本発明は、核酸増幅において、標識または修飾されたオリゴマーの使用量を下げることで、コストを下げ、かつ検出装置の測定範囲内に収まるように希釈などの操作を必要とせずに検出が可能とするものである。 当該目的を達成するために、本発明は、標的核酸を抽出する抽出工程、発光体または修飾基で標識されたオリゴマーに前記標識されたオリゴマーと同一の塩基配列を有しかつ発光体または修飾基で標識されていないオリゴマーを混合する混合工程、前記標識されたオリゴマーと標識されていないオリゴマーの混合物を用いて標的核酸を増幅する増幅工程、修飾基で標識されたオリゴマーを用いた場合には前記修飾基で標識されたオリゴマーとその増幅物に発光体を付加する工程、及び前記増幅された標的核酸を光検出器により測定する検出工程からなる核酸測定方法を提供する。
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【課題】
処理室内の反応生成物量や酸素ラジカルの量の時間変化を設定することにより、微細パターンの加工形状を任意に制御する。
【解決手段】
複数の処理ガスを供給するガス供給手段３，４，５、ガスを排出するガス排気系９および試料台６を備えた処理室１と、処理室内に供給した処理ガスに高周波電力を供給する電磁エネルギ供給手段２を備え、該電磁エネルギ供給手段により前記処理ガスをプラズマ化して、試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、処理室内に発生したプラズマ発光のスペクトルを検出する分光器１５と、供給する複数の処理ガスの流量を制御する流量制御器４と、流量制御器を制御する制御器１３を備え、該制御器は、プラズマ発光のスペクトルをもとに反応生成物の量を計算する計算部１７と、反応生成物の量の目標値を入力する入力部を備え、反応生成物の量の計算結果が入力された目標値に一致するように処理ガスの流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】ハードマスクの角部分を、ラウンド形状に加工するドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】パターンニングされたホトレジスト１３によりシリコン窒化膜１２のマスクを形成した後、ホトレジスト１３をドライエッチングにより縮小させ、露出したシリコン窒化膜マスク１２の角部分をエッチングすることで、シリコン窒化膜マスク１２の角部分にラウンド形状を有する溝加工処理が可能となる半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子ビーム傾斜時におけるビーム条件を調整するのに好適なビーム条件調整方法、及びそれを用いた装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
傾斜用偏向器によってビームを傾斜する荷電粒子線装置において、ビームの傾斜角度調整や電子ビーム傾斜時に発生する像歪を補正するための歪調整について、例えばピラミッド形状の試料等の特定の試料を用いて実施し、傾斜前後に取得する画像を取得して画像処理を実施することで傾斜角度の値や歪量を求めるようにし、所定の処理フローに従って傾斜角度の調整や歪補正の調整を自動化する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程途中のウエハを検査する技術として、ウエハ上面からの観察のみで入射電子線に対して影になる部分やウエハ内に埋設された構造の検査および定量評価を行い、三次元構造の表示を行なう検査装置および方法を提供する。
【解決手段】ウエハ表面の一部分を透過し、電子ビームに対して露出しない部分に到達し得るエネルギーを有する電子ビームを照射して、二次的に発生する信号による走査像を取得し(40)、パターンの立体モデルを生成する工程(41)と、得られた二次信号からパターンのエッジの位置情報を検出する工程(44)と信号強度を検出する工程(45)と、検出した情報から被検査パターンの特徴量を算出する工程(46)と、算出したパターンの特徴量から立体構造を構築し、パターンの三次元構造を表示する(47)工程により三次元構造を評価する。 （もっと読む）

【課題】予備室に戻して再加熱による温度調整のし直しを必要とせず、しかも試料の温度調整精度が高い電子線描画装置ないし回路パターン製造装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、試料保持トレーに保持された試料に電子線による描画を行う真空に保たれた試料室と、真空から大気圧の範囲に亘って気圧調整が行われ、かつ前記試料室に出し入れをする前記試料を前記試料保持トレーに保持したままで預かる前記試料室と隣り合せの予備室とを有する電子線描画装置において、前記試料の温度を測定する温度センサを前記試料保持トレーに設け、前記試料室内と前記予備室内での前記試料の温度測定を前記温度センサで行い、前記温度センサの温度測定値に基づいて前記試料の温度調整をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
走査型電子顕微鏡で撮影した半導体デバイスの画像と、前記半導体デバイスの設計データ間のパターンマッチング処理を行い、パターン形状の評価や、検査位置の検出などを行う場合、複雑な画像処理パラメータの設定が必要であるという問題があった。
【解決手段】
本発明のパターンマッチング装置は、例えば走査型電子顕微鏡システムに搭載することができ、ＳＥＭ画像から直感的に得られるホワイトバンドの幅に関連する画像処理パラメータを利用してフィルタパラメータを変更することにより、ＳＥＭ画像に含まれたパターンを高精度に抽出し、設計データとパターンのマッチング処理を行うものであり、ＳＥＭで撮影した半導体デバイスのパターン形状と設計データの一致度計算や、設計データ内からＳＥＭ画像のパターンと一致する位置検出，ＳＥＭ画像内から設計データのパターンと一致する位置検出に利用することができる。 （もっと読む）

【課題】
試料上の特徴物を観察する機能を有する走査型電子顕微鏡において、合焦点位置のずれを高速に補正する。
【解決手段】
上記目的を解決するために、走査型電子顕微鏡において、電子ビームを走査する試料上の観察対象まで視野を移動させるときに、複数の測定点の内、対象とする観察点の隣接点に関する情報に基づいて、前記試料の表面の高さを測定機構の示す合焦点位置と、実際の合焦点位置との誤差を補正するようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】クロマトグラフィー装置により分離された試料をタンデム質量分析するシステムにおいて、高効率・高スループットにタンデム分析を可能とする質量分析システムを提供すること。
【解決手段】質量分析装置に対し並列関係に配置された複数のクロマトグラフィー装置を所定の時間差をおいて溶出開始し、後続の質量分析装置により質量分析する方法であって先発のクロマトグラフィー装置におけるクロマトグラムを実時間解析し、上記解析結果を後発のクロマトグラフィー装置の溶出条件の変更に実時間で使用する質量分析方法、及びそれを実施するのに適した質量分析装置システム。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線応用装置及び測長装置などにおける所要の倍率範囲における倍率誤差を小さくする。
【解決手段】試料に対する倍率を実測した第１の画像を記録し、試料に対する倍率が未知の第２画像を記録し、画像解析を用いて第１の画像に対する第２の画像の倍率を解析することによって、試料に対する第２の画像の倍率を実測する。以後、第２の画像を第１の画像として上記倍率解析を繰り返す事により、全倍率範囲において倍率を実測する。全倍率範囲で試料に対する画像の倍率を実測して校正することにより、倍率誤差を一桁小さくすることができる。 （もっと読む）