静電気放電（ＥＳＤ）保護回路（３０）は、電力供給電圧線（ＶＤＤ，ＶＳＳ）に接続され、多重独立ゲート電界効果トランジスタ（ＭＩＧＦＥＴ）（３２，３４，３６，３８）、前段駆動回路（６０，６２）およびホットゲートバイアス回路（４０，４２）を含む。ＭＩＧＦＥＴは、出力パッド（４４，４６）と電力供給電圧線との間に接続されるソース／ドレインの経路を有し、第１ゲート端子および第２ゲート端子を有する。前段駆動回路は、出力を有する。ホットゲートバイアス回路は、ＭＩＧＦＥＴ（３４）の第１ゲート端子（６８）と接続され、前段駆動回路（６０）の出力は、ＭＩＧＦＥＴ（３４）の第２ゲート端子（６４）と接続される。ホットゲートバイアス回路（４０）は、ＥＳＤ現象に対してより良好な耐性を有するように、ＥＳＤ現象中にＭＩＧＦＥＴの第１ゲート端子にバイアス電圧を印加するように構成され、ＭＩＧＦＥＴのブレークダウン電圧を上昇する。
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電子アセンブリ（５２）を製造する方法が記載される。プラスチック母材（４３）に保持された電子ダイ（３６）が電子アセンブリ（５２）の部分的に完成されたパネル（３５）を形成する。パネル（３５）は、貫通する複数の孔（２２）を有するセラミック担体（２０）に接着剤によって取り付けられる。導電性相互接続（３８−１、３８−２など）およびその他の層がパネルに貼付され、ダイ（３６）表面の電気接点およびパネル（５０）の外部電気接点（３９−１）に結合される。パネル（５０）および担体（２０）は分離され、パネルは単一化されて、完成された電子アセンブリ（５２）を剥離する。シリコーンは、好ましい接着剤（２７）であり、担体（２０）内の孔（２２）を接着剤（２７）まで貫通する非極性溶媒（７０）を用いて溶解される。接着剤（２７）は、転写接着サンドイッチ（２４）、すなわち、接着剤（２７）から剥がされうる、両側に除去可能なプラスチックシート（２５、２６）を有する接着剤層（２７）を用いて選択的に塗布される。これによって、アセンブリ（５２）を効率的に低コストで製造するための担体（２０）表面の接着剤（２７）の処理と適切な位置決めが容易になる。
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アプリケーション・プログラム（１０６）のタスクを実行するオペレーティング・システム（１０４）を有するデータ・プロセッサ（１０２）と、前記データ・プロセッサによる前記タスクの実行のパラメータおよびモードを制御する電力およびパフォーマンス・コントローラ（１１０、１１２、１１８）とを使ったデータ処理方法。前記電力およびパフォーマンス・コントローラは、前記タスクの非アクティブ期間を考慮に入れて前記タスクのための前記データ・プロセッサ（１０２）の要求されるパフォーマンスの推定を生成し、前記推定に応じて前記データ・プロセッサのパフォーマンスおよび電力消費を調整するパフォーマンス予測器（１１２）を含む。前記パフォーマンス予測器（１１２、１２４）は、前記タスクのそれぞれについて：
・前記オペレーティング・システム（１０４）がその同じタスクの処理を続けるために利用可能である前記タスクの利用可能な非アクティブ期間と、
・前記オペレーティング・システム（１０４）がその同じタスクの処理を続けるために利用可能でない前記タスクの利用不能な非アクティブ期間との間の区別をする。タスクの実行において締め切りを逃すのが少なくなり、サービス品質における実質的な改善が得られる。
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ダイ・オン・ダイアセンブリは、第１ダイ（１０）と第２ダイ（５０）とを有する。第１ダイ（１０）は、第１接触延出部（２８，４２）を有するとともに第１ダイ上を第１高さだけ延びるペグ（３２，４４，４５）を有する。第２ダイは、第１接触延出部に連結する第２接触延出部（６８）を有するとともにペグを囲む第２ダイ上を第２高さだけ延びる収容部（６２）を有する。ペグは収容部を超えて延びる。ペグが収容部を超えて延びるので、第１及び第２ダイ間の横方向の移動は、ペグを収容部に接触させるとともに、同ペグが収容部によって制限されることになる。ペグ及び収容部はこのように第１及び第２ダイ間の移動を拘束するのに有用である。
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テスト方法において、フラッシュＥＥＰＲＯＭ回路（１０１）のアレイ（１０３）が相互インダクタンス（ｇｍ）の不十分なビットセル（１０５，１０７，１０９，１１１）を有するか否かを判定する。この方法では、アレイのすべてのビットセルを特定のプログラムされた状態へと前処理し（４０３，４０５，４０７）、次いで、各ビットセルを読み出すこと（４１１）によって、ビットセルのうちのいずれかが望ましくない動作特性を示すか否かを判定し、その相互インダクタンスが所望されるより小さいか否かを判定する（４１３）。
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【課題】簡易な回路構成により、出力電圧範囲の拡大が可能なバッファアンプを提供する。
【解決手段】電流源ＣＳ１及びトランジスタＰ１を用いて、第１のソースフォロワ回路を構成し、電流源ＣＳ２及びトランジスタＮ１を用いて第２のソースフォロワ回路を構成する。第１のソースフォロワ回路の出力端子には、トランジスタＮ２のゲート端子及びトランジスタＰ４のソース端子を接続する。第２のソースフォロワ回路の出力端子には、トランジスタＰ２のゲート端子及びトランジスタＮ４のソース端子を接続する。トランジスタ（Ｐ４、Ｎ４）のゲート端子には、それぞれ電圧（Ｖ１１，Ｖ１２）を供給する。そして、低電圧領域では、トランジスタＰ２の代わりにトランジスタＮ４を動作させ、高電圧領域では、トランジスタＮ２の代わりにトランジスタＰ４を動作させる。 （もっと読む）

液面検出装置（１０）が、液面検出素子（１４）と静電容量−電圧コンバータ（１６）とコントローラ（１８）とを含む。液面検出素子（１４）が（ｉ）少なくとも２組のＮ個の導電性電極（２２）と（ｉｉ）Ｍ個の検出ライン（Ｓ１−Ｓ７）とを備え、Ｍは少なくとも２組の導電性電極の各組のＮより大きい又は等しい。Ｍ個の検出ラインの各々は、Ｌ組の平行な結合導電性電極を形成するように、少なくとも２組の導電性電極の各組におけるＮ個の導電性電極から選択された一つにさらに結合され、ＬはＭに等しい。静電容量−電圧コンバータ（１６）は、Ｍ個の検出ラインの各々のためにＬ組の平行な結合導電性電極の静電容量を周期的に測定する。コントローラ（１８）は、Ｌ組の平行な結合導電性電極の各組についての初期測定基準静電容量値と、初期液面高さ値とを規定する。コントローラ（１８）は、Ｌ組の平行な結合導電性電極の測定された静電容量の遷移をさらに検出する。測定された静電容量値の漸次的変化に対応する検出された遷移に応答して、コントローラが液面高さ値を更新する。
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データ処理システム（１０）は、第１（６４，７２）及び第２（６６，７４）ウェイを有するマルチウェイ・キャッシュを含むプロセッサを有する。第２ウェイは、第１ウェイに対して冗長であり、又は、第１ウェイに対して独立した、マルチウェイ・キャッシュのアソシエイティブウェイとして動作するように構成される。システムは、メモリ（１８）を含み、プロセッサ（１２）は、キャッシュ（６０）におけるリードアドレスのヒットに応答して、リードアドレスをメモリ（１８）に供給する。第２ウェイは、前記プロセッサ（１２）において、エラー検出信号に応答して第１ウェイに対して冗長となるように動的に構成される。一形態では、第２ウェイが冗長に構成される場合、キャッシュ（６０）におけるリードアドレスのヒットに応答して、リードアドレスのインデックス部分によりアドレス指定されたデータが第１および第２ウェイから供給されて互いに比較され、比較エラーが存在するかどうかが検出される。
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【課題】製造が容易で、製造コストが低く、応答時間の制御性がよく、しかも多数のセンサ素子をアレイ状に形成可能な環境センサを提供する。
【解決手段】 周囲環境における化学物質や変化を検出するセンサ（１０，３０，４０，５０，７０）は、化学指示薬を含むゾル・ゲル・センサ素子（１４，１６，１７，５４，５６，５７）を利用する。基板（１１，５１）に溝（１２，１３，２４，５２，５３）を形成する。溝は、化学指示薬を有するゾル・ゲル物質で充填され、ゾル・ゲルを硬化させて基板（１１，５１）に接着させる。溝（１２，１３，２４，５２，５３）は、光ファイバ・ケーブル（４６）のゾル・ゲル・センサ素子への光学的結合を容易とするように形成される。光は光ファイバ・ケーブル（４６）からゾル・ゲル・センサ素子（１４，１６，１７、５４，５６，５７）に結合される。 （もっと読む）

自動車システム（３００）において、センサ信号情報を生成するためにトランスデューサ構造（非接触音響加速度センサ（３１０））によって感知される内燃機関内のノックイベントを検出するためのノック検出スキームが提供される。センサ信号情報は、信号処理構造部（３１２，３１６，３１８，３２６）によって処理される、信号処理構造部（３１２，３１６，３１８，３２６）は、デジタル信号情報内の所定のピッチ周波数（３３０）と短期エネルギー増加（３２８）とを識別するために、センサ信号情報からデジタル信号パラメータを抽出する。所定のピッチ周波数（３３０）と短期エネルギー増加（３２８）とが組み合わせて用いられることによって、エンジンノック挙動の肯定的な指標が提供される。短期フーリエ変換（３２４）を用いてデジタル信号パラメータを抽出する場合、変換中のデジタル信号に適切に窓をかけることによって、時間周波数分解能が向上される。
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