【課題】プラズマディスプレイパネルを短時間で製造する。
【解決手段】本発明は、基板１１、２１のはみ出し部分１７、２７の上に、接続材料３１の溶融物３２を、基板１１、２１の縁に沿って配置し、毛細管現象によってその溶融物３２を第一、第二の基板１１、２１の間に引き込ませる。接続材料３１の溶融にレーザー光３５を用いると、接続材料３１が短時間で溶融するだけでなく、照射位置３６を中心として限られた範囲しか高温にならず、第一、第二のパネル１０、２０の全部が加熱されることがないので、汚染ガスの発生量が少なく、汚染ガスの脱ガス工程に時間を要しない。 （もっと読む）

【課題】表示装置を精度良く短時間で製造する。
【解決手段】本発明の製造装置２は射出装置５を有しており、射出装置５は第一、第二の基板に吸収され易い第一の光線束と、封止材料に吸収され易い第二の光線束を射出可能になっているので、第一、第二の基板１１、２１と封止材料３１の温度制御を精密に行うことができる。溶融物３２が第一、第二の基板１１、２１の間に引き込まれる前には、予め第一、第二の基板１１、２１は第一の光線束で加熱されているので、間に引き込まれた溶融物３２が第一、第二の基板１１、２１で冷却されない。 （もっと読む）

【課題】同軸型真空アーク蒸着源を用いる薄膜の形成において欠陥の無い薄膜を形成する。
【解決手段】カソード電極４３を筒状のアノード電極３１の開口よりも外側に配置し、カソード電極４３から放射方向に飛び出す巨大ドロップレットをアノード電極３１の壁面に衝突させず、小ドロップレットを生成させない。ホルダ１２の方向に飛び出した巨大ドロップレットは回転する羽根部材２２に衝突し、フィルタ装置２０を通過できず、微小粒子だけが通過し、成膜対象物５の表面に欠陥の無い薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内に基板ステージ１２を配置し、ターゲット４１ａを有するスパッタリング成膜手段を、基板ステージの中心軸に対し所定の角度で傾斜させて設けると共に、化学的成膜手段を設ける。ターゲットと基板ステージとの間に、前記ターゲットを設けた真空チャンバの上方領域を隔絶するように遮蔽手段５を回転自在に設け、この遮蔽手段の所定の位置に前記ターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 マスクを通して基板への任意のパターンでの成膜を可能とする基板保持具を、基板ホルダーとマスクホルダーとの分離が容易で、かつ基板に対しマスクを正確かつ再現性よく配置できるようにする。
【解決手段】 基板Ｓを保持する基板ホルダー２と、基板が臨む開口部２１を有し、この開口部にマスクＭが着雑自在に装着されたマスクホルダー３とを嵌合して基板保持具１を構成する。この場合、基板ホルダー、マスクホルダーのいずれか一方に、他方に向かって突出する１本のピン２６を設けると共にこのピンが嵌挿するピン孔３７をその他方に形成し、基板ホルダーとマスクホルダーとが嵌合する基板ホルダー及びマスクホルダーの周壁面の一部を、それぞれ相互に対応するテーパ面２５、３６とする。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバ内の基板ステージ１２に対向させて設けたターゲット４１ｃを有するスパッタリング成膜手段４と、化学的成膜手段３とを設けると共に、ターゲットが存する第１空間１１ａと基板ステージが存する第２空間１１ｂとに仕切る仕切り板５を設ける。ターゲットを、このターゲットの水平方向の位置の変更を可能とする移動手段４１ａに装着し、仕切り板の所定の位置にターゲットが臨む開口部５１を形成する。 （もっと読む）

【課題】 パターンの相違するマスクに交換しつつ基板上に同一または相互に異なる材料を積層する場合に、基板に対しマスクを正確かつ再現性よく配置でき、装置自体が大型化せずに低コストで製作できるようにした成膜装置を提供する。
【解決手段】 成膜室１２内に、蒸発源４と、同一円周上で所定の間隔を置いて相互にパターンが同一または異なるマスクの配置を可能とした回転自在なステージ２と、基板の搬送を可能とする搬送手段６とを設ける。搬送手段によって、いずれかのマスク上にこのマスクに対し位置決めして基板を設置した後、ステージを回転させて蒸発源に対向した位置に搬送し、マスクを通して基板への成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。
【解決手段】 真空チャンバを、スパッタリング法を実施できるスパッタ室１１ａと、化学的成膜法を実施できる化学的成膜室１１ｂとに左右に区画し、スパッタ室内及び化学的成膜室の各成膜位置の間で処理基板Ｓを移動自在とする基板搬送手段３を設ける。この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 （もっと読む）

【課題】 マスクとウェハの熱膨張によるイオン注入位置精度誤差が所定の範囲内となるようにすることで、イオン注入の位置精度を向上したイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオン注入装置において、マスク２０の温度を測定するマスク温度計１１と、マスク２０の温度を制御するマスク加熱冷却システム１３と、ウェハ３０の温度を測定するウェハ温度計１３と、ウェハ３０の温度を制御するウェハ加熱冷却システム１４と、マスク２０とウェハ３０との温度差と、熱膨張によるイオン注入位置精度誤差との特性関係が記憶されるとともに、マスク加熱冷却システム１３及びウェハ加熱冷却システム１４をコントロールする加熱冷却コントローラー１５とを具備した温度管理制御機構を設けた。 （もっと読む）

【課題】 基板をトレイに載せて搬送することなく、１台のロボットで複数枚の基板を同時に搬送することができる基板搬送システムを提供する。
【解決手段】 本発明の基板搬送システム１は、複数枚のウェーハＷを支持するトレイ２と、複数枚のウェーハＷが載置されるステージ３と、伸縮自在な多関節アーム４Ｂの先端に複数枚のウェーハＷを支持するハンド部４Ａが設けられ、トレイ２とステージ３との間で複数枚のウェーハＷを一括的に移載する基板搬送ロボット４とを備え、ハンド部４Ａ及びトレイ２はそれぞれ、互いに係合する櫛型形状を有しており、ステージ３には、ハンド部４Ａとの間で複数枚のウェーハＷを受け渡すための機構部（リフターピン）３２が設けられている。 （もっと読む）