【課題】フッ酸、硝酸等の腐食性洗浄液、ハロゲン系、塩素系等の腐食性ガスに対する耐食性に優れ、パーティクルの発生がない耐久性に優れた半導体製造装置用治具を提供する。
【解決の手段】半導体製造装置治具の石英ガラス基材を任意の表面粗さ、表面性状となるように表面加工を施した後、更にその面を硬質皮膜であるダイヤモンド・ライク・カーボン膜（ＤＬＣ）で被覆する。ＤＬＣ膜の厚さが０．５μｍ以上、フッ酸耐久性が０．００５μｍ／ｈｒ以下、６００℃における熱酸化速度が０．１μｍ／ｈｒ以下、密着力が９５／１００個以上、表面粗さが石英ガラス基材の表面粗さに倣った表面粗さとしてそのまま半導体製造装置用治具の表面性状として形成され、ハロゲン化物ガス及び／又はそのプラズマに対する耐食性が高く、パーティクルの発塵を抑制し、耐久性に優れている。 （もっと読む）

【課題】表面の損傷がなく、高精度な石英ガラス部材を効率よく製造するとともに製造後の部材の取り扱いを容易にし、加工コストを低減させる。
【解決手段】表面を鏡面加工した石英ガラス基板１をレーザー加工台に貼り付け、基板１の表層又は内部に焦点を結ばせてレーザービームを照射し、焦点を製品の輪郭に沿って移動させて切断加工する。輪郭全周を切断せずに基板１の一部を未切断として製品を基板１につけた状態とする。石英ガラス基板に製品が繋がった状態のまま移送、研磨、洗浄、検査、保管をおこない、必要時に製品を取り出す。 （もっと読む）

【課題】複数の穴を有するマイクロプレート用部材及びマイクロプレートを低価格で製造し、マイクロプレート用部材の光学的特性を目的に応じて調整できるようにする。
【解決手段】アルカリ金属等の不純物がいずれも５０ｐｐｍ以下の球状シリカガラス粉末にアクリル樹脂系バインダーを加え、シリカガラス粉末を７７重量％として混練した。得られた混練物をシート化し、粉砕してフレーク状としたものを射出成形機で複数の穴２を有する成形体を形成し、真空雰囲気で１３００℃まで２００℃／ｈで昇温して焼結してマイクロプレート用部材１を得た。マイクロプレート用部材１の底面を研磨して鏡面とし、石英ガラス製のガラス板を底板３として密着させ、１３００℃で熱融着してマイクロプレート４を得た。 （もっと読む）

【課題】二酸化珪素基材の表面に深さ方向に不連続な窒化珪素層を形成する。
【解決手段】窒素ガスを固体電解質型酸素ポンプによって酸素分圧を１×１０^-28ａｔｍとして反応炉２に充填して炉内を極低酸素分圧雰囲気とした。高純度二酸化珪素質材料を反応炉２内にセットし、温度１０００℃に加熱して二酸化珪素質基材表面から酸素を解離させると共に窒素と結合させ、二酸化珪素質材料の表面に深さ方向に不連続な窒化珪素層を形成した。ＸＰＳ（Ｘ線電子分光分析装置）を使用して表面及び深さ方向の分析をＳｉ−Ｎの結合に着目して実施したところ、表面において検出された窒素は、深さ１０ｎｍで消失し、深さ４７０ｎｍから５４０ｎｍの厚さ７０ｎｍの層に窒素の存在が認められた。 （もっと読む）

【課題】効率よく、研磨の仕上がり品質も常に一定なガラス板の研磨方法と装置を提供する。
【解決手段】水平回転する研磨盤を複数台並設し、その上方部で水平方向に円弧状で無端ループ状に延設する軌道支持体９の走行レール７に装着した台車１０を走行させることによって、ガラス板を吸着した上部定盤１８を搬送し、研磨盤の上方部に停止させ、台車が停止した状態で上部定盤を研磨盤上に降下させて回転中の研磨盤に圧接するとともに、上部定盤を水平往復動させて、研磨盤の回転と上部定盤の水平往復動、加えて降下押圧とによりガラス板の研磨盤との当接面を研磨し、一定時間研磨した後、上部定盤を上昇させ、次いで、台車を走行させることによって上部定盤を搬送し、次の研磨盤の上方部に停止させ、前記と同じ操作を繰り返すことによって並設した研磨盤上に順次上部定盤を移動させて研磨するガラス板の研磨方法と研磨装置。 （もっと読む）

【課題】表面加工をすることなく石英ガラス表面を粗面化する。
【解決手段】合成シリカ粉２を粉砕して４０μｍ以下の粒度とし、寒天、水を加えてスラリーを形成し、このスラリーを石英ガラス板１の表面に塗布してコーティング層３を形成した。３０℃で乾燥させて水分を蒸発させ、乾燥後、脱脂及び焼結をおこなって合成シリカ粉２の突起が残った状態で石英ガラス板１に融着させて粗面化層４を形成した。酸水素火炎によって表面を焼き仕上げし、純度の高い粗面化層で被覆された石英ガラスを得た。 （もっと読む）

【課題】低密度で高い機械的強度を有し、かつ表面平滑性に優れた石英ガラスの断熱・構造材を提供する。
【解決手段】高純度四塩化珪素を酸素・水素混合炎中で加熱して加水分解させて径が０．１〜０．５μｍのシリカ微粒子からなる嵩比重が０．３×１０³Ｋｇ／ｍ³の多孔質体を得た。この多孔質体を石英ガラス製炉芯管を装着した横型管状炉内にセットし、一酸化炭素ガス及び窒素ガスの混合ガスを流通させ、１１００℃まで昇温させた後、６０℃／時間の昇温速度で１２８０℃まで昇温させ、その温度で１２時間保持し、その後冷却した。得られた焼結体の白色度は９８％以上で均一であり、嵩密度は１．０９×１０³Ｋｇ／ｍ³、４点曲げ強度が平均で５０ＭＰａであった。 （もっと読む）

【課題】電熱線等の発熱体を流路に設けることなく、マイクロチップ自体が局所的に発熱する。
【解決手段】透明石英ガラス板を研磨した基板１にウエットエッチングで溝２を形成し、その両端部には流路の出入口となる穴３を機械加工によって形成した。
透明石英ガラス板を溝２の幅及び長さにあわせてくり抜き、ＳｉＣを含有する黒色石英ガラスの細板２０を嵌め込み、電気炉で融着してカバー４を形成した。基板１にカバー４を熱溶着接合して外形寸法流路を有するマイクロチップ１０を作製した。室温の水を毎秒１０ｍｍの流速で流しながら、７５Ｗのハロゲンランプをマイクロチップに照射したところ、出口の水温は定常状態で８０℃となった。 （もっと読む）

【課題】研磨加工の手間の負担が小さく、平滑で長寿命の非晶質マイクロチップベースプレート及びマイクロチップ、並びにそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】球状の石英ガラス粉末にアクリル樹脂系バインダーを加え、石英ガラス粉末を７７重量％として混合し、加熱ニーダーを用いて１４０℃で１時間混練した。混練物をシート化し、粉砕してフレーク状とし、射出成形機で表面に流路となる溝２を形成した成形体１０を形成した。この成形体１０を大気中で５００℃まで１０℃／ｈで昇温し、５００℃に２時間保持して脱脂し、脱脂体を、真空雰囲気で１３００℃まで２００℃／ｈで昇温し、１３００℃に２時間保持して透光性のマイクロチップベースプレート１を得、石英ガラス製のカバー３を密着させ、１３００℃で熱融着してマイクロチップ４を得た。 （もっと読む）

【課題】反応容器に反応ガスを導入・排出する開口体に設けた貫通孔による反応容器外部への影響を低減し、反応容器内の雰囲気を均一化する。
【解決の手段】密閉反応容器の反応ガスの出入り口に設けた開口体２の貫通孔２１が円形に配列されており、中心軸に対して傾斜させてあり、開口体２を通じて反応容器内に生じた反応の影響が外部に伝達されるのが阻止される。貫通孔２１が複数同心円上に対称にかつ垂直軸に対して傾斜して形成してあるので、開口体を通過したガスは渦流となり、反応容器内の雰囲気を均一化する。 （もっと読む）