【課題】半導体パワーエレクトロニクス分野において、極端な動作条件の下であっても半導体デバイスの破損を防止できるように、保護メカニズムを有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】側法方向に延びる第１電極３と第２電極５との間に形成される半導体基板１であって、第１電極３に隣接している少なくとも１つの第１半導体領域６をゆうする半導体基板１と、背面側のエミッタとして用いられる第２半導体領域７の上に、島として形成された、該第２半導体領域７の導電型とは逆の導電型の第３半導体領域１０が配置されている、第２半導体領域７近傍の方向に電界を低減するために、半導体基板内の、該第２半導体領域７から間隔を空けている電界停止領域１１を有する半導体素子。 （もっと読む）

【課題】本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦｉｎＦＥＴ、若しくはメモリーデバイスにおけるゲートを作製するにあたり、半導体基板上に、(予め)決定された移動度、リーク、及び／又はＥＯＴ(酸化膜換算膜厚)の仕様を満たす誘電体材料からなる少なくとも一層を成長させ、
上記ゲート電極を形成する前に、上記少なくとも一層の誘電体層とゲート電極との間の界面に、ランタンハフニウム酸化物材料を含む若しくはこれからなる、好ましくはＬａ_２Ｈｆ_２Ｏ_７からなる界面層を成長させ、上記界面層に接触する誘電体材料からなる少なくとも一層を、上記界面層材料と相違させることを特徴とする。
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。その製造方法、及びその応用も提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、様々なトランジスタタイプの金属ゲート電極の実効仕事関数及び閾値電圧を、簡便で、再生可能でまた効率的な方法で制御することができるＭＯＳＦＥＴデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＭＯＳＦＥＴ、ＦｉｎＦＥＴ、若しくはメモリーデバイスにおけるゲートを作製するにあたり、半導体基板上に、(予め)決定された移動度、リーク、及び／又はＥＯＴ(酸化膜換算膜厚)の仕様を満たす誘電体材料からなる少なくとも一層を成長させ、
上記ゲート電極を形成する前に、上記少なくとも一層の誘電体層とゲート電極との間の界面に、ランタンハフニウム酸化物材料を含む若しくはこれからなる、好ましくはＬａ_２Ｈｆ_２Ｏ_７からなる界面層を成長させ、上記界面層に接触する誘電体材料からなる少なくとも一層を、上記界面層材料と相違させることを特徴とする。
金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。その製造方法、及びその応用も提供する。 （もっと読む）

【課題】チップモジュールおよびチップカードがそれぞれ、機械的、熱的な応力に対してより頑強であるチップモジュールまたはチップカードのそれぞれ、および、それらの製造方法を提供する。
【解決手段】チップモジュールは、チップ上面２と上記チップ上面２の反対側の接触上面３とを有する基材１と、上記基材１のチップ上面２に取り付けられたチップ８と、上記基材１の上記接触上面３に形成された接触バンク４と、上記基材１に形成された少なくとも１つの通路６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】システム・オン・チップ装置のような電気回路に適した、入力信号のＤＣレベルの変化に感受性がない、改善した入力バッファ増幅器を提供する。
【解決手段】入力バッファ増幅器は、シングルエンド入力部と、差動出力部とを含む。この入力端子は、２つのトランジスタＴ_１およびＴ_２を含む第１差動段２と、２つのトランジスタＴ_３およびＴ_４を含む第２差動段３とに接続されている。該第１差動段２および第２差動段３は、例えば、電流ミラー１０および２０のような、第１および第２の負荷に、さらに接続されている。これらの負荷は、出力端子ＯＵＴ_ＰおよびＯＵＴ_Ｎにおいて差動出力を供給するために、接続されている。入力信号は、バイアス回路４に接続されていて、その基準電圧Ｖｒｅｆは、該入力信号のＤＣレベルに追従する。 （もっと読む）

【課題】事故が発生した場合、その事故がどのように発生したのかを事故後に分析するために、点火素子に流れた電流に関する情報を入手する。
【解決手段】駆動回路は、点火素子３０を接続するための少なくとも１つの点火素子端子３１，３２と、この少なくとも１つの点火素子端子に結合された、制御可能な電流または電圧源１０と、少なくとも１つの検出素子２０を有したセンサ部とを備えている。この検出素子は、上記電流または電圧源と上記少なくとも１つの点火素子端子との間の電流路内に配置されているか、あるいはその電流路に隣接して配置されている。上記検出素子はまた、上記電流または電圧源と上記点火素子との間を流れる電流に、間接的または直接的に依存して変色するように設計されたセンサ材料を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高い通電容量を有するように設計された電流接続素子を備えた半導体モジュールを提供する。
【解決手段】電流接続素子１００は、互いに直接接するように載置された複数の金属層１、２、３からなり、モジュールの外部Ａに備えられた外部接続部１１１、およびモジュール内部Ｉにおいて、少なくとも１つの配線または回路キャリア１３０、１３１あるいは他のチップ１３２に接続するための、少なくとも１つのモジュール内部接触部１０１、１０２、１０３を備えている。外部からおよび熱膨張の結果として作用する機械力の分断を実現するために、この電流接続素子１００は、外部接続部１１１およびモジュール内部接触部または接触部群１０１、１０２、１０３の間に、変形可能な拡張補正屈曲部Ｄを有している。 （もっと読む）

【課題】局部的に適合された、又は所定の層厚特性を有する層の製造方法の提供。
【解決手段】ａ）少なくとも１つの層（７）を基板上に形成する。ｂ）形成された層のための除去形状を決定する。ｃ）層（７）がイオンビームの場所において除去特性に応じて、局部的にエッチングされるように、少なくとも１本のイオンビーム（９）を層の上に少なくとも１度行う。その結果、局部的に適合された、または、所定の層厚特性を有する層ができる。 （もっと読む）

【課題】電子電力回路における電流温度測定方法、および、電流温度測定装置を提供する。
【解決手段】電流／温度測定方法では、電子電力回路における寄生構成要素Ｒ１、Ｒ２（例えば、３相変換器におけるハーフブリッジ回路（ＨＢ））が用いられる。初めに、該寄生構成要素Ｒ１、Ｒ２から不正確に得られた測定値を、該構成要素の電流／温度依存性または電圧依存性に関して、製造工程（例えば、電子電力回路での電気系最終検査）中に補償する。動作中に行われる評価工程は、互いに線形に独立している２つの測定と、評価ユニットＡＥでの適切な算術演算とを用いて、センサ構成要素Ｒ１、Ｒ２の温度または電流依存性を補償する工程を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ボンディングホール内での封止材の層間剥離による破損を防止する。
【解決手段】スマートカードモジュールには、基板上面と基板下面とを有する基板と、該基板下面に配置されたコンタクトアレイと、該基板上面に配置された、ビアを含む導体構造とが、備えられている。該ビアは、基板を貫通して設けられ、コンタクトアレイに接続されている。該導体構造に接続された接続接触部を有するチップが、基板上面または導体構造上の、チップを実装するための手段を用いて実装されている。該チップと、該導体構造の少なくとも一部と、該基板上面との上には、該チップを封止するための封止部が形成されている。 （もっと読む）