【課題】ロールツーロール法を用いて長尺状の基材に透明導電膜が形成されてなる被処理体の特性評価を効率よく行うことが可能な被処理体の検査装置を提供する。
【解決手段】本発明の被処理体の検査装置は、ロールツーロール法を用いて、長尺状の基材に透明導電膜が前もって形成されてなる被処理体の検査装置であって、前記透明導電膜のシート抵抗を求める第一手段と、前記透明導電膜のヘイズおよび透過率を求める第二手段と、を少なくとも備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール法により有機薄膜太陽電池を成膜する際に、基材の全面に亘って膜厚を均一に形成することができ、高品質の有機薄膜太陽電池を製造することができ、さらに製造効率を高めること。
【解決手段】本発明の有機薄膜太陽電池の成膜装置は、ロールツーロール法を用いて、長尺状の被処理体に所望の有機薄膜を複数、順に重ねて積層してなる有機薄膜太陽電池の成膜装置であって、前記被処理体に向けて前記有機薄膜の原材料を付着させる塗布手段、前記被処理体に付着した原材料を熱処理する焼成手段、及び、前記有機薄膜の厚さを求める膜厚評価手段を含み、前記塗布手段の後段側に前記焼成手段、前記膜厚評価手段が順に配置されると共に、前記膜厚評価手段により求めた情報に基づき、該膜厚評価手段より前段に位置する前記塗布手段の設定条件を調整する制御手段を付属してなるユニットを備えた、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸着膜を均一な厚みで成膜しつつ、蒸着材料の使用効率および処理効率を向上させることができる電子ビーム蒸着装置を提供する。
【解決手段】上記電子ビーム蒸着装置１０は、チャンバ１１と、搬送機構１２と、容器１７と、マスク１９と、電子ビーム形成機構１５とを具備する。搬送機構１２は、チャンバの内部で基板Ｓを支持する支持部材１３と、支持部材を第１の方向に搬送する駆動源１４とを有する。容器１７は、蒸着材料Ｍを収容する。マスク１９は、支持部材１３と容器１７との間に配置され、支持部材１３に支持された基板Ｓに対する蒸着材料Ｍの成膜領域を規制する。電子ビーム形成機構１５は、電子銃１６を含み、マスク１９側から容器１７側へ向かう第２の方向より、電子ビームｅが容器１７へ入射するビームラインを形成する。 （もっと読む）

【課題】基板に所定のストレスを加える工程が含まれた処理を施す前に、処理中の破壊を生ずる可能性のある基板を事前に見つけ出せるようにした基板事前検査方法を提供する。
【解決手段】基板にストレスを加えるストレス印加工程と、ストレス印加工程で加えたストレスに起因するアコースティック・エミッション現象で基板に発生する弾性波を検出する検出工程とを備え、検出工程で検出した弾性波に基づいて、基板が前記所定のストレスに耐えられるか否かを判断する。前記処理が、基板Ｓを吸着及び加熱するステージ３を備える処理室１で行う処理であって、前記所定のストレスを加える工程が、ステージ３に基板Ｓを吸着した状態で基板を所定の処理温度に加熱する加熱工程である場合、弾性波を検出するセンサ４を設けて、基板Ｓをステージ３に載置した状態で、加熱工程完了前にストレス印加工程及び検出工程を実行する。 （もっと読む）

【課題】シリコン球状体の上の半球部分のみならず下の半球部分にもテクスチャー形状を形成できるシリコン球状体用の加工電極装置及び加工方法を提供する。
【解決手段】電極２上に載置して真空雰囲気内でテクスチャーを加工される加工電極装置は、シリコン球状体１４の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°の角度になるように構成した磁石組み込み電極を有する。加工方法は、前記処理基板に、シリコン球状体の表面に対して、磁力線が少なくとも４５°になるように構成した磁石１２を組み込み、反応性イオンエッチング法により、エッチングガスとしてμテクスチャーを形成する際に反応に寄与するフッ素系ガスと、マスク材をより効率的に形成しテクスチャー形成を促す塩素系ガスと、シリコン球状体の表面を酸化させまたマスク材のポリマーの大きさを制御する酸素ガスとを含むガスを使用して、シリコン球状体の表面に微細なμテクスチャーを加工する。 （もっと読む）

【課題】ボロンを含むガスを用いてプラズマを生成する際に、着火性を安定化させたプラズマ生成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラズマ生成方法は、真空チャンバ内にホウ素を含む第一ガスを導入してプラズマを生成し、被処理体上にホウ素を含む薄膜を形成するステップαを繰り返し行うプラズマ生成方法であって、特定のステップαとその次のステップαとの間に、必要に応じて、窒素又は酸素を含む第二ガスを導入してプラズマを生成するステップβを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】上下方向で基板両面が基板よりも大きい輪郭の処理手段で覆われる場合でも基板とマスクの相対位置を撮像し、基板とマスクを精度よく位置決めでき、ＣＶＤ装置に適用したときでも、膜厚や膜質の面内均一性よく成膜できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１ａ内で基板Ｓに対向配置されるマスクＭと、基板に対してマスクを相対移動させる移動手段６３と、基板上側に配置されて基板の片面に対してマスク越しに所定の処理を施すガス導入部３及び高周波電源５と、基板の他面を覆うように基板下側に配置される本体２１を有して基板の他面側から所定の処理を施す加熱プレート２とを備える。本体２１下側に撮像手段７を設け、本体２１に上下方向の透孔２４ａを形成すると共に透孔内に透光性部材２４ｂを埋め込んで撮像用光路２４を構成し、撮像用光路を通して撮像手段により基板とマスクの相対位置を撮像し、この撮像データを基に移動手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】被処理体の所定領域に注入された、Ｎ型領域を形成する元素のイオンを、アニール処理の前後において被処理体の内部に維持し、所望のキャリア濃度のＮ型領域を形成することを可能とする、半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気とした真空チャンバ内に、シリコンからなる被処理体１０１を配して、該真空チャンバ内に導入した、Ｎ型領域１０６Ｎを形成する元素Ｘを含むガスをプラズマ励起し、励起された該元素Ｘのイオンを、被処理体１０１の所定領域に注入する前工程と、該元素Ｘが注入された被処理体１０１をアニール処理する後工程と、を含み、該前工程と該後工程との間に、該真空チャンバ内に導入した酸素元素を含むガスをプラズマ励起し、励起された該酸素元素のラジカルに、該被処理体１０１の所定領域を曝露する工程を、さらに備えてなることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】グリッド加熱用の電源等を備えることなく、所定の感度を維持し得る高寿命かつ低コストの質量分析計用のイオン源を提供する。
【解決手段】フィラメント５２及びグリッド５１を備えてガスをイオン化する質量分析計用のイオン源５においては、グリッドが筒状の輪郭を有し、このグリッド内にフィラメントが挿設されている。この場合において、フィラメントは、その挿入方向の前端がグリッドの母線方向の中点Ｍｐより挿入方向後側に位置するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で、しかも、省スペース化を図ることができ、その上、試験体内に残留する酸素のみを効率よく検出することができるようにした低コストの酸素検出計を提供する。
【解決手段】本発明の酸素検出計Ｍは、金属製でその表面が酸化物膜で被覆されたフィラメント１と、グリッド２と、フィラメントに直流電流を流すフィラメント用の電源Ｅ１と、フィラメントより高い電位をグリッドに与えるグリッド用の電源Ｅ２とを備える。フィラメント用の電源によりフィラメントに通電してこのフィラメントを点灯させて熱電子を放出させ、前記フィラメントとグリッドとの間でのエミッション電流を測定する検出手段３を更に備える。そして、検出手段で測定したエミッション電流から酸素（濃度）を検出する。 （もっと読む）