【課題】Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）カクテルを原料としてＣＶＤ法でＣｕ膜を形成するとき、熱安定性を良くし、核発生が良好に誘起され、低温であっても低抵抗でマイクロボイドが発生しにくくする。
【解決手段】Ｃｕ−ＣＶＤプロセス用原料はＣｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対してｔｍｖｓとＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏを添加して作られる液体原料であり、Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ｔｍｖｓ）に対するｔｍｖｓの添加割合が１〜１０ｗｔ％の範囲に含まれ、触媒であるＨｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．１〜０．０１ｗｔ％の範囲に含まれる。好ましくはｔｍｖｓの添加割合が５ｗｔ％であり、Ｈｈｆａｃ・２Ｈ₂ Ｏの添加割合が０．０４ｗｔ％である。 （もっと読む）

【課題】 ３００ＭＨｚ〜１ＧＨｚの低ＵＨＦ帯のマイクロ波を使用することにより、広い領域に均一なプラズマを生成して、大面積の基板に均一な表面処理を行なう。
【解決手段】 ガス供給系５からガスを供給しながら、排気系６で排気して、処理容器３内を所定の圧力に保つ。マイクロ波発生器１で低ＵＨＦ帯のマイクロ波を発生させ、空洞共振器２内でＴＭ₀₁₀モードで共振させる。隔壁板２０に形成された長孔２５を通してマイクロ波を放電室４内に放射し、プラズマを形成する。このプラズマを利用して基板３０の表面に、エッチングやＣＶＤなどの処理を行なう。隔壁板２０の底面は上に凸状に窪んでいて、隔壁板２０と基板載置台３１との間のギャップは、基板３０の中心から半径方向に離れるほど狭くなっている。これにより、プラズマが均一になり、処理も均一になる。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも２つの磁気搬送装置要素で構成される非接触式磁気搬送装置で、磁気搬送装置要素の間で搬送物の受け渡しを行う際に、受け側の磁気搬送装置要素で安定して再現性良く搬送物の停止制御を行う。
【解決手段】 独立に動作する２つの磁気搬送装置要素からなり、各々には螺旋状磁極を表面に有する駆動軸18A-18C とキャリア13を送る案内路14が設けられ、キャリアは螺旋状磁極のピッチと等しいピッチの磁極を備え、駆動軸が回転すると、キャリアは磁気結合作用で案内路上を移動し、かつ磁気搬送装置要素の間で受け渡され、さらに、駆動軸の特定回転角度を検出する回転角度センサ34と、キャリアの受取りを検出する位置確認センサ35と、両センサの検出が同期して行われたときに、キャリアの位置決めを行う制御部32A ，32B を備える。 （もっと読む）

【課題】 複数の直列チャンバを備えた半導体製造装置等で各チャンバに独立に回転動作するキャリア送り用駆動軸を設けた構成において、同期制御機構を特別に設けることなくチャンバ間でのキャリアの受渡しを円滑に行う。
【解決手段】 軸方向に二分割されて固定駆動軸18-1と可動駆動軸18-2が形成され、固定駆動軸は軸心部材に固定され、可動駆動軸は回転方向には制限されかつ軸方向には一定幅で自由に動くように軸心部材に取り付けられ、各駆動軸の表面に螺旋状磁気結合部22が同一ピッチで形成された回転駆動部材18,18A,18B,18Cと、回転駆動部材の表面に対しその軸方向に移動自在に設けられ、螺旋状磁気結合部のピッチと同じ距離の間隔で磁気結合部21を設けた移動体13,17 からなる。回転駆動部材を回転させると、移動体は直線的に移動する。 （もっと読む）

【課題】 低振動、かつ冷却板の支持強度の高いコールドトラップを提供する。
【解決手段】 流路外壁が、ガスが流れる流路を画定する。パルスチューブ冷凍機が、蓄冷器、コールドヘッド、及びパルス管を含んで構成されている。蓄冷器とパルス管がコールドヘッドを中心として相互に反対側に配置され、蓄冷器及びパルス管のコールドヘッド側とは反対の端部が、それぞれ流路外壁の相互に異なる位置に取り付けられている。コールドヘッドが蓄冷器とパルス管とによって流路内に支持されている。冷却板が流路内に配置され、コールドヘッドに熱的に結合されている。 （もっと読む）

【課題】 大型の電極を使用する場合でも電力効率を低下させることなく、基板に対する表面処理が高速で行えるようにする。
【解決手段】 放電用ガスを放電させてプラズマを発生させるために真空容器１内に配置された電極体３の表面の一部は、高周波電流が流れる表面領域が制限できる程度に電極体３の材料とは電気伝導率の異なる導電性の被膜６０で被覆されている。電力供給機構４によって電極体３に高周波電力が供給される際、高周波電流が流れる領域が被膜６０の部分に限定される結果、真空容器１等の接地部に向かって流れる変位電流が低減され、これによって高周波電力の利用効率が向上する。 （もっと読む）

【目的】 大型の電極を使用する場合や高い周波数の高周波電力を使用する場合でも、プラズマ密度が不均一化することがなく、均一な表面処理が行えるようする。
【構成】 真空容器１内に配置された電極体３に複数の電力供給箇所で高周波電力を印加し放電用ガスを放電させてプラズマを生成する。電極体３はプラズマを生成する空間に対向した表面の周縁上の任意の二点のうちの最も距離の長い二点間の距離が高周波電力の波長の四分の一よりも長い形状であり、かつ、電極体３への複数の電力供給箇所は例えば中心対称状のように均等な位置に設定される。電極体３の表面インピーダンスによる損失が小さくかつ損失が均一になり、高周波電力の波長の影響によるプラズマの不均一性も生じないので、高い密度の均一なプラズマを得ることができる。 （もっと読む）

【目的】 ＴＥＭ観察用試料の調整で使用されるイオンミリング装置の試料ホルダにおいて、短時間で正確に試料の中心部を薄片化し孔を開ける。
【構成】 試料１１を配置する位置決め用収容部を有する支持板１２と、この収容部に配置された試料１１を押さえる支持板１３からなり、収容部に試料が配置された状態で支持板の中心位置と試料の中心位置が一致するようにする。収容部は、例えば試料を支持するための段部１２ｃを形成する径の異なる２つの孔１２ａ，１２ｂによって形成され、２つの孔は同軸孔で支持板に貫通孔として形成される。 （もっと読む）

【目的】 成膜の終了した基板の温度を急速に冷却して基板処理時間の短縮化を図るとともに熱拡散により発生する加工形状の変化および添加不純物の濃度異常を低減化する。
【構成】 真空処理装置の成長室４に基板１を配置するとともに基板１に対向してヒータ２を設ける。ヒータ２はヒータ移動機構１３により上下に移動可能である。基板処理が終了した後、ヒータの電源を遮断するとともにヒータを基板１より遠ざけることにより入射する熱量を少なくして自身の熱放射による急速冷却を行い、熱拡散を抑える。 （もっと読む）