説明

インフィネオン テクノロジーズ アーゲーにより出願された特許

51 - 60 / 331


【課題】正確に、高い信頼性で、費用効果的に、半導体基板を所望の厚みまで薄化し、後に行われる半導体基板の分割を単に薄層を機械的に断絶することによって、費用効果的かつ高い信頼性で行うことが出来る。
【解決手段】半導体基板10を分割する方法は、半導体基板10を設ける工程を含んでいる。当該半導体基板10の正面に、少なくとも1つの分離トレンチ15が製造される。当該少なくとも1つの分離トレンチ15の底部には、少なくとも1つの層20が製造される。上記半導体基板10は、上記半導体基板10の背面において、少なくとも、上記少なくとも1つの分離トレンチ15の上記底部における上記層20まで薄化される。上記層20は切断されて、上記半導体基板10が個々の断片に分割される。 (もっと読む)


【課題】1つの基板の種々のチップの同時検査を、改善された経済性を伴って可能にすること。
【解決手段】本発明は第2の基板(111)上に第1の基板(100)のチップ(102〜110)を配置する方法に関する。本方法においては、チップが少なくとも第1のチップ(102)と第2のチップ(103)とにグループ分けされ、第1の基板(100)の第1のチップ(102)が個別化され、個別化された第1のチップ(102)は、第1のチップの各々(102)が第2の基板(111)上において第1の基板(100)上に属する第1のチップ(102)に一義的に割り当てられるように、一致して第2の基板(111)上に配置される。 (もっと読む)


【課題】無線電気通信機器、無線通信機器における受信品質の測定方法、およびシグナリング方法を提供する。
【解決手段】無線通信機器は、無線信号を受信するように構成された受信機と、受信した上記無線信号の受信品質を測定するように構成された測定回路と、(1)受信帯域幅シグナリングメッセージ、(2)暗黙的なシグナリング、(3)ブラインド・デコーデング、の当該(1)〜(3)のうちの少なくとも1つのメカニズムを用いて、第1の周波数帯域幅を決定するように構成された決定回路とを有する。無線通信機器は、さらに、第1の周波数帯域幅を用いて第1の測定がおこなわれ、第1の受信品質が決定されるように、上記測定回路を制御するように構成されたコントローラを備えることができる。 (もっと読む)


【課題】マルチドメインネットワーク内において信号を調整する方法を提供する。
【解決手段】マルチドメインネットワークの一ネットワークドメイン内において、当該マルチドメインネットワークの他のネットワークドメインの他のノードに起因する干渉を受ける少なくとも1つのノードが識別され、上記一ネットワークドメインにグローバル信号が供給され、これによって、当該ネットワークドメイン内のドメイン信号を調整し、上記他のノードからの干渉を制限する。 (もっと読む)


【課題】湾曲しにくく、放熱効率のよい基板、およびパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】パワー半導体モジュール1が開示されている。一実施形態は、複数の金属層11、12、13と複数のセラミック層21、22とを有する多層基板3を備えている。セラミック層は、金属層間に配置されている。パワー半導体モジュール1はヒートシンク9に多層基板3を前方にして直接押しつけることができる。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイスの温度サイクル(TC)信頼性試験において、金属線がチップ表面からリフトオフされてチップが剥がれてしまわない固定用構造及び嵌合構造を提供する。
【解決手段】半導体デバイスの金属構造210のための固定用構造は、オーバーハング形状の側壁230を少なくとも1つ含んだ固定用凹部構造220を含んでいる。上記金属構造210は、少なくとも部分的に上記固定用凹部構造220内に配置されている。 (もっと読む)


本発明の実施形態は、全般的に通信装置、およびデータ送信方法に関する。本発明の実施形態において、通信装置が設けられる。前記通信装置は、第1のアクセス方式に基づいて信号伝送を行うことにより、前記第1のアクセス方式に基づいて符号化されたユーザーデータを送信する第1のアクセス方式回路と、前記第1のアクセス方式とは異なる第2のアクセス方式に基づいて信号伝送を行うことにより、前記第1のアクセス方式に基づいて符号化された制御データを送信するとともに前記第2のアクセス方式に基づいて符号化された制御データを送信する第2のアクセス方式回路と、を備えている。
(もっと読む)


【課題】キャパシタの製造時にプラグ酸化を防止する方法を提供する。
【解決手段】強誘電体コンデンサ装置は、基板5と、上記基板を貫通するプラグ4と、上記基板上に形成された電気絶縁層6と、上記電気絶縁層上に形成された第1の電極8と、上記第1の電極上に形成された誘電体層10と、上記誘電体層上に形成された第2の電極12とを備え、上記第1の電極は、上記電気絶縁層を貫通して、プラグに電気接続されており、上記電気接続部分の上に層間絶縁膜34が形成されている。 (もっと読む)


【課題】キャリア基板に配置された接点アレイと、当該接点アレイに導電的に接続された半導体チップ接続接点とを有するチップモジュールを提供する。
【解決手段】チップ11表面および当該チップ表面2とは反対側に位置する接点アレイ表面3を有するキャリア基板1と、上記キャリア基板の上記チップ表面に固定されていると共に少なくとも1つのチップ接続接点9を有するチップと、上記接点アレイ表面上に形成された少なくとも1つの接点アレイ4と、上記接点アレイ表面と上記チップ表面との間に位置する上記キャリア基板内に形成された少なくとも1つのスルーホール6と、上記スルーホール内に挿入された安定剤7とを含んでいる、チップモジュール。 (もっと読む)


【課題】半導体チップと基板との間の半田接続部の位置が一致したまま、ずれることのないようにする製造プロセスを提供する。
【解決手段】基板3は、半田付け可能な表面領域4を有しており、当該半田付け可能な表面領域4上には、半田層が配置される。当該半田層には、上記半導体チップの裏面10が固定される。上記半田層は、繰り返し溶解可能かつ耐真空性の半田材料6を含んでいる。上記半田接続部1を製造するためには、まずボンディングプロセスによって、上記表面領域上に上記半導体チップ2が固定される。次に、空隙を含まない半田層を達成するために、溶融状態にある上記半田層を有する、ボンディングされた半田接続部1が、真空半田付け炉内において真空引きされる。 (もっと読む)


51 - 60 / 331