【課題】基板を研磨するように適合された研磨面を備える研磨層を有するケミカルメカニカル研磨パッドが提供される。
【解決手段】研磨層１０が固有の一体成形識別機構を有し、固有の一体成形識別機構が非研磨能動であり、少なくとも２つの視覚的に別個の特徴を含み、少なくとも２つの視覚的に別個の特徴のうち少なくとも１つが非色ベース標示であり、少なくとも２つの視覚的に別個の特徴のうち少なくとも１つが色ベース標示であり、少なくとも２つの視覚的に別個の特徴は、ケミカルメカニカル研磨パッドを、複数のタイプのケミカルメカニカル研磨パッドから選択されたタイプのケミカルメカニカル研磨パッドとして固有に識別させるように選択され、研磨層が、基板を研磨するように適合された研磨面を有する。また、そのような研磨層を作製し、それらを用いて基板を研磨する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ディッシングを抑えながら高い除去速度が可能であり、短い第二工程研磨時間の後、配線金属のない表面を残す、ケミカルメカニカル研磨組成物を提供する。
【解決手段】非鉄金属を含有するパターン付き半導体ウェーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用なケミカルメカニカル研磨組成物。ケミカルメカニカル研磨組成物は、非鉄金属のためのインヒビター、ポリ（エチレングリコール）メチルエーテル（メタ）アクリレートと１−ビニルイミダゾールとのコポリマー及び水を含む。 （もっと読む）

【課題】高い除去速度を有する、銅、絶縁体、バリヤ及びタングステンウェーハなどの半導体基材を研磨する研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッドは、硬化剤とイソシアネート末端ポリテトラメチレンエーテルグリコールとの、ＮＣＯに対するＮＨ₂の化学量論比が８０〜９７％であるポリウレタン反応生成物であるポリマーマトリックスと中空ポリマー粒子を含む。イソシアネート末端ポリテトラメチレンエーテルグリコールは８．７５〜９．０５重量％の未反応ＮＣＯ範囲を有し、中空ポリマー粒子は、２〜５０μmの平均直径と研磨パッドの成分の重量％bと密度bとして


（式中、密度aは６０g/lに等しく、密度bは５g/l〜５００g/lであり、重量％aは、３．２５〜４．２５重量％である）を有する。研磨パッドは、３０〜６０容量％の気孔率を有し、ポリマーマトリックス内のセル構造が、セル構造を包囲する連続ネットワークを形成している。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨パッド製造用組立品を提供する。
【解決手段】上面および底面を有するサブパッド層；上側および底側を有する裏当てプレート；サブパッド層を裏当てプレートに取り付けるのを容易にするように設計された少なくとも２つの凹み領域を有する犠牲層；を含み、サブパッド層が裏当てプレートの上側に配置されており、犠牲層が裏当てプレートの底側に配置されており、並びに少なくとも２つの包み込みタブが裏当てプレートの底側まで伸びている；化学機械研磨パッド製造用組立品が提供される。当該化学機械研磨パッド製造用組立品を用いて化学機械研磨パッドを製造する方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】複数層化学機械研磨パッド製造製造方法を提供する。
【解決手段】研磨層を提供し；サブパッド層を提供し；場合によって追加の層を提供し；未硬化の反応性ホットメルト接着剤を提供し；未硬化の反応性ホットメルト接着剤をパターンで、少なくとも１つの層の表面上に適用し；未硬化の反応性ホットメルト接着剤のパターン上に１つの他の層を適用し；２つの層の間に未硬化の反応性ホットメルト接着剤が配置されている２つの層を押しつけ；未硬化の反応性ホットメルト接着剤を硬化させて、２つの層の間に反応性ホットメルト接着剤結合を形成する；ことを含む、複数層化学機械研磨パッドを製造する方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学的方法を用いるインシチュ終点検出に有用であり、かつ集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドを提供する。
【解決手段】集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドであって、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たず、かつ１９０〜３５００nmの範囲の波長の光線が透過する、硬質均一樹脂シートからなる第一の部分と、エア注入合成ウレタン構造からなる第二の部分とを有する、パッドである。 （もっと読む）

【課題】銅配線金属を含有するパターン付き半導体ウエーハのケミカルメカニカルポリッシングに有用な水性組成物を提供する。
【解決手段】水性組成物は、酸化剤、銅配線金属のインヒビター、水溶性の変性セルロース０．００１〜１５重量％、非糖水溶性ポリマー、銅配線金属の錯生成剤０〜１５重量％、リン化合物０〜１５重量％、銅イオンと錯体形成することができる酸化合物０．０５〜２０重量％、及び水を含み；溶液は酸性のｐＨを有する。 （もっと読む）

【課題】局面は、銅配線金属を含有するパターン付き半導体ウエーハを、研磨パッドで研磨する方法を提供する。
【解決手段】ａ）ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）インヒビター、及び銅錯生成化合物、及び水を含有する研磨水溶液を用意する工程；ｂ）パターン付きウエーハを、銅をＣｕ⁺¹イオンに溶解するやり方で、研磨水溶液及び研磨パッドで研磨する工程であって、ここで、Ｃｕ⁺¹イオンとＢＴＡインヒビターは、水溶液が錯生成化合物を含有しないときは、［ＢＴＡ］＊［Ｃｕ⁺¹］＞Ｃｕ−ＢＴＡ析出のためのＫｓｐの濃度を有するものである工程：及びｃ）銅イオンの少なくとも一部を酸化して、研磨を、Ｃｕ−ＢＴＡ沈殿物が沈降することから防ぐ工程を含む。 （もっと読む）

【課題】最小限の摩耗性コンディショニングで再生することができ、パッド耐用寿命を延ばす研磨面を有するＣＭＰ研磨パッドを提供する。
【解決手段】稠密化状態にある研磨層を含み、研磨層が本来の形状３０とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリクス材料３６を含み、研磨層が、形状記憶マトリクス材料３６が本来の形状３０にあるときにはＯＴの厚さを示し、プログラム形状にあるときには稠密化厚さＤＴを示し、ＤＴ＜ＯＴの８０％であり、形状記憶マトリクス材料の温度が（Ｔｇ−２０℃）から（Ｔｇ＋２０℃）に上昇するとき、形状記憶マトリクスが貯蔵弾性率における≧７０％の減少を示し、研磨層が基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである研磨パッド。 （もっと読む）

【課題】加工物とのより大きな実接触面積を達成するだけでなく、テキスチャ再形成の必要性を減らすか、又は解消する加えて、良好なプラナリゼーション効率のために必要な高剛性の構造を、低い欠陥率のために必要な低剛性の形状適合性構造と組み合わせるＣＭＰパッド設計が要望されている。
【解決手段】０．０１〜０．７５の無次元粗さＲを示す研磨テキスチャを含む研磨層を有するケミカルメカニカル研磨パッドを提供する。また、ケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法及びケミカルメカニカル研磨パッドを使用して基材を研磨する方法を提供する。 （もっと読む）