説明

インフィネオン テクノロジーズ アーゲーにより出願された特許

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【課題】半導体チップと基板との間の接着材層の厚さを均一にするチップ取り付け装置とチップ取り付け方法。
【解決手段】ピックアップアーム10は、コレット15、ボール16、およびロッド17を有しており、ロッド17は、その下方に配置されたボール16に接続され、ボール16は、その下に設けられた回転可能なチップ受容部材としてのコレット15に接続されている。コレット15は基本的には点を中心として回転し、半導体チップ11と基板13との間の傾斜を補償する事により、半導体チップ11と基板13との間に配置されている接着剤層12の厚さを均一とする簡素な半導体チップ11取り付け方法を提供する。 (もっと読む)


証明書を提供するための通信端末機器は、要求する通信機器から、照合を求める要求とユーザを表す情報を求める要求とを含む第1のメッセージを受信するように構成されたアプリケーションを有することが可能である。上記アプリケーションはさらに、上記要求する通信機器に向けて、上記要求に対する応答を含む照合を有する応答メッセージを生成するように構成されており、上記照合は、信頼されたエンティティの秘密鍵を用いてデジタル署名される。
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【課題】必要とされるオーバヘッドは適度でありながら、レイテンシへほとんど影響を及ぼすことのない誤り保護機能を具備した伝送方法を提供する。
【解決手段】データ伝送方法は、インタリーブされたインタリーブデータを生成する工程を含んでいる。上記方法は、上記インタリーブデータを変調信号に変換する工程と、上記変調信号を伝送する工程とをさらに含んでいる。上記インタリーブデータはまた、例えばバッファ内に記憶される。上記方法は、上記変調信号の再伝送が必要であるか否かを判別する工程と、当該判断の結果に基づいて、上記インタリーブデータを再伝送する工程とをさらに含んでいる。 (もっと読む)


【課題】物理的寸法を微細化するとともに、3値以上の多値を記憶できるようにすることによって、相変化材料からなる抵抗メモリを高密度化する。
【解決手段】メモリは、第1のバイポーラトランジスタと、第1のビット線と、上記第1のバイポーラトランジスタのコレクタと上記第1のビット線との間に結合されている第1の抵抗メモリ素子とを備えている。上記メモリは、第2のビット線と、上記第1のバイポーラトランジスタのエミッタと上記第2のビット線との間に結合されている第2の抵抗メモリ素子と、上記第1のバイポーラトランジスタのベースに結合されているワード線とを備えている。 (もっと読む)


【課題】パワー半導体モジュールのはんだ付け部の接続信頼性を向上させるパワー半導体モジュール、その製造法及び半導体チップを提供する。
【解決手段】銅含有第1のはんだ付け母材、接続層214、14、114、および、銅含有第2のはんだ付け母材は、連続的に配置されて、固定して互いに接続されている。上記接続層は、少なくとも90重量%の金属間化合物銅錫相の一部を有する。2つの上記はんだ付け母材と、これら2つのはんだ付け母材の間に配置されたはんだとを、所定の圧力で互いに加圧しあい該はんだを溶融させる。所定の時間が終了した後、この液状のはんだから拡散された銅および錫が、金属間化合物銅錫相を含む接続層を形成する。該接続層の一部は、上記はんだ層から生成された接続層の少なくとも90重量%である。 (もっと読む)


【課題】最適の自己タイミング信号を得るダミーコアセルの提供。
【解決手段】第1インバータおよび第2インバータを含むビット線ダミーコアセルに関するものであり、該第1インバータおよび第2インバータは、クロスカップルされて双安定フリップフロップを形成する。上記第1インバータは、高基準電位と低基準電位との間で第1内部記憶ノードによって直列接続された、第1PMOSトランジスタおよび第1NMOSトランジスタを含む。上記第2インバータは、第2内部記憶ノードによって直列接続された第2PMOSトランジスタおよび第2NMOSトランジスタを含む。上記第2PMOSトランジスタのソースと上記第2内部記憶ノードとは、上記低基準電位に接続されているので、上記第1内部記憶ノードは常に高レベルの論理値を記憶することができる。 (もっと読む)


【課題】高い逆電圧で動作可能なパワー半導体モジュールを提供する。
【解決手段】冷却素子上に実装するパワー半導体モジュールは、部品5、6、7が実装された少なくとも1つの基板2と、モジュール筐体とを有している。モジュール筐体は、少なくとも1つの基板2を少なくとも部分的に取り囲んでいる。モジュール筐体は、上記冷却素子に面している第1の面と、少なくとも1の開口部を有しているとともにパワー半導体モジュールから離れている表面を有する第2の面とを含む、互いに向かい合う複数の面を有している。上記1つ以上の開口部それぞれは、内部コンタクト16、17、18によって密封された境界を有しており、また、1つ以上の部品5、6、7に電気的に接続されている。上記内部コンタクトは、上記モジュール筐体の第2の面の上記表面を超えずに延びるように、モジュール筐体から突出している。 (もっと読む)


【課題】柔軟にプログラムでき、様々な遠隔制御機器を遠隔制御するために用いることができるリモートコントローラを提供する。
【解決手段】リモートコントローラは、リモートコントローラコンフィギュレーションデータ要求メッセージを生成し、リモートコントローラコンフィギュレーションデータ生成ユニットに送信する。この要求メッセージを受信したリモートコントローラコンフィギュレーションデータ生成ユニットは、少なくとも1つのコンフィギュレーションデータを生成し、リモートコントローラコンフィギュレーションデータ応答メッセージとしてりモートコントローラに返送する。この応答メッセージを受信したリモートコントローラは、リモートコントローラコンフィギュレーションデータ応答メッセージから少なくとも1つのコンフィギュレーションデータを決定してメモリに記憶し、少なくとも1つのコンフィギュレーションデータに基づき設定を行う。 (もっと読む)


【課題】コーナ・ラウンディングを低減する計測システム、計測方法、及びマスク変更、リソグラフィプロセスを提供する。
【解決手段】複数のコーナ・ラウンディングのテストパターンが形成されたマスクを準備し、第1の半導体デバイスの感光材料層を、上記マスクおよびリソグラフィプロセスを用いて複数のコーナ・ラウンディングのテストフィーチャにパターン化する。リソグラフィプロセスのコーナ・ラウンディング量を、半導体デバイスの感光材料層に形成された、複数のコーナ・ラウンディングのテストフィーチャを、他の複数のコーナ・ラウンディングのテストフィーチャと測定、比較して解析する。上記リソグラフィプロセスあるいは上記マスクを、測定されたコーナ・ラウンディング量に応じて変更し、第2の半導体デバイスを準備する。第2の半導体デバイスを、変更されたリソグラフィプロセスあるいは変更されたマスクを用いて加工する。 (もっと読む)


【課題】移動体通信用送信装置において、出力信号の電力の正確な設定を可能にする回路構造、製造方法、回路構造の使用、出力信号の設定方法および方法を実施するコンピュータプログラムを提供する。
【解決手段】回路構造は、乗算手段11を含む信号処理部5と、調整部50とを備えている。信号処理部5は、アナログ出力信号Soutを得るために、入力信号Sinを処理する。調整部50は、信号処理部5に接続されており、アナログ出力信号Soutを調整するために、アナログ出力信号Soutに応じたデジタル調整信号Sdrを生成し乗算手段11の制御入力部に供給する。 (もっと読む)


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