【課題】試料上のパターンの方向に依存せず大きなＭＴＦ改善効果が得られ、改善効果の強弱をＭＴＦ改善効果の等方性を保ったままで切り換えられるようにする。
【解決手段】照明系と結像系の光路の分離に無偏光ビームスプリッタ２００を用い、偏光子１４とλ／４板１７を組み合わせて円偏光照明することで試料１上のパターンの方位によらないＭＴＦ特性を得る。無偏光ビームスプリッタ直後の結像系に部分偏光子２２を置き、高次回折光を最大の効率で取り込むと共に０次光の透過効率を調節して高域のＭＴＦを改善する。 （もっと読む）

【課題】 走査型電子顕微鏡において、焦点位置を的確に検出することができる手段を提供することにある。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡装置において、偏向制御系によって電子ビームを走査させながら同時に焦点制御系によって焦点位置を変化させる。サンプルの表面における電子ビームの焦点の位置の原点からのずれは、焦点位置のずれに対応しているから、焦点位置を容易に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】加重平均処理およびパターンマッチングを行なう画像処理において、ランダムノイズが含まれている撮影画像（被サーチ画像）の撮影回数を減らしても、良好なパターンマッチング結果を得られる画像処理方法及び装置を実現する。
【解決手段】ランダムノイズが含まれる撮影画像の中から目的のパターンを認識するために、撮影画像を複数取得（１A-１L）して、その画像のマッチング候補像２A-2Lに加重平均処理を施し、加重平均処理された画像２´とテンプレート画像３とをパターンマッチングする。上記加重平均処理を行う場合に、加重平均処理を補助するための画像５（５A−５M）としてテンプレート画像３と同じパターンを含む画像を用意する。加重平均処理は、前記マッチング候補画像に加重平均補助用の画像も加えることにより行われる。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、キャピラリ末端端面から放出される複数の波長成分を、高感度で検出することに関する。
【解決手段】
本発明は、２次元状に配置されたキャピラリ末端端面から放出される複数波長を２次元検出器により検出する電気泳動装置において、色収差補正機構を備えることに関する。例えば、複数のキャピラリ端の構成する平面を集光レンズの光軸に対して斜めとし、複数波長の結像面を同一面上とする。また、例えば、キャピラリ末端端面から放出される複数波長光を、複数波長に対応して厚さの異なる透明部材中を透過させ、複数波長の結像面を同一面上とする。本発明により、色収差の影響を低減でき、光検出感度を高め、クロストークを低下できる。 （もっと読む）

【課題】 ＡｒＦレジストマスク対応の低誘電率膜（Ｌｏｗ−ｋ膜、ＳｉＯＣＨ）において、ＡｒＦレジストダメージを発生せず、高選択比で高精度なエッチングを実現可能な処理条件を提供する。
【解決の手段】 プラズマを生成し試料に高周波電圧を印加することにより被処理材をエッチングする装置を用いて、ＣＦ_４とＣＨＦ_３の混合ガスを用いてＡｒＦレジストマスクを用いてＳｉＯＣＨ膜のエッチングを行うエッチングプロセスにおいて、希ガス（例えばＡｒ）を用いず、２．０Ｐａ以下の低圧力でプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 試料中に含まれる微量かつ多様な糖鎖を同時に検出し、定量するための簡便な手段を提供すること。
【解決手段】 １）固相上に固定されかつ糖鎖の還元末端領域以外の糖鎖構造を認識する糖鎖捕捉分子を介して、各糖鎖を特異的に捕捉し、２）捕捉された各糖鎖に、糖鎖の還元末端領域のN-アセチルグルコサミンを含む共通構造を認識する抗体を結合させ、３）前記抗体を予め標識化しておくことにより、あるいは前記抗体に予め標識化した二次抗体をさらに結合させることにより、捕捉された各糖鎖を検出することを特徴とする、複数のN結合型糖鎖を解析するための糖鎖の解析方法。 （もっと読む）

【課題】
大多数のヌイサンスの中に少数のDOIが紛れる状況で、DOIを効率良く抽出し確実に教示することによって、各種検査条件を最適化する検査条件出しを可能とする。
【解決手段】
半導体ウェハを検査し、検査で検出した欠陥の画像を画面に表示し、画像を表示された欠陥から任意の欠陥を選択可能な入力インターフェースを設け、ユーザによって教示された欠陥の検出性能が高くなるように検査条件を調整し、検査を行う。 （もっと読む）

【課題】 ＦｅＲＡＭデバイスキャパシタ部の加工において、パターン側壁への反応生成物付着を低減して漏れ電流が生じないキャパシタ部を形成し、かつ異物の発生が少なくデバイス量産性に適したエッチング方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２７上に形成された、貴金属材料もしくはその酸化物を用いた下部電極層２９，３０、ＳＢＴやＰＺＴ等の強誘電体層３１、貴金属材料もしくはその酸化物を用いた上部電極層３２の積層構造からなるＦｅＲＡＭデバイスの試料を一括若しく数回に分けてプラズマ処理によりエッチング加工を行なう試料処理方法において、下部電極層のパターンを形成するエッチング加工に、酸素６８〜９５％、塩素３〜３０％、フッ素２〜１５％の範囲内の混合ガスを用いたプラズマ処理を行なうようにした。 （もっと読む）

【課題】
ウェハ上の大多数を占める，レビューしていない欠陥の情報を有効活用するため，欠陥分類方法において、レビューしていない欠陥に対してレビューした欠陥と同じ定義の欠陥クラスを付与すること。
【解決手段】欠陥検出時の検査装置の欠陥に関する欠陥データとレビュー済み欠陥のレビュー装置のADCで与えられた欠陥クラスを用いて，レビューしていない欠陥に対して同じ定義の欠陥クラスを付与する。
【効果】全欠陥にADCで定義した，詳細な欠陥クラスが与えられることで，欠陥の発生原因を推定する上でより詳しい解析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの基板電極からの離脱時に、信頼性が高くさらにスループットを高めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、ガス供給装置と、被処理材１１６を載置可能な基板電極１１５と、静電吸着用直流電源１２３と、アンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源１１９と、アンテナ電極へ接続された高周波電源と、処理材を静電吸着膜から脱離する方向に力を印加するプッシャーピン１３１と、装置全体を制御する制御部１３３からなるプラズマ処理装置であって、プッシャーピン１３１の圧力変化またはプッシャーピンの変位を検出する手段１３２と、プッシャーピンの圧力または変位を検出する手段がプッシャーピンの圧力変化または変位を検出したときにプッシャーピンに印加する力を制御する手段１３４と、プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段１３３を設けた。 （もっと読む）