【課題】砒素を含有する錫電解採取液から錫を安全に、かつ、効率的に回収する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも砒素を含有する錫電解採取液を、水素が発生しない条件で、好ましくは１０ｇ／Ｌ以上の錫濃度にて電解処理する砒素含有溶液からの錫の回収方法であり、好ましくは電解後液を廃液処理する際に、錫濃度が１０ｇ／Ｌ以上で電解処理を止めて、この電解処理で得られた電解後液について、ＯＲＰ値を−２００ｍＶ（ｖｓ ＡｇＣｌ／Ａｇ）以上に維持するか、又は、ＯＲＰ値が−２００ｍＶより低い場合は、酸化剤を添加し、−２００ｍＶ以上に調整した後、ｐＨを低下させることで、少なくとも一部の砒素を電解後液中に溶存させながら錫をＳｎ中和物の形態に変化させる処理を含む方法である。 （もっと読む）

【課題】プリント配線板の配線として用いられたときに、長期使用によっても配線にクラックが発生しない圧延銅箔などを提供する。
【解決手段】結晶の金属組織の測定点１に電子線を照射して得られた結晶方位と、その周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点２〜７に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°未満である中心と各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ａとし、その合計を面積ＡＴとし、結晶の金属組織の測定点ｂに電子線を照射して得られた結晶方位と、その周囲に２００ｎｍ離間して位置する複数の隣接測定点に電子線を照射して得られた結晶方位との方位角度差の平均値が０．４°以上２．０°未満である中心と各辺との距離がそれぞれ１００ｎｍである正六角形の面積を面積Ｂとし、その合計を面積ＢＴとしたときに、面積ＢＴ／面積ＡＴ×１００（％）＜２０（％）を満たす圧延銅箔。 （もっと読む）

【課題】リチウム金属塩の複合体の焼成時間を短縮し、低コストで高品質のリチウムイオン電池用正極活物質を提供する
【解決手段】リチウムイオン電池用正極活物質の製造方法は、リチウム塩と、酸化剤を含有する金属塩、又は、酸化作用を呈するイオンを有する金属塩とを含むリチウム金属塩溶液スラリーを準備する工程と、リチウム金属塩溶液スラリーを乾燥して、酸化剤を含有するリチウム金属塩の複合体の粉末、又は、酸化作用を呈するイオンを有する金属塩を含有するリチウム金属塩の複合体の粉末を得る工程と、粉末を焼成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子製品の例えば端子或いはコネクタの形状とされる所定形状に打ち抜かれた長尺の金属条におけるスポットめっきにおいて、密着性能を保持したまま、めっき液が滞留せず、「めっき抜け」及び「にじみ」の問題を解決し、安定した高品質のスポットめっきを可能とするスポットめっき装置及びスポットめっき装置用バックアップ部材を提供する。
【解決手段】金属条３の少なくとも被めっき部３０を支持体ドラム１０の外周部に押圧して密着させるために、支持体ドラム１０に巻回された金属条３の外周部の少なくとも一部に巻回され、金属条３と共に支持体ドラム１０の回転方向に移動するバックアップ部材は、多孔質の且つ軟質性の材料で形成される。 （もっと読む）

【課題】タフピッチ銅または無酸素銅を素材とする圧延銅箔を改良することにより、リチウムイオン二次電池をはじめとする二次電池の負極集電体材料として好適な、充放電サイクル寿命に優れる圧延銅箔、並びにこれを用いた負極集電体、負極板及び二次電池を提供する。
【解決手段】本発明は、２００℃で３０分間焼鈍することにより、引張強さが２５０ＭＰａ以下に低下し、Ｃｕｂｅ方位｛００１｝＜１００＞面積率が３０％以上、Ｂｒａｓｓ方位｛１１０｝＜１１２＞面積率が２０％以下、Ｃｏｐｐｅｒ方位｛１１２｝＜１１１＞面積率が２０％以下なる結晶方位が発現し、オイルピットの面積率が３〜２０％であり、圧延方向と直交する方向の算術平高さＲａが０．０５〜０．１２μｍであることを特徴とする、良好なサイクル特性を有する二次電池の負極集電体用銅箔である。 （もっと読む）

【課題】耐熱性、強度が良好な圧延銅合金箔及びそれを用いた二次電池用集電体を提供する。
【解決手段】400〜1000質量ppmのTiを含有し、酸素濃度が20ppm以下、水素濃度が2ppm以下であり、残部Cu及び不可避的不純物からなる圧延銅合金箔である。 （もっと読む）

【課題】成膜の品質を向上させるルテニウム合金スパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】ルテニウム粉末とルテニウムよりも酸化力が強い金属粉末との混合粉末を焼結して得られるルテニウム合金焼結体ターゲットであって、ガス成分を除くターゲットの純度が99．95wt％以上であり、ルテニウムよりも酸化物を作りやすい金属を5at%〜60at%含有し、相対密度が99％以上、不純物である酸素含有量が1000ｐｐｍ以下であることを特徴とするルテニウム合金スパッタリングターゲットであり、ターゲット中に存在する酸素を低減させて、スパッタ時のアーキングやパーティクルの発生を少なくし、焼結密度を向上させてターゲットの強度を高め、さらにSi半導体へ微量添加されているB及びPの組成変動を防止するために、ターゲット中のB及びP不純物の量を厳しく制限する。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、
前記表面処理層が、Ａｕ、Ｐｄ及びＰｔの少なくともいずれか１種を含み、
前記表面処理層側の２０ｎｍの深さまでの表層の２価のＣｕの酸化物の原子数の割合である（２価のＣｕの酸化物の原子数）／｛（１価のＣｕの酸化物の原子数）＋（単体のＣｕの原子数）｝（％）が８０％以下である積層体。 （もっと読む）

【課題】 回路パターンを良好なファインピッチで形成することができる積層体及びそれを用いたプリント配線板を提供する。
【解決手段】 表面処理層が形成されたメッキ銅層を含む積層体であって、２．０ｍｏｌ／Ｌの塩化第二銅水溶液を腐食液とし、前記腐食液中、液温５０℃で且つ前記腐食液の攪拌を行わずに、Ａｇ／ＡｇＣｌ電極を用い、前記表面処理層側から測定範囲１ｃｍ×１ｃｍで測定したときに、測定開始時の自然電位が前記メッキ銅層の自然電位より３０ｍＶ以上高く、且つ、測定開始から１００秒以内で前記測定開始時の自然電位の２０％以下まで低下する積層体。 （もっと読む）

【課題】錫含有銅から錫を効率よく除去することができる錫含有銅の処理方法を提供する。
【解決手段】錫を含有する銅メタルを錫除去剤および溶剤と共に酸化炉に投入し、酸素含有ガスを投入しつつ溶解し、錫を選択的にスラグとして浮上させ、該スラグを除去し、９６ｍａｓｓ％以上の高純度な銅を得る。銅メタルは錫を１〜８ｍａｓｓ％含み、錫除去剤は炭酸ソーダであり、溶剤は珪砂および石灰石である。錫酸化工程における溶湯温度は、錫含有銅を冷材として投入することによって。１２００℃〜１２７０℃に調整される。 （もっと読む）