止部材上に成長した薄膜とがつながっても、両者の間に電流が流れることのない成膜装置を実現する。
【解決手段】真空中でガラス基板１上に成膜材料を堆積させて薄膜を形成する成膜装置であって、ガラス基板１を保持する基板ホルダ３と、基板ホルダ３に保持されたガラス基板１の周縁に、１０ｍｍ未満の間隔で対向する枠状の反り防止部材４とを有する。反り防止部材４は電気的にフローティング状態にある。 （もっと読む）

【課題】強磁性層と該強磁性層上のバリア層とからなる積層構造を含む磁気抵抗効果素子の製造方法であって、高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】強磁性層の上に、酸化マグネシウムターゲットを用いた高周波マグネトロンスパッタリングにより、（００１）面が配向した酸化マグネシウム層を前記バリア層として成膜する。 （もっと読む）

【課題】 大気側と成膜チャンバーとの間の搬送の際に一時的に基板が配置されるチャンバーにおいてもトレイを使用することで、形状や大きさの異なる基板についても同じ装置で容易に成膜処理できるようにする。
【解決手段】 成膜チャンバー４とロードロックチャンバー６との間には、未成膜基板用移載機構２４及び成膜済み基板移載機構２５を備えた補助チャンバー７２が設けられている。補助チャンバー７１〜７３及び成膜チャンバー４は、常時真空に維持される。未成膜の基板９は、ロードロック用トレイ１１に載せられてロードロックチャンバー６から補助チャンバー７２に搬送され、ロードロック用トレイ１１から成膜用トレイ１２に移載される。成膜済みの基板９は、成膜用トレイ１２に載せられて成膜チャンバー４から補助チャンバー７２に搬送され、成膜用トレイ１２からロードロック用トレイ１１に移載される。 （もっと読む）

【課題】反応性スパッタリングにおいてスパッタリング中のガス分圧をコントロールする分圧コントローラを提供する。
【解決手段】スパッタ装置に設けられる分圧コントローラにおいて、分圧コントローラは２種類のガスの導入部に設けられており、前記分圧コントローラは、当該２種類のガスの内で少なくとも１つのガスに対して感度の異なる２つの真空計と、それぞれの真空計の表示圧力間の線形演算を、それぞれの真空計のガスに対する比感度を係数として行なう演算回路と、演算回路により計算された２種類のガスの分圧値とそれぞれの分圧の設定値の差が等しくなるように制御出力を出力する制御回路と、制御回路の出力値によりコンダクタンスを可変するバルブとを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｈ₂Ｏなどの特定の分子に付着した金属イオンを脱離させ、被測定ガスのみに金属イオンを付着させた状態を形成することができ、被測定ガスの測定の信頼性を向上させるイオン付着質量分析装置を提供する。
【解決手段】付着室１０２内で正電荷の金属イオンを被測定ガスの分子に付着させて付着イオンを生成させ、質量分析室１０３にて付着イオンの質量分析を行なうイオン付着質量分析装置１０において、付着室１０２内に、被測定ガス中に混在する特定の分子の吸収帯に合致する周波数の電磁波を照射し、特定の分子に付着した金属イオンを離脱させ又は特定の分子への金属イオンの付着を阻止する電磁波発生装置を設ける。 （もっと読む）

【課題】金属線材にスパッタリング法により被膜処理を施す金属線材の成膜装置を提供する。
【解決手段】金属線材の表面にスパッタリングにより被膜処理を施す成膜装置において、金属線材は陽極とされており、金属線材の周囲に、前記金属線材よりも低い電位又は接地された異種金属ターゲットが配置されており、さらに前記異種金属ターゲットの周囲に、前記異種金属ターゲットと電気的に絶縁された前記異種金属ターゲットと同一材質の部材が電気的に浮かした状態で配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高いスパッタ電力が投入された場合であっても、ターゲットの冷却を効果的に行うことができ、最も高温になるターゲット中央部の温度上昇を飛躍的に抑えることができると共に、ターゲットの被スパッタ面全体の温度分布がより均一になるようにターゲットを冷却できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】ターゲットの背面側にターゲットを冷却する手段が備えられており、当該ターゲットを冷却する手段は、冷媒流入口と冷媒流出口とを備え、冷媒流入口から冷媒流出口に向かって冷媒が流動する冷媒通路であって、断面積が冷媒流入口から冷媒流出口までの間でほぼ同一である冷媒通路によって構成されている。 （もっと読む）