【課題】 積層ウエハのウエハ間隙間への液剤の注入において、積層ウエハの外面への接着剤の付着が低減され、注入の効率が高く、また完全に注入が行えるようにする。
【解決手段】 注入チャンバー２内の液剤容器３に液剤Ｌを溜め、表面張力により盛り上げて液剤容器３の縁より溢れ出ない状態で突出させ、突出した部分が積層ウエハ１１，１２の周縁に沿った形状で全周状に連ならなるようにする。注入チャンバー２を真空圧力とし、積層ウエハ１１，１２の周縁の全周を、突出し全周状に連なる部分の液剤Ｌに接触させ、周縁開口を塞ぐ。この際、積層ウエハ１１，１２の外面に沿って液剤Ｌが広がらないよう堰止め具６１，６２が外面に密着する。その後、注入チャンバー２内を大気圧にしてウエハ間に液剤を注入する。 （もっと読む）

【課題】脱泡工程で液切れ状態を回避することで、高価な液晶材料の利用効率を高めること。
【解決手段】液晶皿１０が有する液晶２０を貯える溝部１０Ｄの内面で、溝外周縁１０Ｅを除く側面および底面に処理を施し、親水性を向上させた撥水性低減処理部位１１を形成することで、溝部１０Ｄ内部での液晶２０の流動性を円滑にして液晶２０内部の気泡による空間の形成を抑制する。液晶皿１０に液晶２０が貯えられた際に、液晶皿１０の上表面は上面１０Ｕと溝外周縁１０Ｅとにより形成され撥水性低減処理部位１１はない。従って、液晶２０は液晶皿１０の上表面から十分に盛り上がることができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面に欠陥が少なく安定性の高い絶縁層を有するとともに、結晶性に優れたシリコンナノ結晶粒を形成することができ、しかも結晶の粒径制御性、充填密度に優れ、かつドライプロセスのみで生産性よく形成可能なシリコンナノ結晶構造体の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板を所定の温度に加熱して、シリコン元素を含む原料ガスの熱分解反応により粒径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶粒を成長させる第一の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の表面を酸化又は窒化する第二の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の成長温度よりも高温で熱処理する第三の工程とを所定の厚さの薄膜となるまで繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 段差被覆性の良い薄膜を成長するため原料を交互に流す成長法を行っても１原子層の成長を行う時間を短縮できる薄膜処理装置を提供する。
【解決手段】この薄膜処理装置は、２種類の原料ガスＡ，Ｂを交互に反応容器に導入して基板１４の表面を処理する薄膜処理装置１０であって、反応容器内に形成されかつ第１のガスＡが導入される反応容器（第１の部屋）１０Ａと、これに積み重ねられて第２のガスが導入される反応容器（第２の部屋）１０Ｂと、２つの反応容器に隣接する壁に形成された開口部１１と、開口部をいずれか１枚がふさぐようにされた複数の隔壁板１２，１３であり、複数の隔壁板が連動して２つの反応容器の間を往復し、複数の隔壁板の少なくとも１枚には基板１４が搭載される複数の隔壁板と、２つの部屋で基板に対して基板表面に平行に第１の原料ガスと第２の原料ガスを流すための原料ガス供給機構および排気機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】発熱体と電力供給機構とを電気的に接続する複数個の接続端子を電気的に絶縁を図りつつ予め定められている位置に保持し、当該接続端子に接続される発熱体を接続端子に接続される発熱体の接続部領域が処理容器内の空間に露出しないようにして基板ホルダーに対向させて支持する接続端子ホルダーが一個又は複数個処理容器内に設置されている発熱体ＣＶＤ装置において、形成される膜特性向上と安定性向上を図る。
【解決手段】発熱体の端部に発熱体より大径の接続用ピンを配備し、接続用ピンの径より小さい内径の小孔を有すると共に該小孔を形成する周壁に軸方向に伸びるスリットを備えている接続端子のピン受けの該小孔に前記接続用ピンを嵌挿する。 （もっと読む）

【課題】 シャドーリングのような、基板の周縁に接近させて配置された部材がある場合に発生する異常放電であるアーキングを効果的に防止する。
【解決手段】 プロセスチャンバー１内で、基板ホルダー３に保持された基板９に対しスパッタリングによるタングステン膜９２の作成が行われる。吸着電源３３が吸着電極３２に印加する電圧により基板９が誘電体プレート３１に静電吸着され、基板９の周縁から所定の距離の領域への薄膜堆積をシャドーシールド６２が防止する。誘電体プレート３１の表面の一部を覆う導電膜７１は、基板９の裏面に接触し、アースから絶縁されているとともに短絡用配線７６によりシャドーシールド６２に短絡されている。導電膜７１の電位が電圧計７２により計測され、アーキングの発生を、電圧計７２の測定値の急激な変動から判断手段７４が判断する。 （もっと読む）

【発明の課題】 nc-P-Siから放出される擬似バリスティック電子を使用し、ホット電子の電子エネルギ分布を制御でき、電子エネルギを所望の値に強めることができる電子ビーム発生装置を提供すること。
【解決手段】 電子ビーム発生装置１０は、nc-P-Si物質に基づいて高エネルギ電子ビームを発生するためのものである。この装置は、共に積み重ねられたnc-P-Si層、非ドープ・ポリシリコン層、およびドープ・ポリシリコン層の少なくとも３つの連続的な層によって構成される。電子ビーム発生装置において、積層構造の一端であるnc-P-Si層は電気的に接地され、または他のポリシリコン電極に関して低い電位に維持され、他方、積層構造の他端であるドープ・ポリシリコン層は大気、真空に開放され、または他の物質と接触している。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの信頼性を改善するという結果をもたらす望ましい大きさおよび距離を有したウェハー表面上にエピタキシャルの小島の製造を容易化できる選択場所にエピタキシャル膜を成長させるための装置および方法を提供すること。
【解決手段】選択場所にエピタキシャル膜を成長させる装置は、イオン銃３、イオンの方向とエネルギを制御する制御手段４ｂ、ウェハーホルダ２、ガス導入口５、および排気ポート６を備えるウェハーパターニングチャンバ１と、別置きのエピタキシャル膜成長チャンバから構成されている。当該装置において、ウェハーパターニングチャンバにおけるイオン銃は予め定められた直径およびイオンエネルギのイオンビームを放射し、その結果、ウェハー表面上の衝突イオンはウェハー表面に原子間のいくつかの結合を破壊しまたは転位することによってダメージを与える。 （もっと読む）

【発明の課題】 電子陰影効果を制限することができ、高エネルギのイオンまたは電子を生じることなくダメージのないウェハー処理として構成されるプラズマ処理装置および方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマ処理装置は、プラズマ生成部１００と、処理されるべきウェハー１５が配置されているウェハー処理部２００と、プラズマ生成部およびウェハー処理部を分離する金属グリッド２２と、プラズマ生成部に配置され、電子を放出するためのポーラスシリコン層２７を有する上部電極２１と、ガスを導入するガス導入ユニットと、プロセスガスを導入するためのガス導入口とから構成される。 （もっと読む）

【課題】 フイルム上への連続的に表面処理を行う表面処理装置において、表面処理室間の圧力差に影響を受けることなく、不純物ガスの拡散、混入を防止することが可能であり、また、装置の小型化が可能な表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 チャンバ内に有するロール室及び表面処理室は、シールローラーと、これらに対して非接触で近接配置されたシール機構部とによって仕切られ、シールローラーとシール機構部との間に開口部を有し、シール機構部は、開口部にガスを供給するガス供給部と、開口部からガスを排気するガス排気部とを有する。 （もっと読む）