説明

株式会社ルネサステクノロジにより出願された特許

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【課題】 第1層配線と、拡散層あるいはゲート電極との層間容量を抑えつつ、拡散層あるいはゲート電極に確実に接続するコンタクトプラグを形成する。
【解決手段】 基板上方に形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側に形成された拡散層とを有する半導体装置において、一端において、ゲート電極の上面に接し、かつ、他端が、ゲート電極上面よりも、基板に近い位置に伸びる導電体膜を形成する。そして、基板上に、ゲート電極と、導電体膜とを埋め込む層間絶縁膜を形成し、この層間絶縁膜を貫通し、導電体膜の、ゲート電極上面よりも基板に近い位置において、導電体膜に接続する第プラグを形成する。 (もっと読む)


【課題】 誤り訂正処理速度を改善する半導体装置を提供する。
【解決手段】 ECC回路を構成する排他的論理和回路(XORゲート)において、PチャネルMOSトランジスタPT1〜PT4の駆動力をNチャネルMOSトランジスタNT1〜NT4と比較して大きく設定する。これにより、出力ノードN0の論理レベルがリセット状態である「L」レベルから「H」レベル設定される速度は、同じ駆動力に設定されている場合よりも速くなる。これに伴い、複数段のXORゲートから出力されるシンドロームの出力時間を短縮し、誤り訂正処理を高速に実行することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体チップ上に形成されたパッドの多ピン化、狭ピッチ化に対応できるリードフレームを用いた半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 QFP形態の半導体装置1に用いられる微細化された複数のインナーリード6の先端部側に貼り付けられたテープ5は、半導体チップ3上に形成されたパッドから低いループで張られたワイヤ4aのインナーリード6側のボンディング点と、高いループで張られたワイヤ4bのインナーリード6側のボンディング点との間に位置する。 (もっと読む)


【課題】
微細化の進展に伴いSRAMにかわる半導体メモリが求められているが、ロジックトランジスタとのプロセス整合性、低コストを両立できる半導体メモリの実現方法が課題である。
【解決手段】
本発明は同一チップ内にロジック部とメモリ部を有する半導体装置において、メモリ部の単位メモリセルは少なくとも2つのトランジスタを有し、上記一つのトランジスタは蓄積電荷の出し入れを行う書込みトランジスタであり、上記他のトランジスタは上記書込みトランジスタによって出し入れされた蓄積電荷量に依存してそのソースドレイン間のコンダクタンスが変化する読出しトランジスタであり、上記読出しトランジスタにロジック部のトランジスタよりも厚いゲート絶縁膜を用いる半導体装置であって、上記読出しトランジスタにロジック部と同じ拡散層構造を用いることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 送信出力電力に対する検出出力の直線性が良好で、しかも温度依存性を持たない検出出力を得ることができる送信電力検波回路およびそれを用いた無線通信システムを提供する。
【解決手段】 複数のアンプ(AMP1〜AMP4)をシリーズに接続してなり各段のアンプの入力トランジスタ(Q1,Q2)のエミッタから整流出力を取り出して合成することで検波出力を得る整流検波部(111)と、該整流検波部を構成する上記アンプと類似の構成を有するダミーアンプ及び該ダミーアンプの出力を所定の比率で変化させる係数回路からなる温度特性補償用の電圧を発生する補償電圧生成回路(112)と、前記整流検波部の出力電圧から前記補償電圧生成回路で生成された補償電圧を減算することで温度依存性のない検波出力を得る加減算回路(112)と、により送信出力電力の検波回路を構成するようにした。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 裏面5bに開口する複数の非貫通スルーホール5cを有しており、さらに裏面5bからそれぞれの非貫通スルーホール5cに亘って導体部5dが形成された多数個取り基板9を準備し、多数個取り基板9のデバイス領域に半導体チップ1を搭載し、半導体チップ1と多数個取り基板9とを電気的に接続した後、多数個取り基板9の主面5a上にシリコーン樹脂を供給して、非貫通スルーホール5cの底部5eによって非貫通スルーホール5c内に前記シリコーン樹脂を入り込ませずに主面5a上に一括封止部10を形成することにより、裏面5bの端部から側面に亘る複数の導体部5dを有する半導体装置を組み立てることができ、半導体装置の接続信頼性の向上を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置に記憶された情報のセキュリティ性を向上させる。
【解決手段】 半導体チップ3の集積回路に駆動電圧を供給する電源電圧供給用の配線5A,5Bを、半導体チップ3の主面を覆うように配置し、半導体チップ3に記憶された情報を解析するために配線5A,5Bを除去してしまうと集積回路が動作せず、情報解析ができないような構成とした。また、配線5A,5Bの加工を検出する加工検出回路を設ける。加工検出回路が配線5A,5Bの加工を検出すると、集積回路にリセットをかけるように構成する。これにより、半導体装置に記憶された情報のセキュリティ性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】 内部の温度が所定の温度以上になった場合には異常を知らせる信号を外部へ出力して、温度を下げるような処置をとることができるようにした高周波電力増幅用電子部品(RFパワーモジュール)を提供する。
【解決手段】 振幅情報に基づく制御信号によって動作電圧が制御されるRFパワーモジュールにおいて、増幅用トランジスタ(113)が形成されている半導体チップもしくは電源回路(140)が形成されている半導体チップに温度検出用の素子(D1)を設け、該素子が設けられた半導体チップと同一もしくは別個の半導体チップにヒステリシス特性を有する検出回路(130)を設けて、該検出回路から上記温度検出用素子にバイアスを与えて素子の状態を2つの参照レベルと比較して、当該温度検出用素子が形成されている半導体チップの温度が所定温度以上になったと判定した場合に異常を示す信号(ALM)を外部へ出力させ、半導体チップの温度が上記所定温度よりも低い第2の所定温度以下になったと判定した場合に正常を示す信号を外部へ出力させるように構成した。 (もっと読む)


【課題】 複数の検査装置を有する半導体装置の製造ラインにおいて、リモート(離れた場所)で一括して検査装置の状況を把握することができ、検査結果の判定および次処理の指示を容易に行うことができる製造システムを提供する。
【解決手段】 製造実施システム(MES)を利用したものであって、複数の検査装置13a,…,13n、MESサーバ11およびMESクライアント12a,…,12mなどから構成される。MESサーバ11は、検査装置13a,…,13nにおける検査実施および検査結果を管理する。MESクライアント12a,…,12mは、検査装置13a,…,13nの稼動状況を一覧表示する装置稼動状態一覧画面と、検査対象ロットの検査結果を表示する検査結果/ロット次処理指定画面と、検査対象ロットに対しての次処理の指示を入力する検査対象ロット次処理指定部とを含む。 (もっと読む)


【課題】 庇になる部分の大きさを直接的に正確に測定することができるレベンソンマスクを提供する。
【解決手段】 レベンソンマスクは、主表面の一部に掘り込み部9が形成された石英基板2と、上記主表面に形成されたCr膜3とを備える。掘り込み部9は、Cr膜3の一部が庇となるように形成されたアンダーカット部23を含み、Cr膜3は、掘り込み部9の一部を露出するように形成されたπ開口部11と、掘り込み部9の端部21を露出するように形成された第1補助開口部15とを含む。 (もっと読む)


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