【課題】研磨パッドは、半導体基板、光学基板及び磁性基板の少なくとも一つを平坦化するのに適する。
【解決手段】研磨パッドは、プレポリマーポリオールと多官能芳香族イソシアネートとの、イソシアネート末端化反応生成物を形成するプレポリマー反応から形成された流込み成形ポリウレタンポリマー材料を含む。前記イソシアネート末端化反応生成物が４．５〜８．７重量％の未反応ＮＣＯを有するものであり、前記イソシアネート末端化反応生成物を、硬化剤ポリアミン類、硬化剤ポリオール類、硬化剤アルコールアミン類及びそれらの混合物からなる群より選択される硬化剤で硬化させたものである。研磨パッドは、少なくとも０．１容量％の充填材又は気孔を含む。 （もっと読む）

【課題】低い弾性回復を有し、顕著な被弾性を呈する研磨パッドを提供する。
【解決手段】半導体デバイス又は前駆体の表面を研磨するための、及び半導体ウェハ上の金属ダマシン構造を平坦化するための研磨パッド及び研磨方法であり、パッドの研磨層は、約４０〜７０ショアＤの硬度、約１００〜２，０００MPaの４０℃での引張弾性率、及び約１〜５の３０℃−９０℃でのＥ′の比を有し、約２５℃の周囲温度でパッドを脱イオン水に２４時間浸漬したとき、パッドの各線寸法は約１％未満変化し、パッドの硬度は約３０％未満減少する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、光学的方法を用いるインシチュ終点検出に有用であり、かつ集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドを提供する。
【解決手段】集積回路搭載ウェーハの研磨に有用なパッドであって、硬質均一樹脂シートからなる第一の部分と、エア注入合成ウレタン構造からなる第二の部分とを有し、第一の部分が、スラリー粒子の吸収、輸送という本質的な能力を持たず、１９０〜３５００nmの範囲の波長の光線が透過し、表面テクスチャーを持つ、パッド。 （もっと読む）

【課題】低減された砥粒濃度で、改善された除去速度を有して絶縁層をケミカルメカニカルポリッシングする組成物を提供する。
【解決手段】初期組成物として、水；砥粒；式（Ｉ）で示される、ジ第四級物質；特定式で示される、グアニジンの誘導体；および、場合により、第四級アンモニウム塩を含む、組成物。


［式中、各々のＸは、ＮおよびＰより独立に選択され；Ｒ^１は、飽和または不飽和Ｃ_１−Ｃ_１５アルキル基等、Ｒ^２〜Ｒ^７は、各々独立に、水素等より選択され；式（Ｉ）中のアニオンは、式（Ｉ）中のカチオンの＋２価とバランスする任意のアニオンまたはアニオンの組み合わせであることができる］ （もっと読む）

【課題】半導体、磁性および光学基板のうち少なくとも１つを研磨するのに有用である研磨パッドを提供する。
【解決手段】研磨表面を有するポリマーマトリックスを含む。ポリマーマイクロエレメントは前記ポリマーマトリックス内および前記ポリマーマトリックスの研磨表面に分散する。前記ポリマーマイクロエレメントの各々の中に分散するシリケート含有領域は、前記ポリマーマイクロエレメントの外表面の５０％未満を被覆する。前記ポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満は、ｉ）５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ｉｉ）前記ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびｉｉｉ）シリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメント、に関連する。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去速度およびスクラッチを改善し、パッド間の変動のより少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】気体充填ポリマーマイクロエレメントはシェルおよび５g/liter〜２００g/literの密度を有し、シェルは、ポリマー中に埋め込まれたシリケート粒子、外表面および直径５μm〜２００μmを有し、シリケート粒子は平均粒子サイズ０．０１〜３μmを有し、シリケート含有領域は前記ポリマーマイクロエレメントの外表面の５０％未満を被覆するように距離を保ち、かつ前記ポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満は、ｉ）５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ｉｉ）前記ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびｉｉｉ）シリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメントに関連する複数のポリマー粒子。 （もっと読む）

【課題】平坦化、除去速度およびスクラッチが改善され、パッド間の変動のより少ない研磨パッドを提供する。
【解決手段】気体充填ポリマーマイクロエレメントの供給流をガスジェットに吹き込み、コアンダブロックに隣接するガスジェット中に気体充填マイクロエレメントを通過させ、コアンダブロックの湾曲した壁から粗粒のポリマーマイクロエレメントを分離し、捕集されたポリマーマイクロエレメントは、５μmを超える粒子サイズを有するシリケート粒子、ポリマーマイクロエレメントの外表面を５０％を超えて覆うシリケート含有領域、およびシリケート粒子と凝集して平均１２０μmを超えるクラスターサイズになったポリマーマイクロエレメントに関連するポリマーマイクロエレメントの総計の０．１重量％未満を含み、除去されたポリマーマイクロエレメントをポリマーマトリックスに挿入することで研磨パッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】酸化ケイ素及びＳｉ３Ｎ４のような絶縁体膜の調整可能な除去速度及び除去速度の選択比を示す、ケミカルメカニカルポリッシング組成物を提供する。
【解決手段】初期成分として、水；砥粒；式（Ｉ）によるハロゲン化第四級アンモニウム化合物；及び、場合により、特定式によるジ第四級物質を含む、ケミカルメカニカルポリッシングスラリー組成物。
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【課題】磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】アミン部分の未反応−ＮＣＯ部分に対する化学量論比が９５％未満で前記芳香族ポリアミンおよびイソシアネート末端プレポリマーポリオールが提供され、前記光安定性ポリマー終点検出窓が、１kPaの一定軸引張荷重で６０℃一定温度で１００分で測定したときに０．０２％以下の時間依存性歪みを示し、厚み１．３mmの窓について波長３８０nmにおいて、１５％以上の光学複光路透過率（ｏｐｔｉｃａｌ ｄｏｕｂｌｅ ｐａｓｓ ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ）を示し、かつ研磨表面が、磁性基板、光学基板および半導体基板から選択される基板を研磨するのに適している、ケミカルメカニカルポリッシングパッド。 （もっと読む）

【課題】改善された絶縁層除去速度及び、改善された貯蔵安定性を示す、ＩＬＤ及びＳＴＩプロセスにおいて絶縁層を研磨する組成物及び方法を提供する。
【解決手段】初期成分として、水；平均粒径５〜１５０nmを有する砥粒０．１〜４０重量％；特定式で示されるアダマンチル物質０．００１〜１重量％；式（Ｉ）で示される二価第四級物質０〜１重量％；及び第四級アンモニウム化合物０〜１重量％、を含むケミカルメカニカルポリッシング組成物。そのケミカルメカニカルポリッシング組成物を用いたケミカルメカニカルポリッシングの方法。


（式中、各Ｘは独立してＮ又はＰ、Ｒ^１はＣ_１−Ｃ_１５アルキル基等、Ｒ^２〜Ｒ^７はそれぞれ独立してＨ等、アニオンはカチオンの＋電荷と釣り合う任意の１つ以上のアニオン） （もっと読む）