【課題】半導体基板の搬送・搬入が容易なパッド搬送機構の提供。
【解決手段】吸着パッド下面に基板密着層３ａを設けた基板搬送パッドを備えるパッド搬送機構３であって、前記基板密着層３ａがこの基板密着層に貼着される基板表面と基板密着層との剥離力（ＪＩＳ Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダーから基板を取り剥がすことが容易な基板ホルダーの提供。
【解決手段】回転軸１５に軸承された剛体製基台１１の表面に粘着剤層１２を介して基板密着層１４を表面に設けた基材フィルムを積層した基板ホルダーであって、前記基板密着層１４がこの基板密着層に貼着される基板ｗ表面と基板密着層１４との剥離力（ＪＩＳ Ｋ−６８５４に準拠）が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記基板密着層表面から基板を平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成されていることを特徴とする基板ホルダー１。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの取替え交換が容易な研磨定盤の提供。
【解決手段】回転軸１６に軸承された剛体製基台１１の表面に密着層１５を介して研磨パッド１２が貼着された構造の基板用の研磨定盤１である。密着層１５は剛体製基台表面と密着層との剥離力が１０ｍＮ／１２．７ｍｍ幅以下で、前記剛体製基台表面から研磨パッドを密着層と供に平行にずらす剪断力が１．０Ｎ／ｃｍ^２以上であるポリオルガノシロキサン系シリコーン樹脂層で形成される。 （もっと読む）

【課題】スループット時間が短く、フットプリントがコンパクトな角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置を提供する。
【解決手段】インデックス型ロータリーテーブル２にサーボモータ３ｍによりセンター軸を回転させる主軸台３ｒの４台と心押台３ｆの４台よりなるクランプ機構３を同一円周上に等間隔にかつ、縦方向に４基設け、この４基のクランプ機構の位置でインデックス型ロータリーテーブル２上のワークピースｗ位置を、ローディング／仕上げ研削砥石を用いるコーナー部仕上げ研削加工／アンローディングステージ（ｓ_１）と、一対のカップホイール型砥石を用いる両側面同時平面研削加工ステージ（ｓ_２）と、粗研削砥石を用いるコーナー部粗研削加工ステージ（ｓ_３）と、一対のカップホイール型砥石を用いる両側面同時平面仕上げ研削加工ステージ（ｓ_４）の四つの研削加工ステージに区分けしたインゴットの面取り加工装置１。 （もっと読む）

【課題】スループット時間が短く、フットプリントがコンパクトな角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置を提供する。
【解決手段】インデックス型ロータリーテーブル２にサーボモータ３ｍによりセンター軸を回転させる主軸台３ｒの４台と心押台３ｆの４台よりなるクランプ機構３を同一円周上に等間隔にかつ、縦方向に４基設け、この４基のクランプ機構の位置でインデックス型ロータリーテーブル２上のワークピースｗ位置を、ローディング／粗研削砥石を用いるコーナー部粗研削加工／アンローディングステージ（ｓ_１）と、一対のカップホイール型砥石を用いる両側面同時平面研削加工ステージ（ｓ_２）と、仕上げ研削砥石を用いるコーナー部仕上げ研削加工ステージ（ｓ_３）と、一対のカップホイール型砥石を用いる両側面同時平面仕上げ研削加工ステージ（ｓ_４）の四つの研削加工ステージに区分けしたインゴットの面取り加工装置１。 （もっと読む）

【課題】研磨加工中の積層ウエーハのリテーナリング外方への飛び出しを防止する。

【解決手段】基板保持ヘッド１の円盤状キャリア５に保持されたウエーハｗを研磨プラテンの研磨布に押圧し、回転するウエーハを回転する研磨布に摺擦させてウエーハ面を研磨加工する際、前記ウエーハがリテーナリング６内より外方へ飛び出さない高さ位置であって、ウエーハ下面の高さ位置よりリテーナリング下面高さ位置が常に上方に位置するようコントローラの制御により圧空を第三流体通路溝１１ａ内に供給する。 （もっと読む）

【課題】スループット時間が短く、フットプリントがコンパクトな角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置を提供する。
【解決手段】４周辺をスライス加工し、四円弧隅部が残された角柱状シリコンインゴット（ｗ）を、クランプ機構(3)で立て方向に固定（ｓ_１）し、Ａ）カップホイール型砥石(4f)を用いて四円弧隅部を粗研削加工により面取りを行う（ｓ_２）。Ｂ）カップホイール型砥石(5f)を用いて四側面平面を研削加工により面取りを行う（ｓ_３）。Ｃ）円筒状砥石(6f)の外周面を用い、前記粗研削加工された四円弧隅部を仕上げ研削加工により面取りを行う（ｓ_４）。および、Ｄ）研磨ブラシ(7f)を用いて前記研削加工された四側面平面を仕上げ研磨加工により面取りを行う（ｓ_５）。角柱状シリコンインゴットの１本の面取りスループット時間は、律速工程のコーナー部円弧粗研削ステージ（ｓ_２）でのＲ部面取り粗研削加工時間とインデックス型ロータリーテーブル(2)の72度回転に要する数秒の和である。 （もっと読む）

【課題】フットプリントが小さく、スループット時間が短いシリコンインゴットの面取り加工装置の提供。

【解決手段】インデックス型ロータリーテーブル(2)に主軸台(3ar)の５台と心押台(3af)５台よりなる５基のクランプ装置(3)を縦方向に同一円周上に且つ等間隔に設けてインデックス型ロータリーテーブル(2)上をワークピースのローディング／アンローディングステージ（ｓ₁）、ワークピースのコーナー部円弧粗研削ステージ（ｓ_２）、ワークピースの両側平面粗研削ステージ（ｓ_３）、ワークピースのコーナー部円弧仕上げ研削ステージ（ｓ_４）およびワークピースの両側平面仕上げ研削ステージ（ｓ_５）位置に区分けした面取り加工装置。 （もっと読む）

【課題】スループット時間が短く、フットプリントがコンパクトな角柱状シリコンインゴットの面取り加工装置を提供する。
【解決手段】インデックス型ロータリーテーブル(2)上に主軸台と心押台を縦方向に、且つ、同心円上に等間隔に４対設けたクランプ機構(3,3,3,3）によりインデックス型ロータリーテーブル(2)をローディング／アンローディングステージ（ｓ₁）、ワークピースのコーナー部円弧粗研削ステージ（ｓ_２）、ワークピースの両側平面研削ステージ（ｓ_３）およびワークピースのＲ面取り仕上げ研削ステージ（ｓ_４）に画分けした面取り加工装置。角柱状シリコンインゴットの面取りスループット時間は、律速工程の両側平面研削ステージ（ｓ_３）での四側平面取り加工時間とインデックス型ロータリーテーブル(2)の90度回転に要する約１０秒の和である。 （もっと読む）

【課題】後加工工程の加工ステージに積層ウエーハが移送される際に行われる積層ウエーハの芯出しも容易である積層ウエーハのエッジ面取り方法の提供。
【解決手段】外周面厚みが０．３〜１．５ｍｍの円筒砥石車１２を用い、積層ウエーハｗの下段ベースウエーハｗ_２の１枚の厚みの１／３〜１／２の厚みおよび上段の研削加工されるウエーハｗ_１の厚みの１／２を越え絶縁層厚みを１０μｍ以上残す分の積層ウエーハのエッジ部およびベベル部厚みを面取り加工する。 （もっと読む）