本発明は、ポリマー、強酸を発生できる化合物、任意に及び架橋剤を含む、架橋可能な下層膜用組成物であって、前記ポリマーが少なくとも一つの吸収性発色団と、エポキシ基、脂肪族ヒドロキシ基及びこれらの混合物から選択される少なくとも一つの要素とを含む、前記組成物に関する。
本発明は更に、前記下層膜用組成物に像を形成する方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、三つもしくはそれ以上の縮合した芳香族環を有する少なくとも一つの単位をポリマーの主鎖中に及び脂肪族部分を有する少なくとも一つの単位をポリマーの主鎖中に含むポリマーを含む、スピンコート可能な有機系反射防止膜組成物に関する。本発明は更に、この組成物に像を形成する方法にも関する。
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本発明は、反射防止コーティング組成物に関する。 （もっと読む）

本発明は、構造（１）のラクタム基を含むポリマーを含む、フォトレジストパターンを被覆するための水性コーティング組成物に関する。


式中、Ｒ_１は独立して水素、Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル、Ｃ_１〜Ｃ_６アルキルアルコール、ヒドロキシ（ＯＨ）、アミン（ＮＨ_２）、カルボン酸及びアミド（ＣＯＮＨ_２）から選択され、


は、ポリマーへの結合を表し、
ｍは１〜６であり、そしてｎは１〜４である。
また本発明は、微細電子デバイスの製造方法にも関する。
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本発明は、少なくとも一つのＳｉ−ＯＨ基及び少なくとも一つのＳｉ−ＯＲ基（Ｒは、水素以外の要素である）を含むシロキサンポリマーの製造方法であって、一つもしくはそれ以上のシラン反応体を、水／アルコール混合物中または一つもしくはそれ以上のアルコール中のいずれかで加水分解触媒の存在下に一緒に反応させてシロキサンポリマーを生成し、そしてこのシロキサンポリマーを、水／アルコール混合物または一種もしくはそれ以上のアルコールから分離することを含む前記方法に関する。 （もっと読む）

少なくとも一つのＳｉ−ＯＨ基及び少なくとも一つのＳｉ−ＯＲ基（Ｒは、反応性官能基を持つかもしくは持たない縮合安定化基である）を有するシロキサンポリマーを含むポリマーであって、前記シロキサンポリマーが、溶剤中に入れた際に、４０℃で一週間老化した後にＧＰＣで測定して重量平均分子量の増加分が５０％以下である、前記ポリマー。 （もっと読む）

本発明は、フォトレジスト層の下に架橋された被膜を形成することができる反射防止膜用組成物であって、ケイ素ポリマーを含み、ここでこのケイ素ポリマーが以下の構造１


［式中、Ｒ_１はＣ_１〜Ｃ_４アルキルから選択される］
を有する少なくとも一種の単位を含む、前記反射防止膜用組成物に関する。また本発明は、この組成物に像を形成する方法にも関する。 （もっと読む）

本発明は、（ａ）少なくとも一つの以下の式に示される繰り返し単位を有するポリマー


ここでＲ^１は、非加水分解性基であり、ｎは１〜３の整数である；及び（ｂ）架橋触媒を含む組成物に関する。当該組成物は、低誘電率（low-k dielectric constant）材料、並びにフォトリソグラフィ工業のための反射防止性を有するハードマスク及びアンダーレイヤー材料を形成するのに有用である。
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本願は、ａ） 酸不安定性基を含むポリマー； ｂ） （ｉ）、（ｉｉ）及びこれらの混合物から選択される化合物［ここで（ｉ）はＡｉＸｉＢｉであり、そして（ｉｉ）はＡｉＸｉ１である］及びｃ） 式ＡｉＸｉ２の化合物の化合物を含む組成物に関する。ここで、Ａｉ、Ｂｉ、Ｘｉ、Ｘｉ１、及びＸｉ２は本明細書で定義される。該組成物は、半導体工業に有用である。 （もっと読む）

本発明は、次式を有するポリマーに関する。
【化１】


式中、Ｒ_３０、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_３３、Ｒ_４０、Ｒ_４１、Ｒ_４２、ｊｊ、ｋｋ、ｍｍ、及びｎｎは明細書に記載の通りである。これらの化合物は、フォトレジスト組成物の調製に有用である。
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