【課題】スキマーが損傷しないクラスターイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】
スキマー１４とイオン化室１６ａの間にバイアス電極２１ａを配置し、バイアス電極２１ａに、イオン化室１６ａの壁面を基準としたときに、スキマー１４よりも大きな負電圧を印加する。入口側孔３３ａから漏出した逆流イオンはバイアス電極２１ａに引きつけられ、スキマー１４が位置する方向から逸らされる。逆流イオンの進行方向に衝突板１５ａを配置し、逆流イオンを衝突させるようにする。 （もっと読む）

【課題】 大型のガラス基板であっても、簡易な構成で、搬送トレイに対する受け渡しを確実なものとする、インライン式真空蒸着装置に例示されるインライン式処理装置におけるガラス基板のハンドリング機構を提供すること。
【解決手段】 少なくとも仕込／取出室と処理室の２室または仕込室と処理室と取出室の３室を有し、処理室で搬送トレイに載置したガラス基板の表面処理を行うインライン式処理装置におけるガラス基板のハンドリング機構であって、ガラス基板の被処理領域外の領域を静電チャックで吸着させてハンドリングするようにしてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 基板をトレイに載せて搬送することなく、１台のロボットで複数枚の基板を同時に搬送することができる基板搬送システムを提供する。
【解決手段】 本発明の基板搬送システム１は、複数枚のウェーハＷを支持するトレイ２と、複数枚のウェーハＷが載置されるステージ３と、伸縮自在な多関節アーム４Ｂの先端に複数枚のウェーハＷを支持するハンド部４Ａが設けられ、トレイ２とステージ３との間で複数枚のウェーハＷを一括的に移載する基板搬送ロボット４とを備え、ハンド部４Ａ及びトレイ２はそれぞれ、互いに係合する櫛型形状を有しており、ステージ３には、ハンド部４Ａとの間で複数枚のウェーハＷを受け渡すための機構部（リフターピン）３２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
所望の位置にスペーサを配置できる技術を提供する。
【解決手段】
本発明のスペーサ塗布装置１１により、処理対象物５の表面に、表面改質装置２１ａからレーザ光２８₁〜２９_nを射出し、処理対象物５の疎水性表面のレーザ光２８₁〜２８_nが照射された領域を親水性に改質し、スペーサの配置位置に部分的に親水性表面４１を形成する。印刷装置２２ａから吐出液２９₁〜２９_nを吐出し、親水性表面４１を含む領域に着弾させる。着弾した吐出液４２中の分散液が蒸発すると、吐出液４２中のスペーサは親水性表面４１を中心に集合し、密集しあうので、レーザ光２９₁〜２９_nの照射位置に集合させることができる。 （もっと読む）

【課題】 多段に積み上げた際に必要とされる機械的強度を確保できる電圧発生ユニット及びこれを多段に積み上げて形成された高電圧発生装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電圧発生ユニット５０は、コッククロフトウォルトン回路（多段式倍電圧整流回路）の各段を形成する回路構成素子群が、複数に分割された絶縁物により被覆されたユニット構造で形成され、その表面部に、隣接する他のユニット体と電気的接続を行う入出力端子群５２Ａ’５２Ｃ’及び５２Ａ〜５２Ｃが設けられている。そして、これら入出力端子群が形成されている表面部は、隣接する他のユニット体の表面部（接合面）と接合する接合面Ｓ１，Ｓ２とされており、これらの入出力端子群は、その端子面が上記接合面Ｓ１，Ｓ２と整列するようにして設けられている。 （もっと読む）

【課題】 疎水性および機械的強度に優れ、光機能材料、電子機能材料などとして好適に使用できる多孔質フィルムを得る。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｏ結合を含む多孔質フィルムに、（Ａ）−５０〜４５０℃の温度下および０．０５〜１５０Ｐａの圧力下、ハロゲン含有ガスを含まない雰囲気下でＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎｅ、Ｈｅ、Ｏ_２、Ｏ_３、Ｈ_２、Ｎ_２、Ｈ_２Ｏ、Ｎ_２ＯおよびＮＨ_３の１種または２種以上を含むプラズマ雰囲気に曝露するプラズマ処理と、（Ｂ）有機ケイ素化合物を接触させる接触処理という２つの処理を施す。 （もっと読む）

【課題】 トンネル接合膜１０ａを所定形状にエッチングすることが可能なエッチング方法を提供する。
【解決手段】 ハロゲン系ガスと酸素ガスとの混合ガスを導入してプラズマを発生させ、ＴｉＮ、Ｔｉ、Ｔａ、ＺｒまたはＨｆからなるマスク９０を用いて、エッチング対象物を１００℃以上４００℃以下に加熱しつつトンネル接合膜１０ａをエッチングして、所定形状のトンネル接合素子１０を形成する構成とした。 （もっと読む）

【課題】 三極電界放出素子を用いた電界放出型表示装置１を、有効画素領域のうちその外周端部での電界集中を防止でき、また、スペーサへの帯電を防止して異常な電界の形成が抑制できるように構成する。
【解決手段】 所定のイメージを表示する有効画素領域２６を構成する、電子放出電極ライン２２の両側に、電子放出部を設けたダミー電子放出電極ライン３２と、電子引出電極ライン２４の両側に、ダミー電子放出電極ラインと交差させてダミー電子引出電極ライン３３とをそれぞれ配置し、有効画素領域２６を囲繞するようにイメージの表示に関与しないダミー画素領域３４を設ける。 （もっと読む）

【課題】 堆積種又はその誘導種の発生量を増加させることによって、２種以上の原料ガス混合物の場合でも、触媒化学気相成長法により効率的に成膜しうる薄膜形成方法及び装置の提供。
【解決手段】 触媒体５の周辺部材に対して当該触媒体に電位を付与して、触媒体表面近傍に電界を生じさせ、その電界と加熱された触媒体から放出される電子との作用により原料ガスを分解して堆積種又はその誘導種を生成し、次いで薄膜を形成する。触媒体５と触媒体加熱用電源６との間のラインに定電圧源７を設けた電界支援型触媒化学気相成長用成膜装置。 （もっと読む）

【課題】 トンネルバリア層１５のショートを防止することが可能な、トンネル接合素子１０のエッチング加工方法を提供する。
【解決手段】 トンネル接合膜１０ａの表面にマスク９０を設け、トンネル接合膜１０ａの底面にエッチングストップ層９２を設けて、トンネル接合膜１０ａのエッチングを行うことによりトンネル接合膜１０ａに所定パターンの凹部２０を形成するとともに、エッチングストップ層９２の露出後にもエッチングを行うことにより凹部２０の側壁への付着物２２を除去する構成とした。 （もっと読む）