【課題】半導体基板上に形成され、凹部が設けられた絶縁膜上に拡散バリア用下地膜を形成し、その上に第１の銅膜を形成し、当該第１の銅膜を電極とした電解メッキ法により第２の銅膜を形成する銅配線膜形成方法において、密着性の改善に有効なＣｕシード膜のアニール処理を行っても、半導体基板上のホールやトレンチパターンの上角部（開口部近傍）といった基板表面において、Ｃｕシード膜が弾かれその下の拡散バリア用下地膜が露出する現象を起こさずにアニール処理が行える方法と、これによる配線膜を提供する。
【解決手段】拡散バリア用下地膜の形成から前記第１の銅膜形成までの工程が、前記半導体基板を大気に晒すことなく真空一貫の状態で行われると供に、当該工程の間に、到達真空度で１×１０^-4Ｐａ以下の真空状態にしてから前記拡散バリア用下地膜が加熱される。 （もっと読む）

【課題】 イオン化スパッタによって高アスペクト比のホールに対してボトムカバレッジ率の良い成膜を行うとともに、スパッタチャンバー内外の構成を簡略化する。
【解決手段】 排気系１１を備えたスパッタチャンバー１内に設けられたターゲット２をスパッタ電源３によってスパッタし、放出されたスパッタ粒子を基板５０に到達させて成膜する。スパッタ電源３は５Ｗ／ｃｍ^２ 以上の電力をターゲット２に投入し、この電力のみで形成されたプラズマＰ中でスパッタ粒子がイオン化する。ターゲット２と基板ホルダー５との間には円筒状のシールド６が設けられてプラズマ形成空間を規制し、電界設定手段８がイオン化したスパッタ粒子をプラズマＰ中から引き出して基板５０に入射させるための電界を設定する。 （もっと読む）

【課題】薄いバッファ層を採用した高品質のＧｅエピタキシャル層を有する半導体構造およびその成長方法を提供する。
【解決手段】 この半導体構造は、Ｓｉ基板と、その上に形成された臨界膜厚以下の厚さのＧｅ組成が２０％以上８０％以下のＳｉＧｅ層と、ＳｉＧｅ層上に形成されたＧｅエピタキシャル層とを有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の全領域で高精度な膜厚分布の均一性を得ることのできるスパッタリング方法及び装置を実現する。
【解決手段】 成膜処理対象の基板９と成膜材料からなるターゲット２とを容器１内に対向配置し、ターゲット２の基板９側とは反対側に配置されたマグネット５をターゲット２の面に対して平行に往復移動させ、かつ、基板９を回転手段（回転機構部１１）により回転させて基板９に成膜を行う。また、基板９に成膜される薄膜のマグネット５の長手方向Ｂに沿う膜厚分布が、基板９の両端部よりも中央部が厚くなるように設定した後に、マグネット５を往復移動させ、かつ、基板９を回転手段（回転機構部１１）により回転させて成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜面積の拡大を可能とし、かつ、膜厚分布をより均一化できるシート状プラズマ発生装置と、これを用いた成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマガンから収束コイルにより引き出したプラズマビームを、プラズマビームの進行方向に対して直交する方向に延び、対向して互いに平行に配置されて対になっている永久磁石からなるシート化マグネットによって形成される磁場の中に通過させてシート状に変形させるシート状プラズマ発生装置において、シート化マグネットには、プラズマビームの中心側に対応する部分における反発磁場強度の方が、プラズマビームの外縁側に対応する部分における反発磁場強度より強いシート化マグネットが少なくとも一つ含まれている。 （もっと読む）

【課題】 より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。
【解決手段】 セパレーションチャンバー１の周囲に気密に接続された複数の処理チャンバーのうちの一つはスパッタチャンバー４であり、二段階成膜が行われる。第一の行程ではターゲット４２と基板９との距離は長い第一の距離とされてホール９０の内面にベース薄膜９３が作成され、第二の工程ではターゲット４２と基板９との距離が短い第二の距離とされ、ヒータ４４１で基板９を加熱して薄膜をリフローさせてホール９０内に埋め込む。セパレーションチャンバー１は、冷凍機１３により１３０Ｋ〜５０Ｋに冷却されるパネル１２が設けられ、不純ガスがパネル１２の表面に凝縮される。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比を維持したまま磁歪定数ゼロ付近で磁歪定数が急峻に変化することがなく、所望の磁歪定数を安定して得ることができる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】 この磁気抵抗効果素子１０は、固定強磁性層と自由強磁性層とこれらの強磁性層によって挟まれたバリア層を有する磁気抵抗効果素子であり、自由強磁性層に、ホウ素Ｂの添加量（ｂ：原子％）が２１％≦ｂ≦２３％であるＣｏＦｅＢを用いるように構成される。 （もっと読む）

【課題】 基板へのパーティクルの付着を効果的に防止した優れた性能の絶縁膜エッチング装置を提供する。
【解決手段】 プロセスチャンバー１内の基板ホルダー２上に基板９が保持され、エッチング用ガスがガス導入系３により導入される。プラズマ形成手段４に手段によりプラズマが形成され、プラズマ中の活性種やイオンの作用により基板９の表面の絶縁膜のエッチングが行われる。制御部８は、エッチング終了後、搬送ロボット５１により基板９をプロセスチャンバー１から取り出し、プロセスチャンバー１内を排気系により排気した後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。基板保持面より下方に設けられた冷却トラップ１２は、強制冷却され、堆積作用のあるガス分子を捕集して多くの膜を堆積させる。冷却トラップ１２は交換可能であり、その前面は堆積した膜の剥離を防止する凹凸があって、表面は酸化物又は絶縁物である。 （もっと読む）

【課題】 より低い温度で基板を加熱した場合でも金属材料を十分にホールに埋め込むことができる高温リフロースパッタリングの技術を提供する。
【解決手段】 不図示の制御部は、二段階成膜の第一の工程では、静電吸着機構４９を動作させずに基板９と基板ホルダー４４との間の熱伝達効率が悪い状態とし、第二の工程では静電吸着機構４９を動作させて基板９と基板ホルダー４４との間の熱伝達効率を向上させ、ヒータにより効率良く基板９を加熱する。第一の工程でホール９０の内面に厚いベース薄膜９３が作成されるため、第二の工程で比較的低い温度でリフローさせても充分にホール９０内に金属材料が埋め込まれる。 （もっと読む）

【課題】 光マスク上に形成した露光パターンを、基板ステージに保持された基板上の半導体薄膜に投影露光して、半導体薄膜の所定の領域を改質する半導体薄膜形成装置の提供。
【解決手段】 光マスク上に形成した露光パターンを、基板ステージに保持された基板上の半導体薄膜に投影露光して、半導体薄膜の所定の領域を改質する半導体薄膜形成装置において、光マスクまたは基板ステージを個別に駆動することにより、露光パターンを順次走査する機構を有する半導体薄膜形成装置。 （もっと読む）