【課題】クロストークを少なくし、高電圧を印加可能にし、高スループット化する。
【解決手段】複数の開口５２８，５１０，５１４をそれぞれ有する上電極５２１、中電極５２２および下電極５２３を順に配置してなる荷電粒子線レンズアレイにおいて、上電極５２１と中電極５２２の間及び中電極５２２と下電極５２３の間の少なくとも一方に配置された絶縁体５２６を有し、絶縁体５２６の表面が凹凸形状を有する。そして中電極５２２が、開口５１０の列ごとに電気的に独立である。 （もっと読む）

【課題】高輝度かつ狭エネルギー幅の電子ビームが得られる電界放出型電子銃と、電界放出型電子銃を搭載した電子ビーム応用装置を提供する。
【解決手段】繊維状炭素物質とそれを支持する導電性基材から構成される電界放出型陰極と、電子を電界放出させる引出装置と、電子を加速させる加速装置を有する電界放出型電子銃において、繊維状炭素物質に原子価が３価および５価の元素のうち少なくとも１種が含有されている。特に、３価および５価の元素はそれぞれホウ素および窒素である。さらに、繊維状炭素物質へのホウ素および窒素のうち少なくとも１種の含有量が、炭素に対する原子重量比として０.１ 〜５％であり、該繊維状炭素物質の直径は、２０〜200ｎｍである。さらに、この電界放出型電子銃を各種電子ビーム応用装置に適用する。 （もっと読む）

【課題】 クロストークが少なく、高電圧が印加可能な電子レンズアレイ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】 複数の開口をそれぞれ有する上電極５２１、中電極５２２および下電極５２３を順に配置してなる荷電粒子線レンズアレイにおいて、上電極５２１と下電極５２３との間に複数の開口を有するシールド電極５２４，５２５が配置されている。前記シールド電極が電気的にフローティングであり、中電極５２２に電圧印加手段５１５が接続されている。
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【課題】 試料の表面の広い範囲にわたり高精度に微細な加工を実現できるプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】 処理室１０１内に設けた試料台１０２およびシャワープレート１０９の中央部と周縁部とにそれぞれ異なる量のガスおよび冷媒を供給するようにしたするプラズマ処理装置１００において、処理室１０１内のプラズマ発光を受光する受光部１２５および発光分析器１２４と、処理室下部内のガスの質量を分析する質量分析器１２９と、制御部１３０とを備え、発光分析と質量分析の双方のデータを用いて、処理室内へ供給するガスの流量を制御する流量制御装置１２０，１２１と、試料台１０２へ供給する冷媒の流量を制御する冷媒流量調節器１３１とを制御する。 （もっと読む）

【課題】
被観察対象物の凹凸形状を観察するに十分な画像を正確に精度よく立体観察可能とする走査型電子顕微鏡装置およびこれを用いた三次元画像表示方法を提供する。
【解決手段】
走査型電子顕微鏡装置による三次元画像表示方法が、ＳＥＭ画像データからＳＥＭ画像の輪郭線データを抽出して三次元形状生成する処理と、ビームチルトして取得したＳＥＭ画像データから三次元形状パターン生成する処理と、三次元形状と三次元形状パターンとを双方の傾斜情報を対応情報として抽出する処理と、前記三次元形状と前記三次元形状パターンとを対応関係においてテクスチャマッピングして三次元立体画像を合成する処理と、および合成した三次元立体画像をディスプレイ装置に表示する処理とをビームチルトの角度を変えて複数繰り返して複数の三次元立体画像をディスプレイ装置に表示することを含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ処理の均一性を高めたプラズマ処理装置を提供する
【解決手段】 処理室１と、処理室に処理ガスを供給する手段１３〜１４と、処理室１を減圧する真空排気手段２５，２６と、ウェハ等の被処理体２を載置する電極４と、電磁波放射電源５Ａとを有するプラズマ処理装置において、Ｏ_２あるいはＮ_２の組成比が異なる少なくとも２種類の処理ガスを、互いに異なるガス導入口から処理室内に導入することによって、加工深さの面内均一性を保ったままＣＤ寸法の面内均一性を制御できるようにする。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線装置において試料を観察する際に、試料を対物レンズや対物レンズ周辺の検出器と接触させ、試料または電子レンズを傷つけたり、検出器を破損させたりすることがある。
【解決手段】 電子線を発生させる電子銃１と、電子銃１により発生させた一次電子線２を細く絞るための集束レンズ系３と、対物レンズ４と、試料５を載せ試料５を移動させることができる移動機構を有する試料ステージ６と、対物レンズ４がその中に設けられるとともに観察時に試料５および試料ステージ６を収容し、その近傍を高真空に保つための真空容器７と、試料ステージ６を真空容器７から引き出すための機構８と、を含む荷電粒子線装置において、真空容器７に設けられた試料ステージ引き出し用の開口部Ｏに対物レンズ４を試料５の引き出し方向、すなわち、水平方向に投影させた対物レンズ４の水平投影形状を有する干渉検出用部材９が設けられている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、プロテインチップ等の固体基板にスポットされた抗原と、抗体と反応させる場合において、スポット中心部と周辺部における反応を均一化することに関する。
【解決手段】
本発明は、基板にスポットされた第一溶液を、これより大きな反応用孔にて覆い、反応用穴孔に第二溶液を供給し、第一溶液と第二溶液を反応させることに関する。これにより、第一溶液と第二溶液の反応を、スポット中心部と周辺部において略均一にでき、手軽かつ高精度に基板上で分析できる。 （もっと読む）

【課題】
ＡｒＦリソグラフィー世代以降のレジストをマスクとしたドライエッチングによるパターン形成において レジストダメージに起因するレジスト突き抜け及びストライエーションを抑制した高精度加工を行う。
【解決手段】
プラズマ着火検出信号に従ってバイアス電力を印加するまでの時間を制御する。また エッチング開始からある一定時間の裏面ガス圧力をメインエッチング条件の裏面ガス圧力よりも小さく設定する。さらに エッチング開始からある一定時間の間、メインエッチング条件よりも低Ｃ／Ｆ比のＣｘＦｙガスを用いる、若しくはＣｘＦｙガス流量を低流量化する。さらにプラズマ中のラジカル量をモニタしその計測値に従って上記手段の値をウエハ毎に制御する。一方、上記手段とは別にウエハを予め予備加熱する手段をウエハ搬送系に設置する。 （もっと読む）

【課題】イオン・ビーム光軸上に磁場が存在し、更に磁場が変動する場合でもイオン・ビームが試料上で同位体分離を生じることが無く、磁場が無い場合のビーム・スポット位置へ集束する集束イオン・ビーム装置を提供する。
【解決手段】補正磁場発生部10からイオン・ビーム３の光軸上に補正磁場を発生させ、外部磁場によるイオン・ビームの偏向を相殺する。 （もっと読む）