差動通信バスは、マスターモジュール（１０２）と、第１及び第２導体（１１０，１１２）に接続された複数のスレーブモジュール（１０４〜１０８）とを備え、マスターモジュールとスレーブモジュールとの間で通信する。マスターモジュール（１０２）は、第１及び第２の電圧を第１及び第２の導体（１１０，１１２）にそれぞれ印加し、第１及び第２の導体で電流を供給し且つ吸い込みするドライバー（１１４，１１６）を備える。ドライバー（１１４，１１６）は、第１及び第２の電圧と第１及び第２の電圧のコモンモードの値との差を制御する。ドライバー（１１４，１１６）は、第１及び第２の導体で電流をそれぞれ制限するための第１供給電流制限器（８２２）及び第１吸い込み電流制限器（８２４）と第２供給電流制限器（８２６）及び吸い込み電流制限器（８２８）を含む。マスターモジュール（１０２）は、第１及び第２供給電流制限器（８２２，８２６）の同時活性化、又は第１及び第２吸い込み電流制限器（８２４，８２８）の同時活性化をトリガする故障状態に対してそれぞれ応答し、ドライバー（１１４，１１６）を不活性化する。
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【課題】プログラマブル遅延を使用しクロックの最適化を図った集積回路およびメモリを提供する。
【解決手段】メモリは、各々メモリ・セル（４８）とブロック制御回路（２１；２２）とを含む複数のメモリ・ブロック（１７，１８）と、第１の遅延を指示する第１の選択信号（６２）を与える出力を有する第１の選択回路（２４）と、各々第１の選択回路（２４）の出力に結合されて第１の選択信号（６２）を受け取る第１の複数のプログラマブル遅延回路（４０）とを備える。第１の複数のプログラマブル遅延回路（４０）の各々は、複数のメモリ・ブロック（１７，１８）のうちの１つのメモリ・ブロックのブロック制御回路に供給する出力信号（４５）を与える出力を有する。 （もっと読む）

【課題】どんな条件での挟み込み対しても簡単な構成で挟み込みを検出ことができ、しかも、大きな取り付けスペースを必要しない開閉機構の挟み込み防止装置及び挟み込み防止装置を提供する。
【解決手段】ウィンドガラスに人体またはその一部が近づくと、静電容量センサ１５の静電容量が増大する。制御回路部２４は、静電容量検出回路部２２が算出した最新の静電容量と先に算出した静電容量とを比較する。制御回路部２４は、最新の静電容量が先に算出した静電容量より大きいと判断したとき、閉動作中のウィンドガラスに人体またはその一部が近づいたと判定する。制御回路部２４は、接近を判定した時、モータ１６を介してウィンドガラスを停止、または、ウィンドガラスを開動作させる。 （もっと読む）

（例えばシリコン）バイポーラデバイス（４０、１００、１００’）の高周波性能は、外部ベースコンタクト（４６）とコレクタ（４４、４４’、４４”）との間の容量結合（Ｃｂｃ）の低減により向上される。外部ベースコンタクト（４６）をコレクタ（４４、４４’、４４”）の外周部（４４１）から隔てるように、製造中に誘電体突出部（４５３、４５３’）が作製される。誘電体突出部（４５３、４５３’）は、外部ベースコンタクト（４６）を真性ベース（４７２）に結合するトランジション領域（４６１）の下に位置する。デバイス製造中に、多層誘電体スタック（４５）が真性ベース（４７２）に隣接して形成され、真性ベース（４７２）から外部ベースコンタクト（４６）へのトランジション領域（４６１）を形成可能なアンダーカット領域（４５７、４５７’）の同時作製が可能にされる。キャビティ（４５７、４５７’）内に形成されたトランジション領域（４６１）が、それをコレクタ（４４、４４’、４４”）の外周部（４４１）から隔てる誘電体突出部（４５３、４５３’）の上に位置することで、ベース−コレクタ接合容量（Ｃｂｃ）が低減される。デバイスのｆ_ＭＡＸが有意に上昇される。
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スプリット・ゲート・メモリ・デバイス（１０）は、第１の仕事関数を有する選択ゲート（４６）を基板（１２）の第１の部分の上に有する。第２の仕事関数を有する制御ゲート（４４）は、第１の部分に隣接する基板の第２の部分の上にある。スプリット・ゲート・メモリ・デバイス（１０）の多数キャリアが電子であるとき、第１の仕事関数は第２の仕事関数よりも大きい。スプリット・ゲート・メモリ・デバイス（１０）の多数キャリアがホールであるとき、第１の仕事関数は第２の仕事関数よりも小さい。基板（１２）内の第１の電流電極（６２）および第２の電流電極（６４）は、制御ゲートおよび選択ゲートの下にあるチャネルによって分離される。制御ゲートおよび選択ゲートの異なる仕事関数は、デバイス性能を最適化するために各ゲートに対して異なる閾値電圧をもたらす。ｎチャネルデバイスでは、選択ゲートはｐ導電型であり、制御ゲートはｎ導電型である。
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集積回路メモリ（１０）は複数の不揮発性メモリセル（１４）と、基準セル（５０）とを有する。基準セルは、複数の不揮発性メモリセルの中の選択されたメモリセルを読み出すための基準電流を供給する。方法は、基準セルを所定の閾電圧へとトリミングする段階を有する。この基準セルのトリミング段階は、所定のバイアス条件の組により基準セル（５０）の制御ゲート（４６）、ソース端子（４８）、ドレイン端子（５０）、及び基板端子（５２）にバイアスをかける段階を有する。所定のバイアス条件の組に応答して、基準セルは、所定のバイアス条件の組の下で所定の動作時間後にもはや有意に変化しない電荷の漸近状態へ向かって、電荷を得又は失う。更に、集積回路メモリは、基準セルゲート電圧を調整して、所望の目標電流基準を出力するよう構成される。
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【課題】階層化したエリアにおいても、利用者の所在を、より正確に特定することができる現在位置出力装置、現在位置出力方法及び現在位置出力プログラムを提供する。
【解決手段】制御部１１は、定期的に、基地局に対して基準気圧情報取得要求を実行し、この基地局から、基地局の気圧及び標高を含む基準気圧情報を取得して、データ記憶部１５に記憶する。制御部１１は、定期的に、圧力センサ１６から取得した気圧の測定値と、基準気圧情報を含めた標高算出式とを用いて、現在位置の標高を算出して、データ記憶部１５に記録する。非常ボタンが押下された場合、制御部１１は、このとき算出してデータ記憶部１５に記憶した現在標高又は既にデータ記憶部１５に記録されている標高を含む緊急通知を緊急連絡先に対して行なう。 （もっと読む）

微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）容量性センサ（５２）は、可動要素（５６）であって、可動要素（５６）の端部（８０，８４）の間で変位した回転軸（６８）を中心に旋回可能な、可動要素（５６）を含む。静的導電性層（５８）は、可動要素（５６）から離間し、電極要素（６２，６４）を含む。可動要素（５６）は、長さ（７８）を示す、回転軸（６８）と一方の端部（８０）との間のセクション（７４）を含む。可動要素（５６）は、さらに、セクション（７４）の長さ（７８）より短い長さ（８２）を示す、回転軸（６８）と他方の端部（８４）との間のセクション（７６）を含む。セクション（７４）は、端部（８０）から回転軸（６８）に向かって可動要素を貫通して延在する溝（８８）を含む。溝（８８）は、センサ性能を改善するために、パッケージ応力を補償する応力逃がしをセクション（７４）内に提供する。
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微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）センサ（５２）は、基板（６２）と、前記基板（６２）から離間する可動素子（５８）と、前記基板（６２）上に形成されるサスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）と、そして前記可動素子（５８）を前記サスペンションアンカー群に相互接続する従動部材群（７４）と、を含む。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は更に、固定フィンガ群（７６）と、そして前記固定フィンガ群（７６）を前記基板（６２）に取り付ける固定フィンガアンカー群（７８）と、を含む。前記可動素子（５８）は開口部群（６４）を含む。前記サスペンションアンカー群のうちの少なくとも１つのサスペンションアンカーが、前記複数の開口部（６４）のうちの少なくとも１つの開口部内に設けられ、そして複数ペア（９４）の前記固定フィンガ群（７６）が、他の複数の開口部（６４）内に設けられる。前記ＭＥＭＳセンサ（５２）は対称に形成され、そして前記固定フィンガアンカー群（７８）の位置によってアンカー領域（１０３）を画定し、このアンカー領域内に、前記サスペンションアンカー（６６，６８，７０，７２）が配置される。
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ディスプレイ・コントローラ（３）は、ディスプレイ（５）に表示される画像の安全関連ではない部分を表す第１画像データを受信し、且つ画像の安全関連部分を表す第２画像データを受信するように接続可能なコントローラ入力（３００，３０１）を含む。合成ユニット（３１）は、コントローラ入力（３００，３０１）に接続され、第１画像データ及び第２画像データから画像を作成する。コントローラ出力（３３）は、ディスプレイに接続され、画像を示すディスプレイデータを出力する。画像モニタ（４）は、コントローラ出力（３３）に接続され、安全関連部分に対応する画像の一部分と、その一部分に対する基準とを比較する。
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