【課題】安全性の検証作業が容易なフェールセーフＡＮＤゲートを提供することを目的とする。
【解決手段】全ての入力端子に論理値１の論理入力信号が入力したときのみ論理値１に相当する交流信号を発生し、回路故障時に交流信号が発生しないフェールセーフＡＮＤゲートであって、入力端子に論理値１の論理入力信号が入力したときに前段から入力する交流信号を後段へ伝達する交流信号伝達部１〜４を、入力側と出力側が電気的に絶縁されたフォトカプラＰＣ２〜ＰＣ３を介して従続接続し、全ての入力端子ａ〜ｄに論理値１の論理入力信号が入力したときのみ初段の交流信号伝達部１の交流信号が最終段の交流信号伝達部４まで順次伝達されて論理値１に相当する交流信号を発生し、回路故障時に最終段の交流信号伝達部４から交流信号が発生しない構成とした。 （もっと読む）

【課題】基板と格子整合し、キュリー温度Ｔｃが室温であるＩＩ−ＩＶ−Ｖ_２族化合物磁性半導体材料で量子井戸層あるいは強磁性電極を構成した磁性半導体素子を提供する。
【解決手段】
磁性半導体素子１０は、ＩｎＰからなる基板１１と、Ｍｎが添加されたＺｎＳｎＡｓ_２からなりかつ基板１１の上に結晶成長された量子井戸層１３と、ＩｎＡｌＡｓ及び／又はＩｎＧａＡｓからなり基板１１の上に結晶成長されかつ量子井戸層１３を挟持する一組の障壁層１２，１４と、を備える。障壁層１２，１４にＩｎＡｌＡｓを採用した場合、Ａｌ組成は０．４３〜０．５３％であることが好ましくは、ＩｎＧａＡｓを採用した場合、Ｇａ組成が０．４２〜０．５２％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】有機溶媒に対する溶解性が優れ、しかも簡単な工程により低コストで製造することのできる新規なナフタロシアニン化合物、並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】1,6,10,15,19,24,28,33-オクタペンチルオキシ-3,4,12,13,21,22,30,31-オクタ(4'-フルオロフェニル)-37H,39H-ナフタロシアニン等のナフタロシアニン化合物。該化合物は、6，7-ジ（4'-フルオロフェニル）-1,4-ジペンチルオキシ-2,3-ジシアノナフタレン等の２，３−ジシアノナフタレン誘導体を、金属リチウムの存在下に有機溶媒中で加熱することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】簡単な操作により効率良く低コストで水・油エマルションを分離することができ、しかも耐用期間の長い水・油エマルション分離装置を提供する。
【解決手段】水・油エマルションを収容する分離槽、前記分離槽の壁面に設置した少なくとも１個の超音波発振手段を具備する水・油エマルション分離装置において、前記超音波発振手段から発振された超音波の反射波が直接前記超音波発振手段に戻らないことを特徴とする水・油エマルション分離装置。 （もっと読む）

【課題】各種の炭化水素基等により、２，３−ジシアノナフタレン環の５〜８−位が置換された、新規な５，６，７，８−テトラ置換−１，４−ジアルコキシ−５，８−エポキシ−２,３−ジシアノ−５，８−ジヒドロナフタレン誘導体（１）、及びその製造方法の提供。
【解決手段】フラン化合物を、金属マグネシウムの存在下に、２，３−ジシアノベンゼン誘導体と反応させてナフタレン誘導体（１）を得る。
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【課題】５，６，７，８−テトラ置換−１，４−ジアルコキシ−２，３−ジシアノ−ナフタレン誘導体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】下記の式（１）で表される５，６，７，８−テトラ置換−１，４−ジアルコキシ−２，３−ジシアノ−ナフタレン誘導体：


（式中、Ｒ^１，Ｒ^４は各独立して、Ｈ又は−Ｃ_６Ｈ_４Ｒ^７で表される基を表し、Ｒ^２，Ｒ^３はナフチル基又は−Ｃ_６Ｈ_４Ｒ^７で表される基を表す。ここで、Ｒ^７はＨ、Ｆ、ＯＣＨ_３から選択された基を表す。また、Ｒ^５およびＲ⁶は各独立して炭素数１〜１２のアルキル基を表す。） （もっと読む）

【課題】低ダメージで低コストなレジストの除去方法及び除去装置を提供する。
【解決手段】基板上の有機物を除去するための有機物の除去方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることにより生成したＨ_２Ｏガスを触媒反応部から噴出させ、噴出したＨ_２Ｏガスにより基板上の有機物を除去することを特徴とする有機物の除去方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ラッピング加工済みラップ剤からラッピング砥粒を再利用可能な状態で効率的に回収するための装置及び方法を提供する。
【解決手段】
使用済みラップ剤７は、ラップ屑９と少なくとも一種類の砥粒８を含む。ラップ剤７を回収するためのラップ剤分離装置１０は、基台１１と、基台１１に一端が枢支された傾斜板１２と、基台１１の背面に取り付けられた超音波振動子１５ａを有した超音波振動装置１５と、を備える。基台１１の表面には弾性体シート１３がさらに貼付される。ラップ剤７の固体成分であるラップ屑９と砥粒８との混合物１６が、弾性体シート１３上に載置され、超音波振動装置１５を用いて傾斜板１２と混合物１６とを加振される。加振時の周波数は、混合物１６を構成する一の物質の物性値及び寸法から算出された共振周波数である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板及び半導体膜の形成された基板における基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面に形成されたシリコン膜の膜質を改善するための基板処理方法であって、触媒反応部内に、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを導入し、Ｈ_２ガスとＯ_２ガス又はＨ_２Ｏ_２ガスを触媒と接触させることによりＨ_２Ｏガスを生成し、Ｈ_２Ｏガスをシリコン膜に対し噴出させることにより、シリコン膜の膜質を改善することを特徴とする基板処理方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】超音波振動装置によって適切な周波数を付与しながら成形体の離型を行う離型装置を提供する。
【解決手段】
離型装置１は、パンチ２と、金型３と、突き出し機構４と、超音波振動子５ａを有した超音波振動装置５と、を備える。金型３には、例えば金属粉末６が充填されかつパンチ２によって金属粉末６が押し固められる金型内空間が設けられている。突き出し機構４は、金型３に設けられた貫通孔３ｃに挿通された突き出し部４ａによって金型内空間３ａから金属粉末６を外方に突き出す。超音波振動子５ａは、金型３の外壁部３ｄに取り付けられ、超音波振動装置５の周波数は、金型３の共振周波数である。また、超音波振動装置５の周波数が既定値であった場合には、金型３は、金型３の共振周波数が超音波振動装置５の既定周波数になるように金型３が設計変更される。 （もっと読む）