【課題】ＦＤＭエンクロージャ内の圧力に関連させて、マッフルドア内部の圧力を管理する。
【解決手段】ＦＤＭエンクロージャ６０の内部に配置された成形本体２からガラスリボン８を延伸し、エンクロージャ６０の内部に配置されかつ成形本体２に面しているマッフルドア筐体２０に、リボン８の局部厚さを制御するため流体を送出する。筐体２０に流体を送出する際には、筐体２０の内部に出口２４を有する複数の管２３を通して流体源３０から流体を送出する。筐体内の位置２５での第１圧力よりも、筐体の外側近傍でありかつエンクロージャ内でもある第２位置６５での第２圧力が高くなるように、第１圧力および第２圧力を維持する。この維持の際には、第１圧力を減少させるように、筐体２０から出て行く流体の流れを管理する。さらに、リボン８からガラスシートを切り離す。 （もっと読む）

【課題】フュージョンドロープロセス中に成形本体の熱環境を効果的に制御する。
【解決手段】第１側面加熱プレート２０３、上部プレート２０５、第２側面加熱プレート２０７、によって画成されたエンクロージャ内部に収容された成形本体２０１において、成形本体２０１の第１側面表面２０２を第１側面加熱プレート２０３により加熱し、第２側面表面２０４を第２側面加熱プレート２０７により加熱する。第１側面加熱プレート２０３背後の加熱素子からなる第１アレイおよび第２側面加熱プレート２０７背後の加熱素子からなる第２アレイの中の、不具合のある加熱素子の加熱電力が閾値まで減少した場合に、この不具合のある加熱素子に隣接する機能している加熱素子の加熱電力を増加させるように第１および第２アレイの加熱素子の加熱電力を制御し、側面表面のある部分と、側面表面のこの部分の下のバルクとの間に望ましくない温度勾配が生じないようにする。 （もっと読む）

【課題】 酸化物分散強化型貴金属からなる二片を互いに溶接してなる溶接物において、溶接接合部を強化する。
【解決手段】 第１の酸化物分散強化型白金または白金合金部分１０１および第２の酸化物分散強化型白金または白金合金部分１０３を提供する。溶接棒２０１として白金含有溶接材料を提供する。白金含有溶接材料により、第１の白金または白金合金部分１０１を第２の白金または白金合金部分１０３に溶接する。この溶接工程において、第１と第２の部分１０１，１０３よりも高いレベルで、Ｚｒ、ＺｒＯ₂およびロジウムからなる群より選択される成分を少なくとも１種類含む白金または白金合金溶接ビード２０５を形成する。溶接ビード２０５が、第１と第２の部分１０１，１０３よりも高いレベルでＺｒＯ₂を含むことが好ましい。 （もっと読む）

半導体材料物品を製造かつ／または処理するための方法が開示されている。さまざまな方法において、第１の半導体材料物品が提供され、この第１の半導体材料物品は、半導体材料を溶融させるのに充分なほどに加熱され、溶融した半導体材料は、溶融した半導体材料物品の最短寸法に対し実質的に平行な方向で固化される。本明細書中に記載された方法によって製造される半導体材料物品も同様に開示されている。
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【課題】 溶融ガラスの自由表面におけるかつその上方の雰囲気を制御する装置を提供する。
【解決手段】 自由表面１１４を有する溶融ガラス１１３を保持するチャンバ１０１は、ベローズ４、封止リング１０およびカバー３０、５０を有する。ベローズ４はチャンバ１０１に結合され、かつ封止リング１０はベローズ４に結合される。封止リング１０は、雰囲気供給管１４、電気リード、差圧センサ１６、熱電対、酸素センサおよび／または予備ポート１８を含む、チャンバ１０１の動作に関連する１つ以上の機器を有することができる。封止リング１０は、内径を有する上部開口部をさらに有する。カバー３０は、封止リング１０に取外し可能に結合され、封止リング上部開口部内径の上に延在し、封止リング１０はカバー３０とチャンバ１０１との間に配置される。カバー３０は様々な別個に取外し可能な部分を有することができる。 （もっと読む）

【課題】 脆性材料にベント亀裂を形成する方法において、冷却段階において、一貫性をもたらす。
【解決手段】 脆性材料の表面を所定の経路に沿ってレーザで加熱する。脆性材料の加熱された表面を、ノズル２４により分配された冷却液２２のコヒーレント流２８で冷却する。このコヒーレント流２８は、５０ｍｍ以上のコヒーレント長および約７０マイクロメートルから約２００マイクロメートルまでの範囲の直径を有する。ノズル２４の開口３０と脆性材料の表面との間の作業距離はコヒーレント流２８のコヒーレント長より短い。冷却液２２のコヒーレント流２８は、円対称の開口を有する末広ノズルまたは真っ直ぐな壁の円筒の孔を有するノズルにより形成されてもよい。 （もっと読む）

複数の前駆体及びインジウム表面賦活剤を用いて１つ以上のｎ型層またはｐ型層を多重量子井戸(ＭＱＷ)サブアセンブリに重ねて形成するため、ＭＱＷサブアセンブリが低温気相成長プロセスにかけられる、光電発光半導体素子を作製する方法が提供される。前駆体及びインジウム表面賦活剤は１つ以上のキャリアガスを用いてそれぞれの流量で気相成長プロセスに導入され、キャリアガスの少なくとも１つはＨ_２を含む。インジウム表面賦活剤は低温気相成長プロセス中に形成されるｐ型層の結晶品質を向上させるに十分な量のインジウムを含み、それぞれの前駆体の流量及びキャリアガスのＨ_２含有量はｎ型層またはｐ型層内のインジウム表面賦活剤からのインジウムのモル分率をほぼ１％未満に維持するように選ばれる。別の実施形態において、低温気相成長プロセスは低温Ｔ_Ｇにおいて実行され、ここで、Ｔ_Ｇ≦Ｔ_Ｂ±５％であり、Ｔ_ＢはＭＱＷ障壁層成長温度である。他の実施形態も開示され、特許請求される。
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半導体材料の物品の製造方法には、その物品のための目標厚さを選択するステップと次に、鋳型の外部表面上に半導体材料の固体層を形成するために有効な潜没時間だけ溶融半導体材料中に鋳型を潜没させるステップとが関与し、ここで固体層の厚さは目標厚さと実質的に等しい。潜没時間は、鋳型の組成、鋳型の厚さおよび初期鋳型温度を含めた特定の属性を有する鋳型のための固体層厚さと潜没時間の関係のプロットから決定される遷移時間に実質的に等しくなるように選択される。遷移時間ひいては潜没時間は、特定の鋳型のための固体層厚さ対潜没時間の曲線における固体層厚さの最大値に対応する。
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【課題】
溶融ジルコニア溶融容器を使用するフュージョン法を用いて生産される板ガラスのジルコニアに基づく欠陥のレベルを低減する。
【解決手段】
ジルコニア溶融ユニットを用いるフュージョン法によって生産される板ガラスにおける欠陥の形成を抑制する方法が提供される。本方法は、清澄容器、清澄容器と攪拌チャンバの間の接続管、及び攪拌チャンバを通過するガラスの温度プロファイルを調節して、ガラス内に拡散するジルコニアの量と、攪拌チャンバにおいて溶液から生じる二次的ジルコニアに基づく欠陥の量の両方を最小限に抑える工程を有してなる。 （もっと読む）

光ファイバプリフォームを作製する方法及び装置。(ｉ)複数本のロッドを装置の内部キャビティ内に配置し、(ii)内部キャビティ内のロッドと内壁の間に微粒ガラス材料を装填し、(iii)微粒ガラス材料に圧力を印加して複数本のロッドに対し微粒ガラス材料を圧縮する。
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