【課題】真空排気装置に接続された空間に不純物ガスを放出しない真空用モーターと真空用ロボットを提供する。
【解決手段】
筒部材１１と、回転軸１２と、磁石１４と、コイル１５と、信号を生成する符号が、回転軸１２の中心軸線を中心とする円周に沿って表面に配置された回転板２１ａと、信号を検出できるセンサ２２ａとを有し、回転板２１ａが配置された空間は真空排気装置４２に接続されて真空排気される真空用モーター１０ａであって、内部にセンサ２２ａが配置されたセンサ室２４ａと、信号を透過する透過窓２３ａとを有し、透過窓２３ａはセンサ室２４ａの開口を塞ぐように設けられ、センサ室２４の内部空間は回転板２１ａが配置された空間から分離され、センサ２２ａから放出された不純物ガスは真空排気装置４２に接続された空間に放出されない。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高い信頼性の仕切り動作が可能なスライド弁を提供する。
【解決手段】弁箱１０に回動自在に設けられた回転軸２０を中心として揺動回転する可動弁部４０を設け、可動弁部４０の揺動により開口部を開閉すると共に、回転軸２０を、内部に流体通路を設けたスイベルジョイント構造を採用し、制御流体の制御により可動弁部４０の弁座への圧接分離可能とし、また、回転軸２０をピストンにより駆動可能なラックピニオン機構により揺動回転させる。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって安定した液滴の精度を保つための技術を提供する。
【解決手段】液晶材料吐出装置のノズルの貫通孔２０２内には、ノズル本体２０１の表面を露出させた状態で、吐出口付近と外周側面とを撥液被膜で覆う。撥液被膜は、フッ素樹脂粒子が分散された金属膜にする。液滴がノズルの表面に接触しても拡がらないので、ノズル先端に液溜まりが生じず、吐出不良が生じない。また、貫通孔２０２内に気泡が付着せず、吐出方向不良や異物混入が生じない。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度、成膜圧力、還元ガスの使用量・使用割合等の成膜条件を設定することにより、所望の物性を有する利用範囲の広いＮｉ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 真空槽の中でＳｉ基板を一定温度に保持してニッケルアルキルアミジナート（但し、アルキルは、メチル基、エチル基、ブチル基及びプロピル基から選ばれる。）とＨ_２とＮＨ_３とをこの真空槽内に導入し、ＣＶＤ法でＮｉ膜を形成する方法であって、成膜温度が２８０℃より高く３５０℃以下であること。 （もっと読む）

【課題】探針の交換を、支点を傷めずに、片手でワンタッチで行うことができる触針式表面形状測定器用の探針交換用冶具を提供する。
【解決手段】探針交換用冶具は、触針式表面形状測定器に下方から装着可能なハウジングを備え、ハウジングが測定器に装着された時に、測定器の第一支持部材２に接触して、第一支持部材２を下方から持ち上げて、支点用針５を支点支持面から離間させる押上面２６ａをハウジングに設け、ハウジングに、探針と共に測定器の第二支持部材を取り外す探針交換部材２１を上下方向に移動可能に設け、探針交換部材２１の上端に磁石２２を配置し、ハウジングを下方から測定器に装着した状態において、探針交換部材２１がハウジングに対して最上位置にある時に、磁石２２で第二支持部材の高透磁率部材１７を吸着し、そのままの状態で、探針交換部材２１を下方に下げることにより第二支持部材を第一支持部材２から取り外すように構成する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングによって防着板に堆積した堆積物が、膨張、収縮時の応力が加わっても剥離し難くすることで、チャンバ内のパーティクルの拡散を抑制する。
【解決手段】下部防着板１７は、ターゲットに臨む上面側１７ａが、ステージ１３に近接する位置である内周縁１７ｃから、少なくとも上部防着板の下端１６Ｅに重なる位置まで平坦面３１で構成されている。こうした平坦面３１は、例えば、水平面に対する角度θが５°〜２０°の範囲で、内周縁１７ｃからチャンバ１１の内周面（側壁）１１ａに向かって広がる傾斜面であればよい。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板の表面荒れを低減する方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０に不純物を注入して、注入層７を形成した後、その処理対象物８の表面に、真空雰囲気を４．５Ｐａ以上の圧力に維持しながら、真空雰囲気中に配置されたカーボンターゲットに２５ｍＷ／ｍｍ²以下の電力を投入してスパッタリングしてカーボンキャップ６を形成し、アニール処理をして不純物を活性化させて活性化層１１を形成した後、カーボンキャップ６を除去して処理対象物８の表面を露出させる。カーボンキャップ６の成膜条件が処理対象物８の表面を荒らさない条件なので、表面荒れのない活性化層１１が得られる。 （もっと読む）

【課題】熱伸びせず、耐久性に優れた通電加熱線、通電加熱線の製造方法及びこの通電加熱線を用いた真空処理装置を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る通電加熱線（ＴａＢＮ線２０）は、窒化タンタル線からなる第１の層２１と、第１の層２１の表面を被覆し、例えばホウ化物からなる第２の層２２を有する。すなわち、強度が高く変形が少ない窒化タンタル線の表面を、第２の層が被覆することによって、高温環境下での窒化タンタル線からの脱窒素を抑制でき、耐久性が非常に高い通電加熱線として利用できる。また、このようなＴａＢＮ線２０を用いた真空処理装置は、コストの低減・生産性の向上を図れると同時に、基板成膜時の膜質安定化も期待できる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で高い信頼性の仕切り動作が可能なスライド弁を提供する。
【解決手段】流路となる第１開口部１２ａ及び第２開口部１２ｂとを有する弁箱１０と、第１開口部を閉塞可能な可動弁部４０と、閉開状態を切り替えする位置切り替え手段と、これらを接続する中立弁部３０とを有し、可動弁部が、シール部６１が設けられ中立弁部に位置変更可能に接続される第１可動弁部６０と、シール部に対して付勢する第１付勢部７０と、第１可動弁部６０と摺動可能とされる第２可動弁部５０と、可動弁部の厚み寸法を収縮可能なように駆動する第２付勢部８０と、第１可動弁部を前記中立弁部に対して位置変更可能に流路方向中央位置側に付勢する第３付勢部９０と、回転軸の軸線方向に離間して該回転軸を保持する２以上の軸受と、流体経路リングと、を具備してなることを特徴とするスライド弁。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成される凹部の加工精度を高めることのできるシリコン基板のエッチング方法及び該方法を用いるシリコン基板のエッチング装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板に対してその厚さ方向に延びる凹部を形成する際に、シリコン基板を含む基板Ｓを収容する真空槽１１内に六フッ化硫黄（ＳＦ_６）ガスのプラズマを生成して、該シリコン基板の厚さ方向に延びる凹部を形成する。加えて、真空槽１１内に三フッ化ホウ素（ＢＦ_３）ガスのプラズマを生成して、上記凹部の内壁面にホウ素とシリコンとを含む保護膜を形成する。 （もっと読む）