コーニング インコーポレイテッドにより出願された特許
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非接触ダンサー機構、ウェブ分離装置、及びその使用方法
【課題】 脆弱材料ウェブの製造及び処理において、上流プロセスから下流プロセスにウェブを搬送するための新たな機構を提供する。
【解決手段】 脆弱材料ウェブ200を搬送するための機構であって、案内レール108及び案内レール108上に位置調整可能に設けられた位置可変ウェブ支持プレナム104を有する非接触ダンサー機構102を提供する。位置可変ウェブ支持プレナム104は脆弱材料ウェブ200を上方に離間支持することにより、脆弱材料ウェブ200の機械的接触及び損傷を防止するための流体を放出する複数の流体孔103を有する弓形外表面107を備えることができる。位置可変ウェブ支持プレナム104の案内レール108上の重量の少なくとも一部を支持する支持プレナム平衡錘110を位置可変ウェブ支持プレナムに104に機械的に接続できる。
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単分子層を用いた光散乱無機基板
例えば太陽電池に有用な、単分子層を含む光散乱無機基板および単分子層を含む光散乱無機基板の製造方法が本明細書に開示される。本方法は、少なくとも1つの表面を備えた無機基板を提供し、前記無機基板の少なくとも1つの表面に接着剤を塗布し、前記接着剤に無機粒子を施用してコーティング基板を形成し、前記コーティング基板を加熱して前記光散乱無機基板を形成する、各工程を含む。
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透明高分子材のレーザ溶接
透明高分子材層を、初めに、フェムト秒、ピコ秒またはナノ秒のファイバパルスレーザを用いて透明高分子材に高コントラストのマークを形成し、次いで高コントラストマークの領域に局所溶接部を形成することにより、レーザ溶着接合するための方法が開示される。そのような溶接部は複数の透明高分子材層に形成することができる。溶接部を作製するためのシステム及びこの方法にしたがって溶着接合されたパーツも開示される。
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マイクロプレート取り付けシステム及び検出方法
本発明は、光学式読取装置に対してマイクロプレートを取り付けて、マイクロプレートにおける問合わせビームの入射角度を制御するマイクロプレート取り付けシステムであり、マイクロプレートの底部及びスカートの一方又は双方に係合する少なくとも一組の取り付け機構要素を有する基準平面と、第1の位置決め機構とを含み、第1の位置決め機構は、マイクロプレートの底部及び/又はスカートと少なくとも一組の取り付け機構要素との間の係合を通じて、z方向においてマイクロプレートの相対的位置決めを可逆的に制御することによりマイクロプレートにおける問合わせビームの入射角度を制御するために、マイクロプレートの底部により形成された平面と読取装置との間にz方向に可逆的に所定の離隔距離を提供する。 (もっと読む)
ガラスリボンに使用するための低振れエッジローラ
ガラスリボン(20)用のエッジローラ(26)が開示され、このローラのベアリングアセンブリ(50)の振れ発生部分を、リボンエッジの内側に、例えばリボンのエッジ部分(34)上に位置付ける。この位置により、従来のエッジローラ構造で生じていた振れの増幅が低減される。この増幅をなくすことにより、リボン表面での振れを、例えば1〜3mmから0.05〜0.15mmへと低減することができる。リボンエッジの内側の高温に耐えるため、エッジローラアセンブリはガスベアリングまたはセラミックベアリングを採用してもよい。
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カゼインキナーゼII(CK2)阻害剤に関する方法及びプリノソーム破壊型CK2阻害剤の抗癌治療剤としての使用
生細胞内で多酵素複合体変調剤を分類するためのラベルフリーバイオセンサー細胞アッセイに関する方法が開示される。プリノソーム破壊型カゼインキナーゼII(CK2)阻害剤の同定に関する方法と、CK2活性及びプリン合成経路を変調するため、及び、CK2と関連する癌、ウイルス感染症及び炎症疾患の予防及び治療の改善のための治療剤としてのプリノソーム破壊型CK2阻害剤の使用に関する方法とが開示される。
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高解像度無標識撮像
読み取り装置の改良された空間分解能を有する光学読み取りシステムを有する装置及び標識非依存検出のための方法が記載されている。システムは、45°より大きい入射角(θ1)でマイクロプレート上のセンサに対してインターロゲーションを行い、接触されたセンサから受信した画像を画像記録装置で記録する光学的構成を含み、画像記録装置が反射ビームに対して約5゜よりも大きい反射角(θ2)で配向されている。
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大有効面積無Geコアファイバ
光導波路ファイバは、(i)波長1550nmにおいて100μm2から160μm2の有効面積及び12≦α≦200のα値を有する無Geコア(12)、コアは−(a)中心線から径方向に外側に半径r0まで拡がり、純シリカに対して測定される、%単位の相対屈折率%プロファイル,Δ0(r)を有する中心コア領域(14)、ここで、−0.1%≦Δ0(r)≦0.1%であり、中央コア領域は最大相対屈折率%,Δ0最大を有する、(b)中央コア領域を囲んで中央コア領域に直接に接し、外半径r1まで拡がり、4.8μm≦r1≦10μmであって、純シリカに対して測定される、%単位の相対屈折率%プロファイル,Δ1(r)及び最小相対屈折率を有しており、半径r=2.5μmで測定される相対屈折率が−0.15≦Δ1(r=2.5μm)<0及びΔ0最大>Δ1(r=2.5μm)である、第1の環状コア領域(16)、及び(c)第1の環状コア領域を囲んで第1の環状コア領域に直接に接し、半径12μm<r2<30μmまで拡がり、純シリカに対して測定される、%単位の負の相対屈折率%プロファイル,Δ2(r)を有し、Δ2最小<Δ1(r=2.5μm)及び−0.5%<Δ2最小<−0.27%である最小相対屈折率%,Δ2最小を有する、フッ素がドープされた第2の環状コア領域(18)−を有する、及び(ii)コアを囲み、純シリカに対して測定される、%単位の相対屈折率%プロファイル,ΔC(r)を有し、ΔC(r)=Δ2最小±0.3%である、クラッド層を有する。光ファイバの相対屈折率プロファイルは波長1550nmにおいて0.175dB/kmをこえない減衰を与えるように選ばれる。
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光ファイバ
発明の一例にしたがえば、光ファイバは、(i)Alドープシリカを含むが、ErまたはYbは実質的に含まない、第1の屈折率n1を有するコア、(ii)コアを囲む、n1>n2であるような、第2の屈折率n2を有する、少なくとも1つのFドープシリカ系クラッド層であって、実質的にSiO2及び0.25〜5重量%のFを含むクラッド層、(iii)クラッド層を囲む気密炭素系コーティングであって、厚さが200〜1000Åである気密コーティング、及び(iv)気密コーティングを囲む第2のコーティングであって、厚さが5μmから80μmである第2のコーティング、を有する。
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ガラスリボンを融合延伸するための装置および方法
ガラスリボンを融合延伸するための装置が、下流方向に沿って合流して底部を形成する1対の下方傾斜成形面部分を有する、成形用ウェッジを含む。この装置は、1対の下方傾斜成形面部分のうちの少なくとも一方と交わっているエッジ誘導部材、エッジ誘導部材と接触している溶融ガラスの接触面を加熱するよう構成された加熱装置、およびガラスリボンの、エッジ誘導部材を離れて流れてきた部分から熱を奪うよう構成された冷却装置、をさらに含む。エッジ誘導部材と接触している溶融ガラスの接触面を加熱し、かつガラスリボンの、エッジ誘導部材を離れて流れてきた部分から熱を奪うための方法がさらに提供される。
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