【課題】 本発明は、新規な構造の電力導入機構を開発し、摺動部を介して電力を安定して供給できる真空処理装置を提供することを目的とする。また、長寿命の電力導入機構を備えた真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 真空室の内部に回転可能に設けられた基板ホルダと、該基板ホルダと回転軸を同じくする回転体の外周に設けられた、該回転体の回転機構と、電力導入用電源から前記回転体を介して前記基板ホルダに電力を導入する電力導入機構と、を備えた真空処理装置であって、前記電力導入機構は、前記回転体外周に取り付けられた第１の環状部材と、前記電力導入用電源と接続され、端面が前記第１の環状部材の端面と摺動するように配置された第２の環状部材と、からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 低温で、シリコン基板とシリコン酸化膜との界面特性が良好であり、低界面トラップ密度の良質な薄膜を作製する薄膜形成方法を提案する。
【解決手段】 真空容器内でプラズマを生成して活性種（ラジカル）を発生させ、この活性種と材料ガスでシリコン基板にシリコン酸化膜の成膜を行う薄膜形成方法であって、真空容器内で活性種（ラジカル）と材料ガスとが初めて接触し、両者の反応によりシリコン基板上へのシリコン酸化膜形成が行われる成膜処理空間へ、窒素原子を含むガスを前記材料ガス以外に導入することとし、シリコン基板へのシリコン酸化膜の成膜が行われている間における当該窒素原子を含むガスの流量を、少なくとも、シリコン基板へのシリコン酸化膜の成膜開始の時点において最大になるように調整する薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】 大型の基板の場合でも、必要な成膜速度を維持してボトムカバレッジ率を向上させることができるようにする。
【解決手段】 カソード２を構成する磁石機構４は、ターゲット５の表面のある場所から出てターゲット５の表面の他の場所に入る漏洩磁力線をターゲット５の表面上に周状に連ねて周状磁界を複数設定する、これによって磁石機構４の静止時には周状となるエロージョン領域５０が交差せずに複数形成される。エロージョン領域５０のうちのエロージョン最深部から最も大きな入射角でスパッタ粒子が基板３０に入射する箇所のその入射角は、一つのエロージョン領域の場合に比べて小さくなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、その上にウエハが載置されるウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、ウエハ裏面の汚染を防止しつつエッジエクスクルージョン（ＥＥ）を減らすためにプラズマ処理チャンバ内で使用されるウエハホルダを提供することである。
【解決手段】 ウエハステージと、このウエハステージを取り囲むウエハステージ外側リングとを有するウエハホルダであって、前記ウエハステージは、その上に載置されるウエハの直径よりも小さい直径を有し、前記ウエハステージ外側リングは、前記ウエハステージ上に載置されるウエハの直径よりも大きい内径をその上側に有し、外側リングの上面は、前記ウエハステージ上に載置されるウエハの上面よりも上側に位置するウエハホルダ。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）において、本発明の目的は、ｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面特性を向上させることにより、電気的特性およびデバイス性能を向上させることである。
【解決手段】 ｈｉｇｈ−Ｋ誘電体上に金属ゲートを蒸着することによりＭＯＳＦＥＴの製造においてｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜と金属ゲートとの間の界面を向上させる方法は、熱アニーリングモジュール内で、その上にｈｉｇｈ−Ｋ誘電膜が蒸着された基板をアニールするアニーリングステップと、金属ゲート蒸着モジュール内で、前記アニールされた基板上に金属ゲート材料を蒸着させる蒸着ステップとを含み、真空を破ることなく、前記アニーリングステップおよび前記蒸着ステップが連続的に行なわれることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 真空容器でのプラズマの生成に供する電極の信頼性を確保すると共に、地球温暖化係数の高いガスの排出を確実に防止すること。
【解決手段】 真空容器１１内で基板１２に成膜等を行う真空処理装置（プラズマＣＶＤ装置）１０のクリーニング方法において、非反応性ガス（不活性ガス）を真空容器１１とは別に設けられたガス分解装置２４に導入して非反応性ガスによるプラズマを生成する工程と、前記非反応性ガスによるプラズマが生成されたガス分解装置２４内に反応性ガス（三フッ化窒素ＮＦ_３）を導入し解離し活性種（原子状フッ素Ｆ）を生成する工程とを有し、前記活性種（原子状フッ素Ｆ）を真空容器１１に導入してクリーニングを行う。 （もっと読む）

【課題】 水素原子が真空処理装置の処理室内壁表面や、輸送経路内壁表面と接触することによって再結合し、水素分子に戻ってしまうことを効果的に抑制できる真空処理装置における水素原子発生源及び水素原子輸送方法を提案する。
【解決手段】
水素原子発生手段を取り囲む部材の当該水素原子発生手段が配置されている空間に面する表面の少なくとも一部がＳｉＯ_２で被覆されている真空処理装置における水素原子発生源。真空処理装置における水素原子発生手段によって生成した水素原子を所望の場所へ輸送する方法であって、内壁表面がＳｉＯ_２で被覆されている輸送経路を介して前記水素原子を輸送する真空処理装置における水素原子輸送方法。 （もっと読む）

【課題】 真空窓の外側の２以上の高周波アンテナに流れる高周波電流の比率を適切に制御し、プラズマ密度の不均一性を改善できる誘導結合型プラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】 この誘導結合型プラズマ発生装置は、プラズマ２６を生成して基板２１を処理するための真空容器１１、真空容器壁部に設けられる真空窓１２、真空窓の外側に配置される２以上のアンテナ部分から成る高周波アンテナ１３、高周波アンテナに高周波を供給する高周波電源１４、基板ホルダ２２を備える。さらに２以上のアンテナ部分は直列に接続された結線構造を有し、少なくとも１つのアンテナ部分に対して並列にコンデンサ３１Ａ，３１Ｂを接続する。コンデンサの容量値は、上記の２以上のアンテナ部分に流れる高周波電流の比率が最適に調整するように設定されている。 （もっと読む）

【課題】 発熱体ＣＶＤ装置を用いて、同一の処理容器内に配置されている同一の基板上に二種以上の異種の薄膜を連続して形成する薄膜形成方法において、異種の薄膜界面に低品質の薄膜が形成されることを防止する。
【解決手段】 処理容器内に供給する原料ガスを、処理容器内に添加ガスが供給されている状態で、最初に供給していた原料ガスから、次の原料ガスに切り替える工程と、処理容器内に供給する添加ガスを、最初に供給している第一の添加ガスから、当該第一の添加ガスとは異なる第二の添加ガスに切り替える工程とを行って、前記処理容器内において、基板ホルダーに保持されている同一の基板上に二種以上の異種の薄膜を連続して成膜する。 （もっと読む）

【課題】 積層ウエハのウエハ間隙間への液剤の注入において、積層ウエハの外面への接着剤の付着が低減され、注入の効率が高く、また完全に注入が行えるようにする。
【解決手段】 注入チャンバー２内の液剤容器３に液剤Ｌを溜め、表面張力により盛り上げて液剤容器３の縁より溢れ出ない状態で突出させ、突出した部分が積層ウエハ１１，１２の周縁に沿った形状で全周状に連ならなるようにする。注入チャンバー２を真空圧力とし、積層ウエハ１１，１２の周縁の全周を、突出し全周状に連なる部分の液剤Ｌに接触させ、周縁開口を塞ぐ。この際、積層ウエハ１１，１２の外面に沿って液剤Ｌが広がらないよう堰止め具６１，６２が外面に密着する。その後、注入チャンバー２内を大気圧にしてウエハ間に液剤を注入する。 （もっと読む）