半導体装置１０のゲートカップリング比を増大させるため、超微細結晶等の個別素子２２が浮遊ゲート１６上に析出される。一実施形態において、個別素子２２は、蒸気相中で予め形成され、静電気力によって半導体装置１０に吸着される。一実施形態において、個別素子２２は、それらが吸着されるチャンバとは異なるチャンバ内で予め形成される。更に別の実施例において、同じチャンバが全ての析出工程に使用される。界面層１７は、必要に応じて、浮遊ゲート１６と個別素子２２との間に形成される。
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データ処理システム（１０）は、システム内のダイレクトメモリアクセス（ＤＭＡ）制御装置（１６）に特有の１以上のデバッグメッセージを選択的に生成するデバッグモジュール（２６）を備える。制御レジスタ（７０）は、どのＤＭＡデバッグメッセージを提供するかを有効にする。マイナーループ反復がいつ開始され、いつ完了したかを含むＤＭＡ転送活動の開始及び終了が提供される。各ＤＭＡ転送におけるチャンネルリクエストと実際のリクエスト開始との間のシステム待機時間を示す待機時間情報を、デバッグメッセージに含めてもよい。デバッグメッセージのうちの一つが、制御レジスタ（８０）の制御の下で、所定のＤＭＡチャンネルの定期的状態を提供する。デバッグメッセージのうちの少なくとも一つは、いつ転送が開始されるか、又はいつ終了するか等の監視ポイント機能を実行する。デバッグモジュールは、システムに集約させてもよく、所定のシステムユニットに分散させてもよい。
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携帯型通信装置に使用される信号生成パワーマネージメントコントロールシステム（１００）を開示する。該システムは、デジタルソース入力を処理し、デジタル処理されたビットストリームを出力するデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）を備える。デジタル処理されたビットストリームをアナログ信号に変換するため、ＤＡ変換器（ＤＡＣ）（１０３）を使用する。その後ＤＳＰ（１０１）内のパワーマネージメントコントローラ（１１５）を用い、携帯型通信装置内において使用される信号処理部品の管理パラメータを解釈し、アナログ信号の最低信号必要条件に基づき装置部品のバイアス電流を動的に調整する。
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キャビティ（２２）を形成している周辺部（２０）および周辺部から内側に延びるリード（１４）を有する第１のリードフレーム（１８）と、頂面および底面およびダイ受け領域（３６）を囲んでいるダイ・パドルを有する第２のリードフレーム（３２）を含む半導体デバイス（１０）。集積回路（１２）は、第２のリードフレームのダイ受け領域内に位置する。ＩＣは、その頂面の周辺部分上に位置するボンディグ・パッド（４４）を有する。第２のリードフレームおよびＩＣは、第１のリードフレームのリードが、各ボンディグ・パッドに電気的に接続するように第１のリードフレームと向き合っている。モールド化合物（５０）は、第１および第２のリードフレーム間に射出され、第２のリードフレームの頂面およびＩＣの第１の面の中央領域をカバーする。リードの少なくとも底面は露出している。
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磁気トンネル接合（ＭＴＪ）（１０）は、磁気抵抗ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）において有用なものであるが、合成反強磁性体（ＳＡＦ）構造である自由層（１４）を有している。このＳＡＦ（１４）は、カップリング層（２８）によって分離される２つの強磁性層（２６，３０）から構成される。カップリング層（２８）は、非磁性のベース材料と、さらにはＳＡＦ（１４）の耐熱性、カップリング強度の制御性、および磁気抵抗比（ＭＲ）を改善する別の材料も有している。好ましいベース材料はルテニウムであり、好ましい別の材料はタンタルである。これらの利点を高めるために、タンタルと強磁性層のうちの１つとの間の界面にコバルト鉄が加えられる。また、カップリング層（２８）はより多く層をさらに（３８，４０）有してもよく、使用される材料は種々に異なり得る。また、カップリング層（２８）は、それ自体が合金であってもよい。
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センサＩＣが電気的に接続される第１のＱＦＮタイプのリードフレームを含む画像センサ装置。第２のリードフレームがレンズを保持するために設置されている。第３のリードフレームが、レンズからＩＣを適当に分離するために第１および第２のリードフレーム間に位置する。リードフレーム・パネルを使用することにより、複数のセンサ装置が同時に組み立てられる。
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半導体部品の製造方法は、半導体基板（２１０、５１０）を提供するステップと、半導体基板に溝（１３０、４３０）を形成して、その溝により互いに分離された複数の活性化領域を形成するステップと、溝の一部の下方の半導体基板に埋め込み層（２４０、７５０）を形成するステップであって、埋め込み層が溝と少なくとも部分的に接するステップと、埋め込み層の形成後に、溝に絶縁材料（１３３、８１０）を析出させるステップと、複数の活性化領域の一つにコレクタ領域（１５０，９５０）を形成するステップであって、コレクタ領域が埋め込み層との接触部を形成するステップと、複数の活性化領域の一つを覆うベース構造を形成するステップと、複数の活性化領域の一つを覆うエミッタ領域を形成するステップとを含む。
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ネットワークたとえばイーサネット・ベースのネットワークからの到着メッセージを処理して、このようなメッセージをメモリ内にファイルすること、このようなメッセージをキャッシュ内に選択的に隠蔽することを支援するために、情報処理システムにおいてパターン・マッチングが用いられる。パターン・マッチングによって、ソフトウェア・ベースのプロセッサ・タスクを増加させることなく、メッセージを容認および拒否する効率を増大させる。到着メッセージを、パターンが存在すること、パターンが存在しないことについて、検索することができる。到着メッセージを、複数のパターンが存在することについて、検索することができる。パターン・マッチングの結果は、メッセージを容認および拒否することに対して使用できるだけでなく、受信後の他のタスクに対しても使用することができる。他のタスクとは、たとえば、特定のパターン・マッチを有するメッセージの確認された相対的優先度または絶対的重要度に従って到着メッセージを選択的に記憶すること、パターン・マッチに従ってマルチ・プロセッサ・コンピュータ・システム内の異なる処理ドメインに対するメッセージの選択的な方向づけなどのことである。
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スロットベースの低中間周波数（ＩＦ）無線受信機は、位相が９０°異なるＩ及びＱのＩＦ局部発振器信号成分を生成するためのＩＦ局部発振器（３、５、１９）と、入力信号をＩ及びＱのＩＦ局部発振器信号成分とミキシングして、Ｉ及びＱのＩＦ信号成分を生成するためのＩ及びＱミキサチャネル（４、６）と、を備える。ＩＦ局部発振器（３、５、１９）は、各フレーム中に第１値と第２値との間でＩＦ局部発振器周波数を複数回交互に変更するための周波数変更手段（２０）を含む。隣接する干渉信号や他の干渉信号の影響を低減するように、第１値と第２値とのうちの一方は、入力信号の所望のキャリア周波数よりも大きく、他方は、それよりも小さい。ベースバンド局部発振器（１２、１３）の位相は、ＩＦ局部発振器周波数の交互変化と同期して交互に変化する。
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パイプライン化された処理システムにおける分岐先バッファ（ＢＴＢ）（１４４）においてエントリを割り当てる方法（２００）及び装置（１００）は、命令をシーケンシャルにフェッチすること、それらの命令のうちの１つが分岐命令（２１５，２２０）であることを決定すること、その分岐命令を復号して分岐先アドレスを決定すること、パイプライン化された処理システムにおいて機能停止を引き起こすことなしに分岐先アドレスを獲得することができるかどうかを決定すること、及びＢＴＢエントリ（１４４）を上記の決定に基づいて選択的に割り当てることを含む。一実施形態において、ＢＴＢ（１４４）のエントリは、分岐命令がプリフェッチ・バッファ（１０２）の所定のスロット（Ｓ１）にロードされず且つ他の機能停止条件が起きない場合割り当てられる。本方法（２００）及び装置（１００）は、ＢＴＢ（１４４）を用いる利点と分岐先取りを用いる利点とを組み合わせて、データ処理システムにおける機能停止条件を低減する。
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