【課題】基板９の温度を比較的低温に保ちながら、微細なホール９０の内面に配線材料を埋め込むことを可能にする。
【解決手段】基板９に形成された微細なホール９０の内面にアルミのベース薄膜９３をイオン化スパッタによって作成した後、３００℃程度の温度でアルミ膜をスパッタによって作成しながらリフローさせてリフロー薄膜９１を作成する（Ｄ）。ホール９０内のベース薄膜９３が厚いためにリフロー薄膜９１の拡散が促進され、ボイド９２の無い埋め込みが可能になる。ベース薄膜９３は途切れを防止するため１５０℃以下の温度で作成される。スパッタチャンバーはプラズマを形成するイオン化手段を有し、このプラズマ中でスパッタ粒子がイオン化される。イオン化スパッタ粒子は電界設定手段が与える電界によって基板９に垂直に多く入射し、ホール９０内のカバレッジが向上する。 （もっと読む）

【課題】均一なガス流分布の形成を可能とするとともに、ガス吹出板６の温度及びその分布の制御性に優れたガス放出機構２を実現し、均一な処理を連続して行うことが可能な基板表面処理装置を提供する。
【解決手段】基板載置機構７及びガス放出機構２を対向して配置した処理室１、処理室１の排気手段及びガス供給手段２２からなる基板表面処理装置において、ガス放出機構２は、上流側から、前記ガス供給手段２２と連通するガス分散空間４、複数のガス通路５ａを有しかつ冷媒流路５ｂが設けられた冷却ジャケット５、前記ガス通路５ａと連通する複数のガス吹出孔６ａを有するガス吹出板６の順に配置された構成で、前記ガス吹出板６は、前記冷却ジャケット５に固定されており、前記ガス分散空間４には、小孔４ａを有するガス分散板４ｂが設けられていることを特徴とする。また、ガス吹出板６と冷却ジャケット５との間にガス分散機構を設けて、冷媒流路５ｂの真下にもガス吹出孔６ａを設ける構成としても良い。 （もっと読む）

【課題】マスクでカバーすべき部分への蒸着材料の回り込みを防止して、ガラス基板上に所定パターンの成膜を正確に行うことのできる基板トレイ及び成膜装置を提供する。
【解決手段】基板を保持して薄膜材料源と対向配置される基板トレイであって、基板を保持し、薄膜材料源から出て基板に堆積される薄膜材料粒子が通過する開口が設けられた保持部材と、保持部材と基板との間に配置され、開口を通過した薄膜材料粒子が基板上に堆積することを遮ることにより基板上の薄膜を所定形状とするための第１マスクと、保持部材と第１マスクとの間に配置され、第１マスクへの薄膜材料粒子の堆積を遮るように、第１マスクの少なくとも一部を覆う第２マスクと、を備えることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比４以上のホールの内面にボトムカバレッジ率よく成膜を行えるようにする。
【解決手段】 チタン等の金属製のターゲット２をスパッタして基板５０に所定の薄膜を作成するスパッタチャンバー内に所定のガスを導入するガス導入手段４は、ターゲット２から放出されるスパッタ粒子に反応して、ホール５００の側面５０１に対する付着性がスパッタ粒子単体の場合よりもより低く且つホール５００の底面５０２において解離可能な化合物を生成する水素等の反応性ガスを導入することが可能である。狭いホール５００の底面５０２まで効率よくスパッタ粒子が到達できるので、ホール５００の底面５０２での膜堆積が促進され、ボトムカバレッジ率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ処理装置で正常位置に対してどの方向に位置ずれが生じても確実に位置ずれを検出でき、少数の光学的センサを用いて検出できるウェハ位置ずれ検出装置およびウェハ位置ずれ検出方法を提供する。
【解決手段】このウェハ位置ずれ検出装置は、伸びと縮みを行うアーム機構部、アーム機構部の先部の把持プレート３７、アーム機構部を回転させる回転機構部、回転機構部等を支持するベース、ベースの上に位置不変の第１および第２の光センサ１３，１４を備えたロボットアーム１２を有する。ウェハ１７が第１の位置にあるときにおける、第１の光センサによる検出結果と第２の光センサによる検出結果との第１の組合せ結果と、ウェハが第２の位置にあるときにおける、第１の光センサによる検出結果と第２の光センサによる検出結果との第２の組合せ結果とに基づいてウェハの位置ずれの有無を判定する。 （もっと読む）

【課題】低ＲＡでも高ＭＲ比を有する磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 酸素や水などの酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質が前記ＭｇＯ層を成膜する室内に設けられた構成部材（第１成膜室２１内部の、成膜室内壁３７、防着シールド３６の内壁、仕切板２２やシャッタなど）の表面に被着された成膜室内で前記ＭｇＯ層を成膜するとによって、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間にＭｇＯ（酸化マグネシウム）層を有する磁気抵抗効果素子を製造する。ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が１４５ｋｃａｌ／ｍｏｌ以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのＴａ（タンタル）が好適である。 （もっと読む）

【課題】 スパッタリング装置に好適に用いられる電磁石ユニットを提供する。
【解決手段】 電磁石８１には、第１のフォトダイオード８２５と第２のフォトダイオード８２８が設けられており、電磁石８１への通電を制御する通電制御器８２は、第１のフォトダイオード８２５からの光を受ける第１のフォトトランジスタ８２４と、第１のフォトトランジスタ８２４に接続された第１の正側駆動用トランジスタ８２１と、第２のフォトダイオード８２８からの光を受ける第２のフォトトランジスタ８２７と、第２のフォトトランジスタ８２７に接続された負側駆動用トランジスタ８２２とを備えている。第１のフォトトランジスタ８２４がオンすると、電磁石８１に第一の向きに電流が流れ、第２のフォトトランジスタ８２７がオンすると、電磁石８１に逆の第二の向きに電流が流れる。 （もっと読む）

【課題】全体のｒｆ電極表面の下にほぼ均一な磁束分布パターンを生成し均一なウェハー処理速度を実現できるプラズマ処理方法および半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】このプラズマ処理方法は、下部電極２上に搭載されたウェハー２３の表面の付近の空間に容量結合型プラズマを生成し、ウェハーを処理するプラズマ処理方法であって、下部電極に対向する上部電極１の外側面上または内部に配置されたポイントカスプ磁界を作るための複数のマグネット６を、その周縁領域に広がる方向に、同じマグネット配列によって延長して配列し、上部電極の内側表面の近くには均一な磁束分布パターンによるポイントカスプ磁界７を作り、このポイントカスプ磁界７に基づき容量結合型プラズマを生成してウェハーを処理する。 （もっと読む）

【課題】 高アスペクト比のホールの内面に十分な被覆性でコンタクト膜バリア膜のような異種薄膜を真空中で作成できるようにする。
【解決手段】 コンタクト膜を作成するスパッタチャンバー２とコンタクト膜の上にバリア膜を作成するＣＶＤチャンバー３とがセパレーションチャンバー１を介して気密に接続されており、セパレーションチャンバー２には基板９を真空中で搬送する搬送機構１１と、内部に不活性ガスを導入する不活性ガス導入系１２と、セパレーションチャンバー１内の圧力がＣＶＤチャンバー３の圧力より高くＣＶＤチャンバー３の残留ガスが所定のレベル以下になったのを確認したのを確認した後にゲートバルブ３１を開ける制御部６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 二つの異なる周波数の高周波による高周波プラズマ処理において、プラズマの形成や維持を充分にし、且つ安定化させる。
【解決手段】 処理チャンバー１内にプロセスガス導入系２によりプロセスガスを導入し、プラズマ用電源４により高周波電極３にＶＨＦ帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプロセスガスのプラズマを形成し、基板ホルダー５上の基板９に所定の処理を施す。基板ホルダー５は別の高周波電極であり、ＨＦ帯の高周波電圧がイオン入射用電源５０により印加され、発生する自己バイアス電圧によりプラズマ中のイオンが引き出されて基板９に入射する。コントローラ７は、プラズマ用電源４を動作させた後、プラズマが形成されて安定化したことを確認してからイオン入射用電源５０を動作させるシーケンス制御プログラム７０を実行する。 （もっと読む）