【課題】磁気抵抗変化率（ＭＲ比）等の磁気特性に優れたＧＭＲ及びＴＭＲ膜を高い歩留まりで製造可能な磁気抵抗膜の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】 磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。スパッタ装置は、カソードと基板ホルダとが配置された真空容器と、真空容器の排気口に連結された第１の排気装置と、ターゲットの表面近傍へのガス導入機構と、を備え、ターゲット表面近傍とその外側の中間空間との間で圧力差をつける第１の圧力調整手段と、中間空間と基板の表面近傍との間で圧力差をつける第２の圧力調整手段と、中間空間を排気する第２の排気装置とを設けたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高いＭＲ比を有し、量産性を高め、実用性を高めた磁気抵抗効果素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 この磁気抵抗効果素子（ＴＭＲ素子１０）は、一対の強磁性層とそれらの中間に位置するバリア層とから成る積層構造（ＴＭＲ素子部１２）を含むものであり、少なくとも一方の上記強磁性層は、少なくともバリア層に接する部分がアモルファス物質状態を有し、上記バリア層は単結晶構造を有するＭｇＯ層である。 （もっと読む）

【課題】 この発明の目的は、半導体デバイスの製造における半導体産業で使用され、基板の上に堆積されている膜を加熱するために用いられる電力のIR放射への変換効率が改善されていて、より正確な温度制御性能と、広い基板にわたっての均一性が得られる急速加熱処理（RTP）装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入口とガス排出口とを有するチャンバと、チャンバ内に備えられている基板ホルダーと、チャンバに備えられている赤外線発光ダイオードあるいは赤外線レーザダイオードとを備えてなるＲＴＰ装置であって、基板ホルダーの上に配置されている基板が赤外線発光ダイオードあるいは赤外線レーザダイオードから発光された赤外線によって高温に加熱されるRTP装置。 （もっと読む）

【課題】 真空中で行われるドライエッチングの微細加工の製造工程に特別な変更を加えることなく微細加工時に使用されるマスク材を二重に重ねて積層することで、製造工程中必然的に含まれる酸化過程により保護層の最表層に酸化層が形成されたとしても、ＭＲ比の低下を防止し、磁気抵抗効果素子としての性能を高く保持することができる磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 この磁気抵抗効果素子２０の製造方法は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜から成る磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、非有機系材料からなる第一のマスク材の下層に他の原子と反応して導電物になり得る第二のマスク材を二重に重ねて積層する方法である。 （もっと読む）

【課題】 表面処理中のベースフィルムの表面或いは裏面とガイドローラーが接触することに起因する汚染等を防止し、また、ベースフィルム内部に残留する水蒸気や酸素等不純物ガスの積層膜への影響をなくすことが可能な巻取式表面処理装置及び表面処理方法を提供する。
【解決手段】 ベースフィルムと、ベースフィルムの処理面を保護する保護フィルムとの重ね合わせが可能な重ね合わせ手段とを備え、前記重ね合わせ手段は、前記ベースフィルムの処理面と保護フィルムとを重ね合わせて巻き取り及び／又は剥離が可能な構成とした。また、ベースフィルムと、ベースフィルムの処理面を保護する保護フィルムとの重ね合わせが可能な重ね合わせ手段により、前記ベースフィルムの処理面と保護フィルムとを重ね合わせて巻き取り及び／又は剥離を可能にした。 （もっと読む）

【課題】成膜処理空間に配置されている基板がプラズマによるダメージを受けることなしに多品種の薄膜形成などの基板処理に柔軟に対応することが可能で、かつ、薄膜形成等の基板処理を、高速・低温で実現できる基板処理装置と基板処理方法を提案する。
【解決手段】真空反応室内が、接地されている導電性の隔壁板１４によって上下に分離され、当該隔壁板より上側がプラズマ放電空間１５、当該隔壁板より下側が基板処理空間１６となる。隔壁板はこれを上下方向に貫通する複数個の隔壁板貫通孔２５ｂと、前記プラズマ放電空間と隔離され、かつ、前記基板処理空間と連通する内部空間を備えている。プラズマ放電空間と基板処理空間とは前記複数個の隔壁板貫通孔によってのみ連通され、基板処理空間への材料ガスの導入は隔壁板の内部空間を介してのみ行われる。前記隔壁板が備えている複数個の隔壁板貫通孔は、いずれも、上下方向の大きさが５ｍｍ乃至３０ｍｍ、口径が５ｍｍ乃至３０ｍｍでかつアスペクト比が１以上２以下の条件を満たしている。 （もっと読む）

【発明の課題】 より高いスループットで、ウェハー表面の汚染を生ずることなく当該ウェハー上に膜を堆積できるＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】 ＣＶＤ装置は、ウェハー搬入／搬出チャンバ１ａ，１ｂ、処理チャンバ３、ウェハー搬送チャンバ２を備える。処理チャンバは、２つまたはそれより多いウェハーステージ６ａ〜６ｄであって、当該ウェハーステージの各々は回転可能な中央ポールに水平アーム８ａ〜８ｄを介して連結されているものと、ウェハー・ロード／アンロード室５と、２つまたはそれより多い分離された処理反応容器４ａ，４ｂとで構成され、当該処理反応容器では各々に膜の化学的気相成長のために必要な１タイプの処理ガスのみが供給される。ウェハー・ロード／アンロード室と処理反応容器は、中央ポールから同じ半径距離に配置され、中央ポールが回転する時、ウェハーステージの各々は処理反応容器等を通って移動する。 （もっと読む）

【課題】 高い規格化保磁力を有するとともに、熱的な安定性に優れる磁気記録媒体およびその製造方法、並びに磁気記録装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性基体１と、該非磁性基体１上に金属下地層２を介して形成されたコバルト基合金からなる強磁性金属層３とを備える磁気記録媒体１０において、保磁力Ｈｃが２０００（Ｏｅ）以上であり、かつ異方性磁界Ｈｋ^grainが１００００（Ｏｅ）以上であることを特徴とする。また、前記金属下地層２および／または強磁性金属層３が、到達真空度１０^-9Ｔｏｒｒ台の成膜室において、不純物濃度１ｐｐｂ以下の成膜用ガスを用いて成膜されてなるものであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 複数のチャンバを備える半導体製造装置で各チャンバ間でのキャリア受渡しを円滑に行い、高速連続搬送を行える磁気搬送装置を提供する。
【解決手段】 隔離可能でかつゲートバルブ１１でつながる３つのチャンバ２Ａ〜２Ｃに付設され、チャンバ内をキャリア１３を搬送する。搬送路ではチャンバの間で渡り部分が形成される。チャンバに対応してキャリアを移動させる駆動軸３２Ａ〜３２Ｃと動力伝達部４２と駆動装置４１Ａ〜４１Ｃを備える。駆動軸はＮ極螺旋部３３ａとＳ極螺旋部３３ｂからなる螺旋状磁気結合部３３を有する。各チャンバに設けた駆動軸の配置間隔（ｄ）が、螺旋状磁気結合部におけるＮ極螺旋部とＳ極螺旋部の間隔（ｐ）の２倍の自然数倍になるように設定される。この関係で±１．５ｍｍのずれが許容される。各チャンバの駆動装置の動作を同期させて制御する制御装置１００が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 イオン放出体と基準電圧印加部の間の電位差の変動の発生を抑制し、イオン放出量を安定化させ、精度の高い質量分析を行えるイオン付着質量分析装置のイオン源を提供する。
【解決手段】 放出体１２と、この放出体にバイアス電圧を印加する電圧印加部１１とを有し、放出体を加熱して正電荷の金属イオンを放出させ、金属イオンを被検出ガスに付着させて被検出ガスをイオン化するイオン付着質量分析装置のイオン源である。放出体１２の材質を変えることにより、放出体のイオン放出点と電圧印加部の基準電圧印加部１１ａとの間の電気抵抗を低減する。基準電圧印加部とイオン放出点との間の距離を短くすることにより、放出体のイオン放出点と電圧印加部の基準電圧印加部との間の電気抵抗値を１０¹⁰Ω以下に低減する。また基準電圧印加部の表面に薄膜状放出体を形成することもできる。 （もっと読む）