【課題】ウエーハまたは他の物品を研磨する研磨パッドに関し、研磨中に混合伴流を増強または促進するように研磨パッドに溝を配置する。
【解決手段】研磨パッド１０４は、ウェーハ１１２の一以上の対応する各速度ベクトルＶ１〜Ｖ４、Ｖ１′〜Ｖ４′、Ｖ１″〜Ｖ４″、Ｖ１″′〜Ｖ４″′に対して、ほぼ平行な向きを有する複数の溝１４８、１５２、１５６、３０４、３０８、３２４、４０４、４０８、４２４、５２０、５２４、５２８を含む研磨層１０８を、含む。これらの平行な向きが、研磨中にこれらの溝の中での研磨媒体１２０中の混合伴流の形成を促進する。 （もっと読む）

【課題】加工の終点を決定する為に、形成された窓を有する研磨パッドが開示されているが、窓とプラテンとの間に「空隙」又は空間が出来てしまう。これにより、研磨中、空隙中で発生する圧力から過度な応力が窓に加わり、望まれない残留応力変形を窓の中に生じさせることがある。要望されているものは、ＣＭＰ中での広い範囲の波長での確固とした終点検出又は計測のための、応力が軽減した窓を有する研磨パッドである。
【解決手段】本発明は、ケミカルメカニカル研磨パッドであって、研磨パッド中に形成された窓を含み、窓が、その側面にあてがわれた空隙を有するものである研磨パッドを提供する。研磨パッドはさらに、空隙から研磨パッドの周辺部まで研磨パッド中に設けられた空隙−圧力逃がし通路を含む。 （もっと読む）

ウェーハ（３２）又は他の物品を研磨するための研磨パッド（２０）であって、パッド上に研磨媒体（６４）の滞留時間を増加するように構成された溝ネットワーク（６０）を有するパッド。溝ネットワークは、実質的に半径方向外側に延びる第一の部分（７２）と、移行点（７６）からはじまり、研磨媒体の半径方向外側の流れを減速するように構成された揺動部（７４）とを有する。
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本発明の研磨パッドは、半導体基板、光学基板及び磁性基板の少なくとも一つを平坦化するのに適する。本発明の研磨パッドは、プレポリマーポリオールと多官能芳香族イソシアネートとの、イソシアネート末端化反応生成物を形成するプレポリマー反応から形成された流込み成形ポリウレタンポリマー材料を含む。前記イソシアネート末端化反応生成物が４．５〜８．７重量％の未反応ＮＣＯを有するものであり、前記イソシアネート末端化反応生成物を、硬化剤ポリアミン類、硬化剤ポリオール類、硬化剤アルコールアミン類及びそれらの混合物からなる群より選択される硬化剤で硬化させたものである。研磨パッドは、少なくとも０．１容量％の充填材又は気孔を含む。 （もっと読む）

スラリー（１１６）のような研磨媒体の存在下で、研磨層（１０８、２０８）を用いて、物品、例えば半導体ウェーハ（１１２、２１２）、の表面（１２０）を研磨する方法。方法は、除去速度の均一性若しくは被研磨面の欠陥の発生、又は両方を制御するために、物品の回転速度若しくは研磨層の速度、又は両方を選択することを含む。
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