説明

エイゼット・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・コーポレイションにより出願された特許

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本発明は、次式を有するポリマーに関する。
【化1】


式中、R30、R31、R32、R33、R40、R41、R42、jj、kk、mm、及びnnは明細書に記載の通りである。これらの化合物は、フォトレジスト組成物の調製に有用である。
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本発明は、ケイ素に基づく反射防止膜/ハードマスク層を除去するための組成物及び方法に関する。 (もっと読む)


本発明は、新規の底面反射防止膜組成物に関し、当該組成物から形成された層はエッチングプレート温度により制御できるエッチング速度を有する。 (もっと読む)


本発明は、式AiXiBiの化合物に関する。式中、Ai及びBiは、それぞれ独立して、有機オニウムカチオンであり; Xiは式S−CFCFOCFCF−SOのアニオンである。これらの化合物は、光活性材料として有用である。
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本発明は、次式の化合物であって、
AiXi
ここで、Aiは有機オニウムカチオンであり;並びに、
XiはX−CFCFOCFCF−SO ̄のアニオンである化合物に関する。
化合物は光活性化合物として使用できる。
ここで、Aiは、化学式(I)およびY−Arから選択され、
ここで、Arは化学式(II)、ナフチル、または、アントリルから選択され;
Yは、化学式(III)、(IV)および(V)から選択される。

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【課題】
架橋可能なポリマー、高分子架橋剤および熱酸発生剤を含む吸収性反射防止コーティング組成物、ならびに反射防止コーティング組成物を使用して画像を形成する方法を提供する。
【解決手段】
(i) 熱酸発生剤;
(ii) 芳香族基を少なくとも1つ含む架橋可能なポリマー; および、
(iii) 構造 (6)の少なくとも1つの単位を含む高分子架橋剤、
【化1】


(式中、R11〜R13は、独立にH、(C1- C6)アルキルおよび芳香族基から選択し、ならびに、R14およびR15は、独立に(C1-C10)アルキルである)
を含む反射防止コーティング組成物。また、本発明の反射防止コーティング組成物を撮像する方法。 (もっと読む)


本出願は、次式を有する光活性材料に関する。
【化1】


式中、C1+は特定のカチオンであり; そしてR30、R31、R32、R33、R34、R35、R36、R37、R38、R39、R40、及びR41は、水素、アルキル、一つもしくはそれ以上のO原子を含むかもしくは含まないアルキル鎖、ハライド、アリール、アラルキル、アルコキシアルキル、シクロアルキル、ヒドロキシル、及びアルコキシから選択され、前記のアルキル、一つもしくはそれ以上のO原子を含むかもしくは含まないアルキル鎖、アリール、アラルキル、アルコキシアルキル、シクロアルキル、及びアルコキシ基は、置換されいないかまたは置換されている。
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本発明は、ポリマー、架橋性化合物及び熱酸発生剤を含む、フォトレジスト用スピンオン反射防止膜組成物であって、上記ポリマーが、フォトレジストの像の形成に使用する露光放射線において1.8に等しいかまたはこれを超える値まで反射防止膜組成物の屈折率を高めることができる少なくとも一種の官能性部、及びフォトレジストの像の形成に使用する露光放射線を吸収することができる官能性部を含む、前記反射防止膜組成物に関する。本発明は更に、本発明の反射防止膜に像を形成する方法にも関する。
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本発明は、ポリマー、架橋剤及び酸発生剤を含む、フォトレジスト層用の反射防止膜組成物であって、前記ポリマーが、以下の構造1
【化1】


[式中、Aは非芳香族連結部であり、
R'及びR''は、独立して、水素、Z及びW−OHから選択され、ここでZは(C1〜C20)ヒドロカルビル部分であり、そしてWは(C1〜C20)ヒドロカルビル連結部であり、そして
Y'は、独立して(C1〜C20)ヒドロカルビル連結部である]
で表される少なくとも一種の単位を含む、前記反射防止膜組成物に関する。また、本発明は、該反射防止膜組成物を像形成する方法にも関する。
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(a) 共有結合、イオン結合及び水素結合からなる群から選択される一つまたはそれ以上の相互作用が可能な一種またはそれ以上の官能基を含むポリマー; 及び(b) 加熱されると、共有結合、イオン結合及び水素結合からなる群から選択される一つまたはそれ以上の相互作用が可能な構成部分に解離する熱酸発生剤を含む、ガスの発生が減少した反射防止膜組成物が開示される。 (もっと読む)


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