説明

ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】加工品を研磨又は平坦化するための製品の製造方法を提供すること。
【解決手段】研磨スラリーと共に使用される、加工品の表面を研磨又は平坦化するための研磨パッドであり、それ自体は実質的に加工品の表面を研磨しない高分子微小エレメントが複数、含浸された高分子マトリックスからなるパッドの製造方法であって、(1)高分子マトリックスを形成するプレポリマーに、高分子微小エレメントを配分する工程;(2)高分子微小エレメントが配分されたプレポリマーを硬化させて製品とする工程;及び(3)製品を切断する工程;を含む、製造方法である。 (もっと読む)


【課題】酸化ケイ素含有材料を高い除去速度で除去するスラリーは、下地のマスク、キャップも除去する傾向がある。これらの下地層の無制御な除去は、集積回路の最終的な性能に不都合な影響を与える。酸化ケイ素含有層の制御された除去を可能にする研磨組成物を提供する。
【解決手段】 本水性研磨組成物は、半導体基板を研磨するために役立つ。研磨組成物は、0.05〜50重量%の砥粒、および0.001〜2重量%のλ型カラゲナンを含み、λ型カラゲナンは、TEOS除去速度を速めるために役立つ濃度を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体基材を研磨するための複合ケミカルメカニカル研磨パッドを得る。
【解決手段】複合ケミカルメカニカル研磨パッド300は、第一の圧縮性を有する研磨層304と、第一の圧縮性よりも低い第二の圧縮性を有する中間層312と、第二の圧縮性よりも高く、第一の圧縮性よりも低い第三の圧縮性を有する下層314とを有する。研磨層304は、少なくとも50容量%の気孔率を有する。低下した欠陥品率及び改善された研磨性能を有する多層水系研磨パッドを提供する。 (もっと読む)


【課題】銅除去速度を高めながらも超low-k絶縁材料に対するバリヤのモジュラー除去を達成する。
【解決手段】水性スラリーは、銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用である。水性スラリーは、酸化剤0.01〜25重量%、シリカ砥粒0.1〜50重量%、ポリビニルピロリドン0.001〜3重量%、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター0.01〜10重量%、銅配線の除去速度を高めるためのリン含有化合物0.001〜5重量%、研磨中に形成される酸錯化剤0.001〜10重量%及び残余として水を含み、少なくとも8のpHを有する。 (もっと読む)


【課題】密度、気孔率が均一であって、研磨の欠陥率を減少し研磨性能能を改善した水性研磨パッドを提供する。
【解決手段】 ケミカルメカニカル研磨パッドであって、微小球を中に分散させた、水性ポリマー又はそのブレンドで形成されたポリマーマトリックスよりなる。 (もっと読む)


【課題】研磨組成物を使用するCMP加工において、光学終点検出装置との組合せで有用な研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨面46を有する研磨パッド40は、ポリマーマトリックス52でできており、液状コア56を有するポリマーカプセル54を含む。ポリマーマトリックス、ポリマーカプセル及び液状コアそれぞれは屈折率を有し、透明であり、研磨パッド中に別個の開口又は窓を要することなくインサイチュ光学終点検出装置の使用を可能にする。 (もっと読む)


【課題】さほど面倒でなく、時間を要さず、費用効果的に製造することができる、ケミカルメカニカルポリッシングのための研磨パッドを形成する方法を提供する。
【解決手段】上部研磨パッドをサブ研磨パッドに積層して積層パッドを形成すること、及び積層パッドを、レーザを含むレーザアブレーションステーションに移すこと、レーザからのレーザビームを変調させて上部研磨パッド及びサブ研磨パッドの両方を改変すること、及び積層パッドを移動することなくレーザアブレーションした積層パッドを特定の基準点から検査することを含む方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】研磨組成物を使用するCMP加工で基材を平坦化するのに有用な、ポリマーカプセルを埋め込まれた研磨パッドを製造する方法を提供する。
【解決手段】ポリマーよりなるマトリックス材料11中にポリマーシェル内に液状コアを封止したポリマーカプセル30を分散させる工程、それを用いて研磨パッド10を形成する工程とからなる。研磨面40に位置するポリマーシェルが破裂することで研磨に必要な表面凹凸35を研磨パッド表面に形成する。 (もっと読む)


【課題】研磨パッドに照射される一つのビームは、溝の底部にテキスチャがほとんどなく、溝開口部の幅に対してテーパ状の幅を有するため、「V」字形の溝の総表面積は、一般的な正方形又は長方形の溝と比べ減少している。本発明は、スラリーを運ぶための増大したテキスチャ及び表面積を有し、研磨性能を改善する、改良されたケミカルメカニカルプラナリゼーションのための研磨パッドをレーザアブレーションによって形成する方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドに溝を切削するためのレーザを用意することと、レーザからのレーザビームを分割するためのビームスプリッタを用意することとを含む。さらに、方法は、レーザからのビームを分割して多数のレーザビームを研磨パッドに提供し、多数のレーザビームは、少なくとも互いに重なり合う有効切削区域を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体基材のケミカルメカニカルプラナリゼーションにおける研磨の終点を光学的に検知するために用いられる研磨パッドにおいて、より高い光透過性及びより低い光散乱性を有する窓部を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド100は、中に形成された開口部18を有する研磨パッド本体11と、被研磨体である半導体基材の光学計測を研磨中に実施するための、開口部中に固定された窓30を含む。窓30は、そこに入射する光を透過させることができる下面を有する。下面は、下面に存在する表面粗部を除去するためにレーザアブレーションによって処理されている。 (もっと読む)


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