【課題】プラズマ環境での使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材は、基材と、基材上に形成された純度９９．９％以上の酸化ガドリニウム皮膜と、を備える。酸化イットリウム（Ｙ_２Ｏ_３）より高耐プラズマ材料の酸化ガドリニウム（Ｇｄ_２Ｏ_３）で形成された皮膜を備えていることで、プラズマ環境で使用されても、パーティクルの発生を抑制することができ、長期間の使用が可能となる。また、純度９９．９％以上の酸化ガドリニウム皮膜により基材が被覆されているため、プラズマ環境で使用されたときに発生するパーティクルがさらに低減される。 （もっと読む）

【課題】基材から皮膜が剥離するのを防止するとともに、表面層が消失した場合でも高い耐食性を維持できる耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材１は、基材２と、表面に形成される表面層４と、基材２上、かつ基材２と表面層４との中間に形成され、実質的に酸化ガドリニウムからなる中間層３と、を備えることを特徴としている。基材２上に中間層３として酸化ガドリニウム皮膜を設けることにより、中間層３の基材２からの剥離を防止することができる。さらに、表面層４が消失した場合であっても酸化ガドリニウムからなる中間層３が高い耐食性を有するため、消失部分からパーティクルが発生しにくい。その結果、長期間の使用が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供する。
【解決手段】 半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、ゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜と、酸化ガドリニウムゾルゲル膜上に溶射法によって形成された溶射皮膜で形成された耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】局所的に腐食された部材を修理することにより、耐食性を損なうことなく、長期間の製品寿命を維持できる耐食性部材を提供する。
【解決手段】耐食性部材１は、基材２と、基材２上に形成された第一の酸化物皮膜３と、第一の酸化物皮膜３とは別種の材料により、基材２上に形成された第二の酸化物皮膜４と、を備える。このように耐食性部材１では、基材２が２種類の酸化物皮膜で被覆されている。たとえば、プラズマ環境で使用された部材の部分的に腐食された箇所を高耐プラズマ性の材料で被覆し修理することで本発明の耐食性部材１が作製される。その結果、修理された耐食性部材１は、長期間の使用が可能となる。また、第二の酸化物皮膜４を部分的に被覆することができるため、リコート回数を低減させ耐食性部材１を長期間使用することができる。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系腐食ガスおよびハロゲン系ガスプラズマでの使用により発生するパーティクルを低減する耐食性部材を提供すること
【解決手段】半導体製造装置内、フラットパネルディスプレイ製造装置内または太陽電池製造装置内の様なハロゲン系腐食ガスまたはハロゲン系ガスプラズマ等に曝される面が、溶射法によって形成された溶射皮膜と、溶射皮膜上にゾルゲル法によって形成された酸化ガドリニウムゾルゲル膜で形成された耐食性部材とする。 （もっと読む）

【課題】加圧浸透法により金属−セラミックス複合材料を得るための高強度の多孔体を提供し、クラックやメタルリッチ層、浸透不良が生じず、低コストで剛性の高い金属-セラミックス複合材料の作製を可能とする。
【解決手段】加圧浸透法によりアルミニウムまたはアルミニウム合金を浸透させて金属−セラミックス複合材料を得るための炭化ケイ素を主成分とする多孔体であって、炭化ケイ素の充填率が６０％以上であり、Ｓｉとカーボンが反応してなる反応焼結炭化ケイ素が、炭化ケイ素全体の５〜１０質量％を占めることを特徴とする多孔体。 （もっと読む）

【課題】セラミックスの内部に埋設された電極と給電端子とを確実に接続でき、電極の形状精度に優れたセラミックス部材を提供する。
【解決手段】セラミックス焼結体からなる本体と、セラミックス焼結体の内部に埋設された電極と、該電極に給電するための給電端子と、セラミックス焼結体の内部に埋設され、該電極と給電端子とを接続するための塊状金属と、を備えたセラミックス部材であって、前記塊状金属は、一部が前記本体の表面に表出した表出部を有する楕円体であって、前記表出部は、その全面が給電端子により覆われて接続されたことを特徴とするセラミックス部材。 （もっと読む）

【課題】副トーチの部品点数を少なくし、副トーチ全体の簡素化、小型化を図るとともに、プラズマ及びプラズマ炎の直進性、安定性を向上させ、プラズマ出力を増加させる。
【解決手段】陰極及び陽極並びにプラズマガス供給手段を有する主トーチ１と副トーチ２からなる複合トーチ型プラズマ発生装置において、副トーチ２、３９が、主トーチ軸芯を中心として放射線上に複数個設けられ、各副トーチ２，３９の陽極１０Ａ、４０は、外套１１、４１により囲まれており、外套１１，４１の内壁には、陰極が設けられている。 （もっと読む）

【課題】接合後の位置ズレが小さく、また、接合強度及び気密性が高く、中空部を有する場合でも中空部の寸法精度に優れた接合体が得られる炭化珪素焼結体の接合方法を提供する。
【解決手段】第一の炭化珪素焼結体１１と第二の炭化珪素焼結体１２とが金属珪素からなる接合層１４を介して接合された炭化珪素接合体であって、
前記第一の炭化珪素焼結体１１は、金属珪素層１３が形成される接合面１１ａを有し、前記第二の炭化珪素焼結体は、前記金属珪素層と当接する接合面１１ｂを有し、前記第一及び第二の炭化珪素焼結体の各接合面は、いずれも表面粗さＲａ０．６μｍ以下であって、前記金属珪素層が熱処理されてなる接合層１４を介して接合されたことを特徴とする炭化珪素接合体。 （もっと読む）

【課題】ハロゲンガスに対する耐食性に優れ、かつ体積抵抗率が制御された半導体製造装置等の部材として好適なセラミックス溶射膜を提供する。
【解決手段】主成分がＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３から成るスピネル質のセラミックス溶射膜であって、ＭｇＯとＡｌ_２Ｏ_３の質量比（ＭｇＯ／Ａｌ_２Ｏ_３）が０．２５〜１．５であり、体積抵抗率が１×１０^８〜１×１０^１４Ωｃｍ、スピネル結晶の格子定数がａ＝８．０８４Å以上であることを特徴とするセラミックス溶射膜。 （もっと読む）