【課題】
ウェハ上の大多数を占める，レビューしていない欠陥の情報を有効活用するため，欠陥分類方法において、レビューしていない欠陥に対してレビューした欠陥と同じ定義の欠陥クラスを付与すること。
【解決手段】欠陥検出時の検査装置の欠陥に関する欠陥データとレビュー済み欠陥のレビュー装置のADCで与えられた欠陥クラスを用いて，レビューしていない欠陥に対して同じ定義の欠陥クラスを付与する。
【効果】全欠陥にADCで定義した，詳細な欠陥クラスが与えられることで，欠陥の発生原因を推定する上でより詳しい解析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 ウェハの基板電極からの離脱時に、信頼性が高くさらにスループットを高めることができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 真空排気装置が接続され内部を減圧可能な処理室と、ガス供給装置と、被処理材１１６を載置可能な基板電極１１５と、静電吸着用直流電源１２３と、アンテナ電極と、基板電極へ接続された高周波電源１１９と、アンテナ電極へ接続された高周波電源と、処理材を静電吸着膜から脱離する方向に力を印加するプッシャーピン１３１と、装置全体を制御する制御部１３３からなるプラズマ処理装置であって、プッシャーピン１３１の圧力変化またはプッシャーピンの変位を検出する手段１３２と、プッシャーピンの圧力または変位を検出する手段がプッシャーピンの圧力変化または変位を検出したときにプッシャーピンに印加する力を制御する手段１３４と、プラズマ処理終了時に基板電極に高周波電圧を印加する手段１３３を設けた。 （もっと読む）

【課題】
ステージを走査しながら電子線を照射し，発生する二次電子又は反射電子を検出して回路基板のパターン欠陥を検査するパターン検査装置では照射電子と発生する電子の差分が回路基板に蓄積するチャージアップが発生する。チャージアップにより，焦点オフセットがずれ，欠陥検出性能が低下する。
【解決手段】
検査中にステージをスキャンしながら取得した画像を用いて焦点オフセットを計測し，計測結果でオフセットを補正する。 （もっと読む）

【課題】
パターンの微細化の微細化に対応した高感度欠陥検査方法とその装置を提供する。
【解決手段】
対物レンズと試料の間を液で満たして、実効ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を大きくすることにより、光学系の解像度を向上する。さらに、対物レンズと試料の間を透明膜に近い屈折率の液体で浸すことにより、試料表面に透明な層間絶縁膜が形成されている場合においても液と絶縁膜界面での振幅分割を抑制し、薄膜干渉による明るさむらを低減する。これらの技術により、欠陥検査感度を向上する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置において、ウェハホルダを保護しながらクリーニング効果の向上を図る。
【解決手段】 処理チャンバと、処理チャンバ内に設けた基板ホルダ８と、高周波電源９と、処理ガス供給手段と、処理チャンバ内部のプラズマ発光の波長毎の発光強度を取得する分光器１２と、自動制御手段とを設けた半導体製造装置であって、処理チャンバ内のクリーニング時に、基板ホルダ８上に、シリコンおよびアルミの元素を排除して構成されるイットリア、酸化イッテルビウム、酸化ランタン、酸化ルテシウム等の焼結体から構成されるカバーウェハ１４を設置し、クリーニング中のプラズマ発光状態を分光器により検出し、分光器が検出したプラズマの各発光強度の微分値が０となった時点をクリーニングの終点とし、自動制御手段に設定された時間の間オーバークリーニングを施した後、高周波電源、流量制御手段に停止してクリーニングを終了する。 （もっと読む）

【課題】
SOIウェハ表面にレーザビームを集光・照明し，発生する散乱光から表面の異物・欠陥を検出する検査装置において，SOIウェハのBOX層，SOI層の膜厚変化の影響を受けず，またBOX層に存在する異物・欠陥を検出せずに，最表面に存在する異物・欠陥のみの検出を可能とする。
【解決手段】
Siへの浸透深度が10ｎｍ以下となる波長のレーザを照明光として用い，集光したレーザビームを照射し，発生する散乱光を検出することにより，薄膜干渉の影響を受けずに，SOIウェハの最表面に存在する異物・欠陥のみ検出できるようにした。 （もっと読む）

【課題】実用的なプロテオーム解析用質量分析装置を提供する。
【解決手段】直交加速型イオントラップ結合飛行時間型質量分析計において、イオントラップから射出されたイオンの速度分布を縮小する手段を設けることにより、一度に分析できる質量対電荷比範囲を拡大する。
【効果】プロテオーム解析におけるタンパク同定の効率が向上される。 （もっと読む）

【課題】
イオン選択の分解能と質量数精度を向上する。
【解決手段】
イオン源部と、イオンをトラップするイオントラップ部と、当該イオントラップ部に主高周波電圧を印加する主高周波電源と、前記イオントラップ部に補助高周波電圧を印加する補助高周波電源と、イオンを検出する検出部と、前記イオン源からのイオンを前記イオントラップ部に蓄積し、前記蓄積されたイオンから目的イオンを残し、他のイオンをイオントラップ部から排出し、前記目的イオンを検出のために排出するように、前記イオントラップ部に対して制御を行う制御部と、質量対電荷比と主高周波電圧の相関が示されたキャリブレーションテーブルとを備える質量分析装置であって、前記制御部は、前記蓄積されたイオンから目的イオンを残し、他のイオンをイオントラップ部から排出する際に、前記キャリブレーションテーブルを用いて印加する前記主高周波電圧の値を決定する。 （もっと読む）

【課題】
寸法計測法方及びその装置において、パターンの走査型電子顕微鏡画像から得られる画像プロファイルを用いて，パターンの断面形状上の所望の位置におけるパターン寸法を計測できるようにする。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡で撮像して得た試料の二次電子画像を用いて試料上に形成されたパターンの寸法を計測する方法において、走査型電子顕微鏡を用いて試料の二次電子画像を取得し、この取得した二次電子画像の中で寸法を計測するパターンの画像プロファイルを二次電子画像を用いて作成し、予め記憶しておいた断面の形状と寸法とが既知で形状が異なる複数のパターンのそれぞれの二次電子画像から得られた複数のパターンのそれぞれに対応する複数のモデルプロファイルの中から作成した画像プロファイルと最も一致するモデルプロファイルを検索し、この検索して得たモデルプロファイルの情報を用いてパターンの寸法を求めるようにした。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化の抑制及び測定時間の短縮化を図りながら、分析対象成分の詳細な構造情報を、取得可能な質量分析装置を実現する。
【解決手段】エンドキャップ電極２とリング電極３と絶縁物４とで３ＤＱ部が形成され絶縁物４にガス導入口８が形成される、ガス導入口８には一本から複数管に分岐されるガス導入路７が接続される。各分岐管はマスフローメータ６を介して衝突ガス発生装置５に接続される。各衝突ガス発生装置５は互いに異なる種類の衝突ガスが封入されマスフローメータ６で混合ガス流量を設定し経路７内で混合した後３ＤＱ内に導入する。ガスは初めキセノンに設定しＭＳ/ＭＳ測定を開始し時間経過と共に分析対象の分子量は小さくなるため導入ガスにヘリウムを混合しガス種比率を勾配させる。単独の衝突セルを使用した一回のＭＳ/ＭＳ法で高分子から低分子量成分まで効率よく開裂し各分子の構造情報を取得できる。 （もっと読む）