【課題】改良された終点検出能力を有する、浅いトレンチ素子分離法の場合の、半導体基材上のシリカ及び窒化ケイ素を研磨するための組成物を製造する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、カルボン酸ポリマーをイオン交換してアンモニアを減らす工程、及びイオン交換したカルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％を、第四級アンモニウム化合物０．００１〜1重量％、フタル酸及びその塩０．００１〜１重量％、砥粒０．０１〜５重量％ならびに残余としての水とを合わせる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】優れた平坦化能力を改善された欠陥率性能と併せ持つさらなる研磨パッド、特に、平坦化と欠陥率研磨性能との改善された組み合わせで酸化物／ＳｉＮを研磨するのに適した研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨パッド１０は、半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適している。研磨パッドは、上研磨面を有するポリマーマトリックス１２を含み、その上研磨面１４が、ポリマー研磨アスペリティ１６を有するか、砥粒でコンディショニングされるとポリマー研磨アスペリティを形成する。ポリマー研磨アスペリティは、ポリマーマトリックスから延び、研磨中に基材と接することができる上研磨面の部分となる。ポリマー研磨アスペリティは、少なくとも６，５００psi（４４．８MPa）のバルク極限引張り強さ及び少なくとも２５０lb/in（４．５×１０³g/mm）のバルク引裂き強さを有するポリマー材料からのものである。 （もっと読む）

【課題】半導体、光学及び磁性基材の少なくとも一つを平坦化するのに適した研磨パッドを提供する。
【解決手段】パッド１０の上研磨面は、ポリマー研磨アスペリティ１６を有するか、砥粒でコンディショニングされポリマー研磨アスペリティ１６を形成する。ポリマー研磨アスペリティ１６は、少なくとも４５重量％の硬質セグメント及び少なくとも６，５００psi（４４．８MPa）のバルク極限引張り強さを有するポリマー材料からのものである。ポリマーマトリックス１２は、硬質相と軟質相との二相構造を有し、軟質相の平均面積に対する硬質相の平均面積の比は１．６未満である。 （もっと読む）

【課題】光学的方法を用いるインシチュ終点検出に有用であり、かつ集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドの製造方法及びそのようなパッドを提供する。
【解決手段】パッドが、第一の樹脂からなる第一の部分と、第二の樹脂からなる第二の部分とを含み、前記第一の部分が、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たず、かつ１９０〜３５００nmの範囲の波長の光線が透過する、硬質均一樹脂シートからなるパッドであって、前記第一の部分と前記第二の部分とが同一の所望の厚さを有し、かつ第一の樹脂と第二の樹脂とをいずれか一方が液体である間に他方に完全に接触させ、次いで液体の樹脂を硬化させることにより、第一の部分と第二の部分とが接合された、パッドである。 （もっと読む）

【課題】多孔性ケミカルメカニカルポリッシング用の研磨パッドの製造方法を提供。
【解決手段】引き込み可能な表面を引き込ませて焼結室を形成する工程、およびディスペンサーを介して平均粒径が５〜５００ミクロンの熱可塑性粒子を焼結室に分配する工程を含む。この方法は、レーザーからのレーザービームを熱可塑性粒子上に集束させる工程、およびレーザービームで熱可塑性粒子を選択的に焼結させる工程をさらに含む研磨パッドの形成方法。 （もっと読む）

【課題】レーザー焼結を利用したケミカルメカニカルプラナリゼーション（ＣＰＭ）用多孔性研摩パッドの製造方法の提供。
【解決手段】多孔性研摩パッドは、レーザ１２から焼結ノズル２８の中にレーザビーム３０を集束する工程、及び注入ポートを通じ、流動化された熱可塑性粒子１８を焼結ノズルの中に注入する工程を含む方法で製造され、さらに、レーザビームで熱可塑性粒子を焼結し、焼結した熱可塑粒子を盤上に選択的に堆積することにより、形成される。 （もっと読む）

【課題】シャロートレンチ分離のための二酸化ケイ素および窒化ケイ素のケミカルメカニカルポリッシングのための組成物であって、改善された洗浄性能を示すと共に、改善された選択制および可制御性を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ上のシリカおよび窒化ケイ素を研磨するために有用な水性組成物であって、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量%、砥粒０．０２〜６重量%、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量%、カチオン化合物０．００５〜５重量%、双性イオン化合物重量%、および残部の水を含むものであって、ポリビニルピロリドンの平均分子量が、１００g/モル〜１，０００，０００g/モルである。 （もっと読む）

【課題】磁性、光学および半導体基材のメミカルメカニカルポリッシングに有用な研磨構造を有するパッドを導出する。
【解決手段】研磨パッドは相互結合した単位格子２２５の三次元ネットワークを含む。相互結合した単位格子２２５は、流体の移動および研磨くずの除去を可能とするために網目状になっている。複数の研磨要素２０８が、相互結合した単位格子２２５の三次元ネットワークを形成する。研磨要素２０８は、第一結合部２０９で第一の隣接する研磨要素に結合する第一端および第二結合部２０９で第二の隣接する研磨要素に結合する第二端を有するとともに、断面積２２２が第一結合部と第二結合部２０９との間において３０%以内に維持される。複数の研磨要素２０８から形成される研磨面２００は、複数回の研磨運転にわたって一貫した状態を維持する。 （もっと読む）

【課題】高い障壁材料除去速度、相互接続用金属に対する優れた選択比、ＴＥＯＳ、ＣＤＯおよび銅の除去速度の制御された除去を有する第二段スラリーを提供する。
【解決手段】研磨液は、絶縁体のエロージョンが制限された少なくとも１種類の相互接続用非鉄金属の存在下で、障壁材料を除去するのに役立つ。本溶液は、０〜２０重量％の酸化剤と、該相互接続用非鉄金属の除去速度を低下させるための少なくとも０．００１重量％のインヒビターと、4級アンモニウム塩によって形成される、１ppm〜４重量％の有機物含有アンモニウム陽イオン塩と、１ppm〜４重量％の陰イオン界面活性剤（４〜２５個の炭素原子を有し、該アンモニウム陽イオン塩に該陰イオン界面活性剤を加えた総炭素原子数は、６〜４０炭素原子である）と、０〜５０重量％の砥粒と、残量の水とを含み、該溶液が７未満のpHを有する。 （もっと読む）

【課題】ＢＰＳＧの除去速度は、容易に制御されない。向上した平坦化効率のみならず、向上された除去速度および選択性を有する、ＩＬＤプロセスでシリカおよびＢＰＳＧを研磨するための組成物および方法を提供する。
【解決手段】本発明は、カルボン酸ポリマー０．０１〜５重量％、研磨剤０．０２〜６重量％、ポリビニルピロリドン０．０１〜１０重量％、カチオン化合物０〜５重量％、０〜５重量％双性イオン化合物および残余の水を含み、ポリビニルピロリドンが１００ｇ／ｍｏｌ〜１，０００，０００ｇ／ｍｏｌの平均分子量を有する、半導体ウェーハ上のシリカおよびホウ素−リン酸塩−ケイ酸塩−ガラスの研磨に有用な水性組成物である。 （もっと読む）