【課題】３工程ＣＭＰ−ＳＴＩ法の最終工程で使用するための、酸化ケイ素及び窒化ケイ素の両方の除去を促進するケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素材料及び窒化ケイ素材料を含む基材を研磨するためのケミカルメカニカル研磨組成物であって、初期成分として、第一の物質（ジエチレントリアミンペンタキス（メチルホスホン酸））及び第二の物質（テトラメチルグアニジン）の少なくとも一つ；砥粒；及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥を減少させ、研磨速度を高める研磨パッドを提供する。
【解決手段】ポリウレタンマトリックス内に二重気孔率構造を含み、二重気孔率構造は、厚さ１５〜５５μm、および２５℃で測定した貯蔵弾性率１０〜６０MPaの孔壁を有する第１の気孔群を有し、さらに孔壁は、平均孔径５〜３０μmを有する第２の気孔群を含有し、多孔質研磨層は、ポリマーフィルムまたはシート基材に固定するか、あるいは織物または不織構造に形成して、研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ研磨に適した研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンの少なくとも一つを含むパターン付けされた半導体基材を研磨するのに適している。研磨パッドのポリマーマトリックスは、ポリオールブレンド、ポリアミン又はポリアミン混合物及びトルエンジイソシアネートのポリウレタン反応生成物である。ポリオールブレンドは、合計で１５〜７７重量％のポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物で、ポリプロピレングリコール及びポリテトラメチレンエーテルグリコールの混合物は、２０／１〜１／２０のポリプロピレングリコール／ポリテトラメチレンエーテルグリコールの重量比を有する。ポリアミン又はポリアミン混合物は８〜５０重量％であり、トルエンジイソシアネートは合計で１５〜３５重量％のモノマー又は部分的に反応したトルエンジイソシアネートモノマーである。 （もっと読む）

【課題】基板をケミカルメカニカルポリッシングする方法であって、二酸化ケイ素の加工選択比が高い研磨液を提供する。
【解決手段】二酸化ケイ素を含む基板を用意し；水、砥粒；ジ第四級カチオン；および場合により第四級アルキルアンモニウム化合物を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物を用意し；ケミカルメカニカルポリッシングパッドを用意し；ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の界面に動的接触を作り出し；次いでケミカルメカニカルポリッシング組成物を、ケミカルメカニカルポリッシングパッド上で、ケミカルメカニカルポリッシングパッドと基板の界面または界面近くに計量分配することを含み；ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、ｐＨ２〜６であり；ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、少なくとも１，５００Å/minの二酸化ケイ素の除去速度を示す、方法。 （もっと読む）

【課題】スループット増加のために除去速度を増加させ、ウェーハの歩留り増加のための研磨パッドを提供。
【解決手段】研磨パッドは、中心と、中心を囲む内側領域と、内側領域から内側領域を囲む外側領域まで溝をつなぐ移行領域とを含む。外側領域は、高速経路を持つ多数の溝を有する。移行領域は、外側領域に隣接し、以下のとおり画定される中心からの半径内にあり：


内側領域が外側領域まで途切れなく伸びる連続する溝の起点となる。 （もっと読む）

【課題】スループット増加のために除去速度を増加させ、ウェーハの歩留り増加のための研磨パッドで研磨する方法。
【解決手段】基材は、流路のない表面を持つキャリヤ固定具に固定される。方法は、研磨パッドの研磨面に隣接し平行な流路のない表面を持つキャリヤ固定具に基材を固定する工程を含む。研磨パッドは、高速経路を持つ多数の溝を有する。方法は、キャリヤ固定具に隣接する研磨パッドに研磨媒体を適用する工程と、研磨パッドおよびキャリヤ固定具を回転させて研磨パッドおよび研磨媒体で基材を研磨する工程であって、キャリヤ固定具の流路のない表面が研磨パッドに押し当てられて基材への研磨媒体の流動を妨げ、高速溝経路がキャリヤ固定具を横断して基材への研磨媒体の流動を促進する、工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】銅の除去速度を上げることなく超low-k絶縁材に対するバリヤのモジュラー除去を達成することができ、さらには、low-k絶縁材エロージョンを制御しながらバリヤを除去することができるスラリーを提供する。
【解決手段】本水性スラリーは、銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用である。本水性スラリーは、酸化剤０〜２５重量％、砥粒１〜５０重量％、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター０．００１〜１０重量％、下記の式：


（このポリ（メチルビニルエーテル）は、水溶性であり、ｎは、少なくとも５の値である）を有するポリ（メチルビニルエーテル）０．００１〜５重量％、研磨中に形成される銅錯化剤０〜１０重量％、及び残余としての水を含む。 （もっと読む）

【課題】銅およびｌｏｗ−ｋ絶縁材料の存在下でバリア材料を有する基材を研磨するケミカルメカニカル研磨組成物は、基材上の他の材料よりも有利な選択性で、高いバリア材料除去速度を提供する。
【解決手段】水；平均粒子サイズ１００nm以下である砥粒１〜４０重量％；第四級化合物０．００１〜５重量％；式（Ｉ）：


（式中、Ｒは、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アルキル、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アリール、Ｃ₂〜Ｃ₂₀アラルキルおよびＣ₂〜Ｃ₂₀アルカリールから選択され；ｘは整数０〜２０であり；ｙは整数０〜２０であり；ｘ＋ｙ≧１である）で表わされる材料を含み；ｐＨ５以下であるケミカルメカニカル研磨組成物を用いて、配線金属およびｌｏｗ−ｋ絶縁材料少なくとも１種の存在下でバリヤ材料を含む基材をケミカルメカニカル研磨する方法。 （もっと読む）

【課題】ＰＲＡＭ装置の製造時に相変態合金を選択的に除去することができる一方で、高い除去速度と低いディッシングが得られるケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【解決手段】水；５０nm以下の平均粒径を有する砥粒１〜４０重量％；第四級アンモニウム化合物０〜５重量％を含み；酸化剤とキレート剤を含まず；ｐＨ６を超え１２以下であるケミカルメカニカル研磨組成物を使用し、ゲルマニウム−アンチモン−テルルカルコゲニド相変態合金を含む基材のケミカルメカニカル研磨方法。 （もっと読む）

【課題】シールされた窓を有するケミカルメカニカル研磨パッドのサブパッド層への窓漏れを軽減する。
【解決手段】光透過性窓要素が内部開口内に配置され、多孔性サブパッド層の内周縁に接触し、光透過性窓要素が感圧接着剤層に接着され、多孔性サブパッド層が内周縁に沿って第一の臨界圧縮力に付されて、周縁に沿って多孔性サブパッド層の第一の不可逆的に圧壊された高密化領域を形成しており、多孔性サブパッド層が多孔性サブパッド層の外周に沿って第二の臨界圧縮力に付されて、多孔性サブパッド層の外周に沿って多孔性サブパッド層の第二の不可逆的に圧壊された高密化領域を形成しており、研磨面が基材を研磨するために適合されている多層ケミカルメカニカル研磨パッド。 （もっと読む）