【課題】最小限の摩耗性コンディショニングで再生することができ、ひいてはパッド耐用寿命を延ばす研磨面を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するための形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドであって、稠密化状態にある研磨層を含み、研磨層が、本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を含み、研磨層が、形状記憶マトリックス材料がその本来の形状にあるときには本来の厚さＯＴを示し、研磨層が、形状記憶マトリックス材料がプログラム形状にあるときには稠密化状態で稠密化厚さＤＴを示し、ＤＴ≦ＯＴの８０％であり、研磨層が、基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】加工物とのより大きな実接触面積及び研磨くずの除去のためのより効果的なスラリー流動パターンを達成し、テキスチャ再形成の必要性を減らし、良好なプラナリゼーション効率にために必要な高剛性構造を有し、研磨面に隣接する研磨層の中では大きなボイド容量を提供する研磨パッドを提供する。
【解決手段】連続的な非一過性相２０７及び実質的に共連続的な一過性相２０５を含む相互侵入ネットワークを含む研磨層２０２を有する研磨パッド。また、非一過性相が、網状の間隙区域を画定する複数の相互接続された研磨要素を含む三次元ネットワークを形成し、実質的に共連続的な一過性相が網状の間隙区域内に配置される研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】工作物とのより高い実接触面積、及び研削屑の除去に効果的なスラリーの流れ、再テクスチャリングの必要の低減を達成するＣＭＰパッド。
【解決手段】研磨パッドは、研磨フィラメントのベース層２０４上に積層された多層の研磨フィラメント２００を含み、多層の研磨フィラメント２００は、研磨フィラメントの各層が、下部の研磨フィラメントの上にありそれに取り付けられている連続して積層された形状を有し、多層の研磨フィラメント２００は、研磨パッドの研磨面に対して平行であり、多層の研磨フィラメント２００の個々の研磨フィラメント２０２は、少なくとも平均３つ以上の研磨フィラメント２０２であり、相互接続された研磨フィラメントの開放型格子構造２１０を有する研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の研磨サイクルにわたって一定した研磨性能をもたらすと同時に、基板に過度の欠陥性を生じさせることなく平坦化を促進することができる研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨媒体の存在下で、磁性、光学及び半導体基板の内の少なくとも一つを研磨するために有用である研磨パッドであって、ａ）垂直方向に整列させられた、第一及び第二の端を有する複数の研磨要素４０２と、ｂ）複数の連結点４０４の各々で少なくとも三つの研磨要素４０２と研磨要素４０２の第一及び第二の端を接続し、研磨要素４０２の第一及び第二の端の間の垂直方向の厚さを示す各階層を形成する複数の連結点４０４と、ｃ）研磨要素４０２を接続する複数の連結点４０４の連続した階層を接続することから形成される、相互接続された格子構造４００とを含む研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーを得る。
【解決手段】スラリーは、酸化剤０〜２５重量％、砥粒０．１〜５０重量％、ポリビニルピロリドン０．００１〜５重量％、多成分界面活性剤（多成分界面活性剤は、疎水性テール部、非イオン親水性部分及びアニオン親水性部分を有し、前記疎水性テール部が炭素原子６〜３０個を有し、前記非イオン親水性部分が炭素原子１０〜３００個を有する）０．００００２〜５重量％、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター０．００１〜１０重量％、銅配線の除去速度を高めるためのリン含有化合物０〜５重量％、研磨中に形成される錯化剤０．００１〜１０重量％及び残余としての水を含む。 （もっと読む）

【課題】より均一かつ一定した基板加工を促進するために、研磨パッドの寿命の間にわたり、研磨中の溝容積及び深さの程度を減少させる方法を提供する。
【解決手段】感温性の形状記憶材料で作られた熱加工された研磨層３０を備える形状記憶化学機械研磨パッドを加工して、研磨面に近い領域を優先的に加熱することにより、一定した溝容積及び深さを維持し、研磨及びコンディショニングによる溝容積及び深さの損失を抑えることができる。また、研磨パッドの表面を選択的に加熱することにより、加熱された領域のパッド材料が高密度な状態から復元状態に転移するので、研磨動作中の溝容積及び深さの減少率を最小限にするか又は消去することができる。 （もっと読む）

【課題】銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーを得る。
【解決手段】スラリーは、酸化剤０〜２５重量％、砥粒０．１〜３０重量％、ベンゼンカルボン酸０．００１〜５重量％、多成分界面活性剤（多成分界面活性剤は、疎水性テール部、非イオン親水性部分及びアニオン親水性部分を有し、疎水性テール部が炭素原子６〜３０個を有し、非イオン親水性部分が炭素原子１０〜３００個を有する）０．００００２〜５重量％、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター０．００１〜１０重量％、銅配線の除去速度を高めるためのリン含有化合物０〜５重量％、研磨中に形成される錯化剤０〜１０重量％及び残余としての水を含む。 （もっと読む）

【課題】金属ダマシン構造の半導体ウエハの研磨において、ディッシングを低減可能な研磨パッドとそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は前駆体の表面を研磨するための、及び半導体ウェハ上の金属ダマシン構造を平坦化するための研磨パッドにおいて、パッドの研磨層は、約４０〜７０ショアＤの硬度、約１００〜２，０００MPaの４０℃での引張弾性率、及び約１〜５の３０℃−９０℃でのＥ′の比を有する。さらに、約２５℃の周囲温度でパッドを脱イオン水に２４時間浸漬したとき、パッドの各線寸法の変化が約１％未満とし、パッドの硬度減少が約３０％未満となるように構成する。 （もっと読む）

【課題】水性スラリーは、タンタル含有バリヤ層及び銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用である。
【解決手段】スラリーは、酸化剤０〜５重量％、シリカ砥粒０．１〜２５重量％、ポリビニルピロリドン０．００１〜３重量％、ホルムアミジン、ホルムアミジン塩、ホルムアミジン誘導体、グアニジン、グアニジン誘導体、グアニジン塩及びそれらの混合物の少なくとも一つから選択されるイミンバリヤ除去剤０．０２〜５重量％、炭酸塩０．０２〜５重量％、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター０．０１〜１０重量％、錯化剤０．００１〜１０重量％及び残余としての水を含み、９〜１１のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】加工品を研磨又は平坦化するための製品を提供すること。
【解決手段】研磨スラリーと共に使用され、加工品を研磨又は平坦化するための研磨パッドであって、（１）それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しない高分子微小エレメント１６が複数、含浸された高分子マトリックス１４からなり、（２）作業面と、作業面に隣接する副表面２４を有する研磨パッドであって、高分子微小エレメント１６は空隙スペース２２を有し、加工品を研磨又は平坦化する作業において、作業環境に接すると、高分子微小エレメント１６が開口して、その硬さが副表面２４に埋め込まれた高分子微小エレメント１６の硬さよりも減じることを特徴とする研磨パッド。 （もっと読む）