【課題】磁気抵抗多層膜の構造において層間結合を効果的に低減させることができる実用的な製造技術を提供する。
【解決手段】排気系３１を接続した真空容器３と、真空容器３内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板１を保持するための基板ホルダー３２と、基板ホルダー３２を回転させるための回転機構３２１と、真空容器３内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソード３３と、真空容器３内にアルゴンより原子番号の大きな元素のガスを導入するためのガス導入系３７と、を有する磁気抵抗多層膜製造装置を使用し、該アルゴンより原子番号の大きな元素のガスの流量を１０％以上として磁気抵抗多層膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の部材であっても、部材加熱手段を設けて加熱することなしに、その表面に付着した膜を効率よく完全に除去可能な付着膜の除去ができるシリコン含有膜の製造装置を提供する。
【解決手段】処理室１の内部に、原料ガスとクリーニングガスとを切り換えて導入するためのガス導入切換手段と、発熱下において、前記原料ガス及びクリーニングガスを分解及び／又は活性化するための発熱体３とを有するリコン含有膜の製造装置とする。 （もっと読む）

【課題】装置のランニングコストを低減し且つ装置を小型化しながら、同時にブラインの温度を安定的に制御して装置の安定的運用を可能にするブライン供給装置を提供する。
【解決手段】戻り流路２と、ブラインの温度を検出するための温度センサ４と、ブラインを蓄積するためのブラインタンク５と、ポンプ６と、を設け、流路２から２つの分岐した一方に、ブラインが流れるブライン冷却流路１２に設けられる熱交換器１３と、流路２から２つの分岐した他方に、負荷１側から戻されたブラインが流れるブライン加熱流路２５に設けられるヒーター２６と、ブライン冷却流路１２とブライン加熱流路２５との接続部に設けられる混合部３０と、混合部３０の出口側に備えられる混合部出口側温度センサ３２と、混合調整手段３３と、混合部３０と負荷１との間に配置されるイオン交換器３５と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】発熱体の長寿命化を図った発熱体ＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】発熱体３と電力供給機構との接続部と、前記支持体３１による発熱体３の支持部とのいずれか一方又は両者を覆い、内部と発熱体３の延出部の周囲とに隙間が設けられたカバー３０１，３０２と、該カバー３０１，３０２内部の隙間にガスを導入するガス導入系とを備えている発熱体ＣＶＤ装置とし、前記カバー３０１，３０２内部の隙間に導入したガスを前記発熱体の延出部の周囲の隙間から前記処理容器内に流動させ、前記処理容器内に供給された原料ガスの前記カバー内部の隙間への侵入を抑制できるようにする。 （もっと読む）

【課題】触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。
【解決手段】ガス供給系によって処理容器内に蒸着用ガスを供給し、加熱機構により所定温度に加熱された熱触媒体３の表面付近を蒸着用ガスが通過するようする。基板ホルダーに保持された基板９に蒸着用ガスが到達し、熱触媒体３が関与した蒸着用ガスの反応を利用して基板９に所定の薄膜が作成される。熱触媒体３はコイル状であり、コイルの軸方向が基板９の表面に対して平行である。熱触媒体３は、コイルが成す仮想円筒面の直径をＲ、隣り合う線の幅をｐとしたとき、ｐ／Ｒが５以下である、 （もっと読む）

【課題】装置稼働率やコストパフォーマンスを高めながら、広範囲の温度領域で使用できる半導体製造装置用静電吸着ステージを提供する。
【解決手段】ステージ母材として絶縁部材１１を備え、この絶縁部材の内部に電極１２を設け、電極１２に電圧を印加することによって、ステージの表面に静電吸着力を発生させる半導体製造装置用静電吸着ステージ１０であって、電極１２の上側領域を第１絶縁層１１ａとし、第１絶縁層１１ａの上に体積抵抗の異なる第２絶縁層１３が設けられており、第２絶縁層１３の２５℃から７００℃の温度範囲における体積抵抗は、第１絶縁層１１ａの２５℃から７００℃の温度範囲における体積抵抗よりも大きいように構成されている。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、ＬＳＩ分野の極端紫外線（ＥＵＶ）を用いたリソグラフィ反射マスク基板などに対する要望に応えることができるようにした高平坦度（サブナノメータレベル）石英ガラス基板を得ることができるようにした石英ガラス基板の表面処理方法及びその処理方法に好適に用いられる水素ラジカルエッチング装置を提供する。
【解決手段】
石英ガラス基板の表面平坦度を制御する方法であって、石英ガラス基板を水素ラジカルエッチング装置内に載置し、前記石英ガラス基板に水素ラジカルを作用させて表面平坦度をサブナノメータレベルで制御できるようにした。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置のターゲット材と裏板との間に介在される熱伝導性金属シート２０について、熱伝導性が良くかつターゲット材が加熱されて熱伝導性金属シート２０の金属層が２７溶融しても、金属層２７の流出を防止できるようにする。
【解決手段】金属層２７を低融点金属材料で構成すると共に、この金属層２７中に、当該金属層２７を構成する低融点金属材料より高融点の材料で構成され、しかも穴３０ａを有する金属箔３０を、前記金属層２７の表面に対して平行に埋め込んだ熱伝導性金属シート２０とする。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング装置の省スペース化と高スループット化を図る。
【解決手段】複数のカソード６０ａ〜６０ｃを有し、基板１２の被成膜面１２ａと対向する位置に、中心軸回りに回転可能に設けられており、各カソード６０ａ〜６０ｃにそれぞれ取り付けられたターゲット７０ａ〜７０ｃから、前記中心軸回りの回転により、前記基板１２の被成膜面１２ａに対向させるターゲット７０ａ，７０ｂ又は７０ｃを選択可能な支持体５０と、前記基板１２の被成膜面１２ａとの対向方向に設けられた開口部８０ａを残して、前記支持体５０の周囲を囲んでいると共に、前記支持体５０の回転と連動した回転と該連動の解除とが可能に設けられたシールド８０との組み合わせを複数組備えたスパッタリング装置とする。 （もっと読む）

【課題】反応室内で基板に成膜を行っている最中に生成物による異常が発生しても、簡単な除去処理のみで短時間に生成物除去を行うことができる方法を提供する。
【解決手段】成膜工程中の異常が発生した場合に、原料ガス供給装置１３ａから反応室１１への原料ガスの供給を停止し、高圧不活性ガス導入部１５ｂから反応室１１に対して不活性ガスＮ₂を供給し、さらに、不活性ガスＮ₂の供給圧力を上昇させる。これにより、異常の原因となった生成物を除去できる場合がある。生成物が除去された場合、不活性ガスが反応室１１に供給されるために、反応室１１内の気圧が上昇する。したがって、生成物が除去されたか否かは、反応室１１内の気圧が上昇したか否かによって検出される。気圧が上昇しなかった場合は、洗浄液収容部１５ａの洗浄液を用いて、反応室１１内を洗浄する。 （もっと読む）