自動車システム（３００）において、センサ信号情報を生成するためにトランスデューサ構造（非接触音響加速度センサ（３１０））によって感知される内燃機関内のノックイベントを検出するためのノック検出スキームが提供される。センサ信号情報は、信号処理構造部（３１２，３１６，３１８，３２６）によって処理される、信号処理構造部（３１２，３１６，３１８，３２６）は、デジタル信号情報内の所定のピッチ周波数（３３０）と短期エネルギー増加（３２８）とを識別するために、センサ信号情報からデジタル信号パラメータを抽出する。所定のピッチ周波数（３３０）と短期エネルギー増加（３２８）とが組み合わせて用いられることによって、エンジンノック挙動の肯定的な指標が提供される。短期フーリエ変換（３２４）を用いてデジタル信号パラメータを抽出する場合、変換中のデジタル信号に適切に窓をかけることによって、時間周波数分解能が向上される。
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【課題】データ・プロセッサ（１０）において後続の命令処理に影響を及ぼす方法および装置を提供する。
【解決手段】一実施例では、データ・プロセッサ（１０）によって割り込み認識遅延命令（ＩＤＬＹ４）を実行し、制御された区間にわたって、即ち、所定の時間期間または所定の命令数の間、割り込みの認識を遅延させるか、あるいは条件付きで遅延させることによって、変更処理を定義する専用命令を用いることなく、リード／モディファイ／ライト命令シーケンスを実行可能とする。ＩＤＬＹ４命令は、後続の命令が条件ビット（３８）に影響を与える態様を変化させることができる。したがって、条件ビット（３８）を用いて、ＩＤＬＹ４命令の実行後の割り込み非認識区間において、例外処理が発生したか否かについて判定を行うことができる。 （もっと読む）

複数のセル（１２，１４，１６，１８，２０，２２，２４，２６，２８）を有するトグルＭＲＡＭ（１０）をテストする方法は、前記複数のセルのうちのテスト対象のセル（１２）を選択するステップと、第１状態を前記セル（１２）に書き込むステップと、前記セル（１２）からの読み出しを行なって前記第１状態を検証するステップと、前記セルの第１隣接セル（１４，１６，１８，または２０）の状態、及び前記セルの第２隣接セル（１４，１６，１８，または２０）の状態を、所定の隣接セルシーケンスに従って連続的に切り替えるステップであって、前記セルの前記第１隣接セルが前記セルに隣接し、かつ前記セルの前記第２隣接セルが前記セルに隣接し、そして前記所定の隣接セルシーケンスが、前記第１隣接セルの前記状態、及び前記第２隣接セルの前記状態を連続的に切り替えるべき順番を示す、前記連続的に切り替えるステップと、そして前記連続的に切り替えるステップの後、前記セルからの読み出しを行なって、前記第１状態から第２状態への変化が生じたかどうかを判断するステップと、を含む。
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不揮発性メモリ（ＮＶＭ）回路１８を論理回路２０とともに集積する方法が提供される。この方法は、基板１２のＮＶＭ領域及びロジック領域の上に第１のゲート材料層１６を堆積することを含む。この方法は更に、窒化膜、酸化膜及び窒化膜（ＡＲＣ層）を有する複数の接し合う犠牲層２２、２４、２６を互いに重ねて堆積することを含む。これら複数の接し合う犠牲層２２、２４、２６は、ＮＶＭ領域内のメモリトランジスタの選択ゲート１６及び制御ゲート３２をパターニングするために使用され、複数の接し合う犠牲層２２、２４、２６のうちのＡＲＣ層２２はまた、ロジック領域２０内のロジックトランジスタのゲート１６をパターニングするために使用される。
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【課題】簡易な回路構成により、的確に物理量を検出することができる容量型検出装置を提供する。
【解決手段】加速度センサＣＳ２は、容量変換部２０、増幅部４０、検出素子部５０、信号制御部６０を備えている。容量変換部２０は、オペアンプ２１、スイッチ２２及びコンデンサ２３から構成され、固定電極（５１、５２）と可動電極５３からなる差動容量の変化を電圧に変換する。本実施形態では、オペアンプ２１の非反転入力端子には、参照電圧として〔（Ｖ１＋Ｖ２）／２〕が入力される。信号制御部６０は、検出素子部５０の固定電極（５１、５２）に印加する電圧を供給する。更に、信号制御部６０は、バイアス供給部６１を備える。このバイアス供給部６１は、このテストモードにおいては、固定電極（５１、５２）に対して、所定のバイアス電圧を印加する。 （もっと読む）

抵抗膜方式タッチスクリーン（２２５）とともに使用され得るタッチスクリーンドライバ（２７５）は、タッチスクリーンの複数の入出力ポートのうちの少なくとも１つに少なくとも１つの入力信号を供給し、且つ該少なくとも１つの入力信号に応じて、少なくとも１つの制御信号に従い、少なくとも１つの出力信号を生成する入出力モジュール（２０４）を備える。コントローラモジュール（２１０）は、少なくとも１つの制御信号を生成し、並びに抵抗膜方式タッチスクリーンの複数の同時タッチに従い検出位置を表す位置信号を生成する。
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集積回路において、動作中に、複数のアドレス指定可能ユニット（１２）を含むメモリ（１０）のセンスアンプ（２０）差動マージンを動的に制御するための方法（８０、１２０、１４０、１７０）を提供する。本方法は、複数のアドレス指定可能ユニット（１２）に対応するセンスアンプ差動マージンを第１の値に設定する段階を含む。本方法（８０、１２０、１４０、１７０）は、更に、一組の複数のアドレス指定可能ユニット（１２）からデータを読み出す際に読み出しデータ誤りが発生した場合、複数のアドレス指定可能ユニット（１２）に対応するセンスアンプ（２０）差動マージンを第１の値より大きい第２の値に設定する段階を含む。
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パケット・ストリーム・チャネルの処理をスケジュールするための方法であって、少なくとも１つのパケット・ストリーム・チャネルが処理可能状態のメディア・フレームを含んでいるか否かを判定すること（２１０）、少なくとも１つのパケット・ストリーム・チャネルが処理可能状態のメディア・フレームを含んでいる場合に、最も高い優先度の処理可能状態のメディア・フレームを確認し（２３０）、確認した最も高い優先度のメディア・フレームを処理のためにスケジュールすること（２４０）を含む方法。本方法は、処理可能状態のメディア・フレームに、メディア・フレーム有効時間と各メディア・フレームに対する推定処理時間との少なくとも一方に基づいて優先順位をつけることをさらに含む。
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デバッグ命令を提供する工程と、デバッグ制御レジスタフィールドを提供する工程と、を含む方法において、デバッグ制御レジスタフィールドが第１の値を有する場合、デバッグ命令は、デバッグ動作を実行するものとし、デバッグ制御レジスタフィールドが第２の値を有する場合、デバッグ命令は、ノーオペレーション（ＮＯＰ）命令として実行されるものとする。データ処理システム（１０）には、デバッグ命令を受信するための命令フェッチ回路（２６）と、デバッグ制御レジスタフィールドと、デバッグ実行制御回路（６２）であって、デバッグ制御レジスタフィールドが第１の値を有する場合、第１の手法でデバッグ命令の実行を制御し、デバッグ制御レジスタフィールドが第２の値を有する場合、第２の手法で制御するデバッグ実行制御回路（６２）と、が含まれる。この場合、第１の手法では、デバッグ動作を実施し、第２の手法では、デバッグ動作を実施しない。
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デジタル回路ブロックとアナログ回路ブロックとを含む、携帯機器のための電力管理装置（１００）であって、電力管理装置は、第１の電圧をアナログ回路ブロックに供給し、第２の電圧をデジタル回路ブロックに供給するように配置される、当該電力管理装置において、複数の電源（１６１−１６４）から複数の入力電圧を入力するように構成される入力ユニット（１２０）と、入力ユニット（１２０）に結合され、第１の電圧を供給する第１の電圧レギュレータ（１４０）と、第２の電圧を供給し、第１の電圧レギュレータ（１４０）と入力ユニット（１２０）との一つに選択的に結合されるように構成される第２の電圧レギュレータ（１５０）と、複数の電源（１６１−１６４）からの複数の入力電圧のうちのどの入力電圧により電力が第１及び第２の電圧レギュレータに供給されるかを選択し、第１及び第２の電圧レギュレータから供給される第１及び第２の電圧の大きさを判定するように構成される制御ロジック（１３０）とを備える。
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