【課題】前処理工程における基板の汚染の問題がなく、しかも基板とマスクとの正確な位置合わせを行って精細な有機発光層を形成することが可能な有機ＥＬ素子製造技術を提供する。
【解決手段】本発明は、基板１０に対する前処理工程を有する有機ＥＬ素子製造方法であって、前記前処理工程が、真空中で前記基板１０を加熱及び冷却する工程を有し、当該冷却工程の終了後、当該基板１０に対して成膜用マスク１１の位置合わせを行い、さらに、成膜用マスク１１を介して基板１０上にホール輸送層を形成し、その後、少なくとも１色の有機発光層の形成を行うものである。前処理工程における冷却は、ベーク室２３における加熱処理の後と、前処理室２５における真空プラズマ処理の後に、冷却室２４において行う。 （もっと読む）

【課題】 触媒源で発生したラジカルの失活を防いで、原料ガスとラジカルとの反応を効率よく行って所望の膜を形成することができる成膜装置及び成膜方法の提供。
【解決手段】 成膜室４４及び基板Ｓに対向するよう設けられた触媒源４８を備えた触媒室４６からなる真空チャンバー４２において、成膜室４４と触媒室４６とが開口部４７を介して接続されており、成膜室内に載置される基板の周縁部と開口部の周縁部との最短距離を結ぶ直線が基板となす角度をωとし、基板の周縁部と触媒源の縁部との最短距離を結ぶ直線が基板となす角度をθとした場合に、触媒源が、ω≧θを満たす位置に配置されること。 （もっと読む）

【課題】 選択性の破れを防いで、有用なＷキャップ膜を形成する選択Ｗ−ＣＶＤ法及びＣｕ多層配線の製作法の提供。
【解決手段】 絶縁膜のホール等の構造内にＣｕ系配線膜を埋め込んだ基板に対して原料ガスを供給し、この配線膜上に選択的にＷキャップ膜を形成する前に、Ｎ原子、Ｈ原子及びＳｉ原子から選ばれた原子を化学式中に含んだ化合物のガスを所定の状態で用いて３００℃以下で絶縁膜表面とＣｕ系配線膜表面の前処理を行う。前処理後、Ｃｕ系配線膜表面上に選択的にＷキャップ膜を形成し、その後さらに上層Ｃｕ配線を製作する。 （もっと読む）

【課題】ドロップレットによる欠陥の無い薄膜を形成する。
【解決手段】
蒸着源３０と成膜対象物５の間に回転翼型のフィルタ装置２０を配置し、回転軸線２５を中心に回転させると、質量が大きく飛行速度が遅い巨大粒子はフィルタ装置２０の羽根部材２２に衝突し、質量が小さく飛行速度が速い微小粒子は羽根部材２２間を通過し、成膜対象物５に到達する。ドロップレットが除去されるので、欠陥のない平坦な薄膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】表面に炭素皮膜を形成した基板にイオン照射して、基板の表面に形成された各微小突起の頂部に１本ずつカーボンナノ構造材を成長させて、基板上にナノ構造材をバラけた疎の状態で得るに際し、基板の表面に形成する炭素皮膜を適切なものに選択することによって、低い電流密度のイオン照射によってナノ構造材を疎な状態で成長可能としたカーボンナノ構造材の製造方法。
【解決手段】有機ポリマー溶液としてアクリロニトリル系重合体の溶液を基板の表面に塗布し、ついで基板を酸素含有雰囲気中で２００〜４００℃の温度で焼成してアクリロニトリル系重合体の塗膜を予備酸化処理し、ついで基板を不活性雰囲気中で少なくとも１０００℃の温度で焼成することによって塗膜を炭化処理して、基板表面に炭素皮膜を形成する。基板表面に７０μＡ／ｃｍ²で１００分間のイオン照射を行うと（実施例１）、カーボンナノファイバをバラけた状態で得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板などの絶縁性基板を静電吸着することができる静電チャック、その静電チャックを用いた絶縁性基板加熱加熱冷却装置および絶縁性基板の温度制御方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１０の温度制御方法、静電チャック１を構成する誘電体の形状、物性、電極７の形状を規定し絶縁性基板吸着用静電チャックを開示した。静電チャック１に加熱冷却用のプレート６、ガス供給配管１３、温度制御システムを規定し絶縁性基板加熱冷却装置を開示した。更に絶縁性基板加熱冷却装置を組み込んだ絶縁性基板処理装置を開示した。 （もっと読む）

【課題】 気泡や着色物のない、光特性に優れた光導波路の製造方法を提供することである。本発明の他の課題は、光導波路の製造方法を提供することである。
【解決手段】 下クラッド層、コア層および上クラッド層から構成され、これらの層の少なくとも１つ、特にコア層がフッ素化ポリイミド層である光導波路の製造方法であって、前記フッ素化ポリイミド層が、真空処理室、真空排気系配管および原料モノマー蒸気の導入管をそれぞれ加熱しながら重合を行なう蒸着重合法にて形成される。フッ素化ポリイミドからなる前記コア層は、光散乱法にて測定した伝送損失が６．０ｄＢ/ｃｍ以下（但し、光源波長：６３２.８ｎｍ）である。 （もっと読む）

【課題】 成膜過程において基板に発塵による異物突起を生じさせることなく、しかも、保持部材から取り外す際に、基板に形成された皮膜を剥離させることがなく、更に、基板の表面を傷つけることがない皮膜形成装置及び皮膜形成方法を提供する。
【解決手段】 処理室内において、保持部材により保持された基板に対して、モノマーガスを反応させて皮膜を形成するための皮膜形成装置であって、前記保持部材の表面を、有機高分子皮膜により被覆したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により、Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜を形成する方法の提供。
【解決手段】成膜室内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガス及び酸素原子含有ガスを導入して基板上で反応させて、ＴａＯ_ｘＮ_ｙ(Ｒ,Ｒ')_ｚを生成し、次いでＨ原子含有ガスを導入してタンタルリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）

【課題】Ｃ、Ｎ含有量が低く、Ｔａ／Ｎ組成比が高く、Ｃｕ膜との密着性が確保されているバリア膜として有用な低抵抗タンタル窒化物膜の形成方法の提供。
【解決手段】真空チャンバ内に、Ｔａ元素の周りにＮ＝(Ｒ,Ｒ')(Ｒ及びＲ'は、炭素原子数１〜６個のアルキル基を示し、それぞれが同じ基であっても異なった基であってもよい)が配位した配位化合物からなる原料ガスを導入して基板上に吸着させた後に、ＮＨ_３ガスを導入し、次いで反応ガスの活性化したＨラジカルを導入してＮに結合したＲ(Ｒ')基を切断除去し、Ｔａリッチのタンタル窒化物膜を形成する。また、得られた膜中にスパッタリングによりタンタル粒子を打ち込み、さらにタンタルリッチとする。 （もっと読む）