【課題】ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）の分野に関し、特にスラリー消費を低減する溝を有するＣＭＰパッドを提供する。
【解決手段】使用中の研磨パッドの回転によって与えられる理想軌跡を有する研磨媒体と併せて使用するための研磨パッド１００であって、研磨パッドは、複数の溝１０８を含有する研磨面を有する研磨層を含む。複数の溝は、それぞれの少なくとも一部分において、パッドを使用する際の研磨媒体の軌跡の関数として決定される形状および方向を有する。 （もっと読む）

【課題】ケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）の分野に関し、特に、スラリー消費を低減する溝を有するＣＭＰパッドを提供する。
【解決手段】環状の研磨トラックおよび同心円中心Ｏを有するケミカルメカニカルポリッシングパッド。研磨パッド１００は、複数のパッド溝１１６が形成される研磨層１２８を含む。研磨パッドは、複数のキャリヤ溝１１２を有する研磨リングを含むウェーハキャリヤなどのキャリヤとともに使用するために設計される。複数のパッド溝は、それぞれ、研磨中にキャリヤリングの前縁１２４でキャリヤリングの下方における研磨媒体の輸送を増強するために構成されるキャリヤ適合溝形状を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドである。
【解決手段】 研磨パッドは、少なくとも４，０００psi（２７．６MPa）のバルク極限引張り強さ及び独立気泡孔を含むポリマーマトリックスを有する。独立気泡孔は、１〜５０μmの平均直径を有し、研磨パッドの１〜４０容量％を構成する。パッドテキスチャは、ポリマーマトリックスの固有多孔性の結果として１〜１０μmの指数崩壊定数τを有し、砥粒を用いて定期的又は連続的なコンディショニングを施すことによって発現する表面テキスチャを有する。表面テキスチャは、τの値以下である特徴的な半値半幅Ｗ_1/2を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを研磨するのに適したケミカルメカニカル研磨パッドを得る。
【解決手段】 研磨パッドは、エラストマー性ポリマーを中に分散させたポリマーマトリックスを含む。ポリマーマトリックは、室温を超えるガラス転移温度を有し、エラストマー性ポリマーは、少なくとも一つの方向に少なくとも０．１μmの平均長さを有し、研磨パッドの１〜４５容量％を構成し、室温未満のガラス転移温度を有する。研磨パッドは、エラストマー性ポリマーなしのポリマーマトリックスから形成された研磨パッドと比較して増大したダイヤモンドコンディショナ切削レートを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体基材、光学基材及び磁性基材の少なくとも一つを研磨するのに適したケミカルメカニカル研磨パッドを得る。
【解決手段】研磨パッド２は、連続的なポリマーマトリックス６を形成する高弾性率成分と、連続的なポリマーマトリックス内の耐衝撃性改良材４とを有する。高弾性率成分は少なくとも１００MPaの弾性率を有する。耐衝撃性改良材は、高弾性率成分よりも少なくとも一桁は低い弾性率を有する、研磨パッドの耐衝撃性を増大させる低弾性率成分を含む。 （もっと読む）

【課題】銅配線のシード層であるテルニウムのバリア層を除去するのに有用である研磨スラリーを提供する。
【解決手段】過ヨウ素酸又は塩０．００１〜１０重量％、非鉄配線金属の除去速度を下げるためのインヒビター少なくとも０．０００１重量％、絶縁材除去速度を下げるための水溶性ポリマー及び界面活性剤の少なくとも一つから選択され、エチレンオキシド基又はアミド基を含有する有機添加物０．００００１〜５重量％、砥粒０．１〜５０重量％及び残余としての水を含み、８超〜１２のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】回転ビットを用いるＣＮＣ機械装置や旋盤を用いてＣＭＰ研磨パッドに溝パターンを形成する方法であり、より効率的であり、溝加工されたＣＭＰ研磨パッドを許容可能な品質を保って、より高い製造レートで製造することができる方法の提供。
【解決手段】化学機械平坦化プロセスにおいて基体の平坦化に有用な研磨パッド１４における溝の形成方法を提供する。該方法はビット径に応じて平均速度を保つことにより、回転ビットを使用した溝形成を可能にするものであり、それにより溝質を維持し欠陥を減らしつつ、より高い速度で溝を形成することができる方法である。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの設計者は、公知のパッドと比較して、より有効かつ有用な研磨パッドを実現する溝パターンを常に追求している。
【解決手段】同心円中心に位置する原点Ｏを有する研磨面１０８を含む、円形のケミカルメカニカルポリッシングパッド１００。研磨面１０８は、それぞれ溝セットの溝１２８がもう一つのセットの溝１３２と交差するパターンで配置された溝を包含する溝セット１２８，１３２を含む。各溝セット１２８，１３２の溝は、原点Ｏと同心で溝と交差する円に沿って測定された研磨面１０８の溝部割合が実質的に一定である、すなわちその平均から約２５％以内であるように構成され、配置される。 （もっと読む）

【課題】有効かつ有用な研磨パッドを実現する溝パターンが形成された研磨パッドを提供する。
【解決手段】円形の研磨トラック１２４および同心円中心１１６を有するケミカルメカニカルポリッシングパッド１００。研磨パッド１００は、それぞれ研磨トラック１２４を通過する複数の溝１２８を包含する溝パターンを有する研磨層を含む。複数の溝は、パッド１００の同心円中心１１６を中心として周方向に異なる角ピッチを有し、研磨トラック１２４内のすべての隣接する溝１２８間の半径方向ピッチが不均等である。 （もっと読む）

【課題】化学的機械的研磨のための選択的バリアスラリーの提供。
【解決手段】本発明は半導体基体の研磨に有用な水性研磨組成物を提供する。組成物は０．０５〜５０重量％の研磨剤および０．００１〜５重量％のイオタ型カラギーナンを含む。イオタ型カラギーナンは、タンタル、窒化タンタル、および他のタンタル含有材料の除去を促進するのに有用な濃度を有する。 （もっと読む）