【課題】半導体ウェハの金属ダマシン構造を研磨するためのパッド及び方法
【解決手段】パッドは、高いパッド剛性と共に、低い弾性回復と高いエネルギー散逸を有し、パッドは、約７５〜約２５４０μｍの溝深さＤ、約１２５〜約１２７０μｍの溝幅Ｗ及び約５００〜３６００μｍの溝ピッチＰとを有する溝を含むマクロテクスチャを有する。溝パターンは、約０．０３〜約１．０の溝剛性係数ＧＳＱと、約０．０３〜約０．９の溝フロー係数ＧＦＱとを与える。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金を含む基板のケミカルメカニカルポリッシング方法を提供する。
【解決手段】カルコゲナイド相変化合金を含む基板に対して、水、砥粒０．１〜３０重量％、ハロゲン化合物０．０５〜５重量％、フタル酸０．０５〜５重量％、および無水フタル酸０．０５〜５重量％とそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも１種の研磨剤とを含み、２以上７未満のｐＨを有するケミカルメカニカルポリッシング組成物と、ポリッシングパッドを用いて基板を研磨し、基板からカルコゲナイド相変化合金を選択的又は非選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲナイド相変化合金基板のケミカルメカニカルポリッシングのためのケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【解決手段】ケミカルメカニカルポリッシング組成物は、水と、コロイダルシリカ砥粒０．１〜３０重量％と、ハロゲン化合物０．０５〜５重量％、フタル酸０．０５〜５重量％、無水フタル酸０．０５〜５重量％、ならびにそれらの塩、誘導体及び混合物から選択される少なくとも１種の研磨剤と、を含み、２〜７未満のpHを有する。 （もっと読む）

【課題】銅配線を有する半導体基材をケミカルメカニカル研磨するのに有用な水性スラリーを提供する。
【解決手段】スラリーは、酸化剤０〜２５重量％、砥粒０．１〜５０重量％、銅配線の静的エッチングを減らすためのインヒビター０．００１〜１０重量％、式


（式中、ｎは、少なくとも５の値を有する）を有し、水溶性であるポリ（メチルビニルエーテル）０．００１〜５重量％、アミノ酪酸０．００５〜１重量％、リン含有化合物０．０１〜５重量％、銅錯化剤０〜１０重量％及び残余としての水を含む。 （もっと読む）

【課題】プラグ−イン−プレース窓に伴う漏出の問題、及び一体型窓に伴う研磨の欠陥問題を軽減する化学機械研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨面と一体型窓とを有する研磨層を含む化学機械研磨パッドであって；一体型窓が研磨層に一体化されており；一体型窓が硬化剤とイソシアナート末端プレポリマーポリオールとのポリウレタン反応生成物であり；イソシアナート末端プレポリマーポリオール中に含まれる未反応ＮＣＯ部分と反応して一体型窓を形成する硬化性アミン部分を硬化剤が含み；硬化剤およびイソシアナート末端プレポリマーポリオールが、アミン部分：未反応ＮＣＯ部分の化学量論量比１：１〜１：１．２５で提供され；一体型窓が０．１容積％未満の空隙率を有しており；一体型窓が５〜２５％の圧縮永久歪みを示す。 （もっと読む）

【課題】設計ニーズの変更に適合する研磨特性の望まれるバランスを提供する。
【解決手段】酸化ケイ素を含む基体を提供し；水、研磨剤および式Ｉ


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３はそれぞれ独立してＣ_１−４アルキル基から選択される）の物質を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し；化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；基体に対して研磨面を動かし；化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し；化学機械研磨組成物に含まれる式Ｉの物質は増大した酸化ケイ素除去速度および改善した研磨ディフェクト性能を提供し；並びに、酸化ケイ素の少なくとも幾分かが基体から除去される；ことを含む、基体の化学機械研磨方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】窒化ケイ素に対する酸化ケイ素の研磨選択比を改善する研磨液組成並びにそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン、酸化ケイ素および窒化ケイ素を含む基体に対して、アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と４〜１００個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、研磨剤、並びにジエチレントリアミンペンタキスを含む化学機械研磨組成物で研磨する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンに対する酸化ケイ素あるいは窒化ケイ素の研磨選択比を改善できる化学機械研磨組成物並びにそれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体に対して、アリール環に結合したアルキル基を有する疎水性部分と４〜１００個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分とを有するアルキルアリールポリエーテルスルホナート化合物、水、並びに研磨剤を当初成分として含む化学機械研磨組成物と研磨パッドを用い化学機械研磨する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコンよりも窒化ケイ素および酸化ケイ素の少なくとも１種の除去に有利に働くように適合した除去速度および除去速度選択性を示す化学機械研磨組成物を提供する。
【解決手段】酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種とポリシリコンとを含む基体を提供し；６〜３０個の炭素原子を有する非環式疎水性部分および１０〜３００個の炭素原子を有する非イオン性非環式親水性部分を有する非環式有機スルホン酸化合物、水、および研磨剤を当初成分として含む化学機械研磨組成物を提供し；化学機械研磨パッドに研磨面を提供し；基体に対して研磨面を動かし；化学機械研磨組成物を研磨面上に分配し；基体の少なくとも一部分を摩耗させて、基体を研磨し；ポリシリコンの少なくとも幾分かが基体から除去され；酸化ケイ素および窒化ケイ素の少なくとも１種の少なくとも幾分かが基体から除去される；ことを含む基体を化学機械研磨する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】高い光透過性を有し、外方への窓の膨れを起こさず、厳しい研磨用途に求められる耐久性を有する研磨窓を有する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、ポリウレタン窓を有する研磨層を含み、ポリウレタン窓は、プレポリマー混合物中の脂肪族又は脂環式イソシアネート及びポリオールで形成された架橋構造を有する。プレポリマー混合物が、ＯＨ又はＮＨ₂基を有する連鎖延長剤と反応し、かつ未反応ＮＣＯに対するＯＨ又はＮＨ₂の化学量論比が９５％未満である連鎖延長剤と反応する。ポリウレタン窓は、６０℃の一定温度で１kPaの軸方向一定引張り荷重を用いて１４０分間計測した場合で０．０２％以下の時間依存性ひずみ、４５〜９０のショアＤ硬さ及び１．３mmの試料厚さの場合に４００nmの波長で少なくとも１５％のダブルパス光透過率を有する。 （もっと読む）