【課題】カーボンファイバの成長密度等を任意に制御可能となして、各種用途に用いることができるカーボンファイバを安価に製造可能とすること。
【解決手段】基板１上に下地膜３と触媒膜５とをこの順に成膜する第１工程と、熱処理により下地膜３から非触媒微粒子３ａを生成し触媒膜５から非触媒微粒子３ａに担持された触媒微粒子５ａを生成する第２工程と、触媒微粒子５ａにカーボンを含むガスを作用させてカーボンファイバ９を生成する第３工程とを含み、第１工程において、下地膜３と触媒膜５それぞれの膜厚を制御して、第２工程での熱処理により非触媒微粒子３ａや触媒微粒子５ａ以外に触媒微粒子５ａの触媒作用を阻害する阻害物７を生成すること。 （もっと読む）

【課題】データ駆動型プロセッサのシミュレータを提供する。
【解決手段】シミュレータは、模擬対象のデータ駆動型プロセッサ用のプログラムを、ソース及びデスティネーションオペランドのオペランド識別子を含む一連の命令からなる中間語に変換する解析手段と、各オペランドについて、オペランド識別子と、オペランドの値を管理するオペランド管理手段と、中間語の各命令から、発火条件に基づき発火可能な命令を特定する発火判定手段と、発火判定手段による特定後、特定された命令を実行し、実行した命令のデスティネーションオペランドのオペランド識別子及びその値をオペランド管理手段に通知する発火実行手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板と触媒膜との間に下地膜を介在させなくても、カーボンファイバを十分な長さと密度とで成長させることを可能とする。
【解決手段】本カーボンファイバの製造方法は、基板１上に触媒膜２を直接成膜する第１工程と、この触媒膜２を酸化処理する第２工程と、この酸化処理された触媒膜２を加熱雰囲気下で炭素系ガスに接触させて還元しかつ微粒子化して触媒微粒子３を生成する第３工程と、この生成した触媒微粒子３の触媒作用によりカーボンファイバ４の成長を開始させる第４工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高純度でかつ損傷の無いかあるいはより少ないカーボンファイバの集合体を提供すること。
【解決手段】本発明のカーボンファイバの集合体５は、基板１上に触媒を用いて生成されたもので該基板２上から回収されるカーボンファイバ４の集合体であって、ガス圧で基板１から剥離されたカーボンファイバ４を集合させた構成。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバの成長密度等の制御を触媒物の配置制御により可能とすること。
【解決手段】カーボンを含むガスに作用してカーボンファイバの成長を促進する触媒微粒子５ａを含む触媒物が多数配置され、これら触媒物の配置間に、触媒微粒子５ａの前記作用を阻害する阻害物７がカーボンファイバ束内でのカーボンファイバ９の成長密度を制御することができるチップ状に分散して配置されている構造。 （もっと読む）

【課題】 高級プログラミング言語との親和性が高く、従来のソフトウェア資産の利用が可能であり、かつ、従来のプロセッサよりもパフォーマンスを向上させることができるプロセッサを提供する。
【解決手段】 プロセッサは、基本ブロック境界を特定する情報と、各基本ブロックについて、制御フローグラフ上で次に位置する基本ブロックである次位基本ブロックを特定する情報を含む実行可能プログラムを実行するものであり、ロードされる基本ブロックを実行する１つ以上の実行計算手段と、実行計算手段に対応して設けられる保存手段と、基本ブロックを単位とした、実行可能プログラムの実行計算手段へのロード制御を行うと共に、ロードした基本ブロックの次位基本ブロックを、ロード先の実行計算手段に対応する保存手段に保存するローディング手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 実行計算部の搭載数によらず、同一実行可能プログラムの使用が可能なプロセッサを提供する。
【解決手段】 プロセッサは、実行計算部と、中間データ記憶部と、各実行計算部間及び
各実行計算部と中間データ記憶部間の結線情報を保持する制御部とを備えており、実行計算部での処理内容を規定する複数の演算情報と、演算情報間での中間データの入出力関係を規定する接続情報とを含む実行可能プログラムを、実行計算部の数、結線情報及び接続情報に基づき１回以上のステージに分割して実行する。このとき、制御部は、実行されない演算情報との中間データを、中間データ記憶部から取得又は中間データ記憶部に保存するように、実行計算部及び中間データ記憶部に制御情報を出力する。 （もっと読む）

【課題】炭素膜の成長を促進する触媒を、高い密度で均一に形成できる方法およびそれを用いた炭素膜の製造方法を提供する。
【解決手段】炭素膜の成長を促進する作用を有する触媒金属膜を成長させた基板１０を、熱アニール処理する際に、直流電源３２から電圧を印加し、触媒金属膜を、粒径および分布密度が均一な微粒子とし、この触媒金属の微粒子を用いてカーボンナノチューブを
熱ＣＶＤによって成膜する際に、基板１０に直流電源３２から電圧を印加して成膜をアシストしている。 （もっと読む）

【課題】炭素膜の成膜効率、成膜速度、膜厚制御、膜質制御を容易に向上し、また、メンテナンスに手間がかからない炭素膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本炭素膜の製造方法は、熱エネルギが付与されている雰囲気内に炭素を含むガスを触媒金属に接触させて炭素膜を製造する方法であって、前記雰囲気内に電気的エネルギを付与して前記炭素膜の成膜効率を向上する方法である。 （もっと読む）

【課題】 高真空装置を必要とすることなく、工程数を増やすことなく、炭素系材料の成長用触媒を高精度に形成できるようにする。
【解決手段】 親水化処理した基板３を、触媒のコロイド溶液１４に浸漬し、基板３のカソード電極と電極１５との間で電圧を印加して電気泳動によって基板３のカソード電極上に、触媒のコロイド粒子を選択的に付着固定することにより、基板３のカソード電極上に触媒を成膜し、ＣＶＤなどによってカーボンナノチューブなどの炭素系材料を成長させる。 （もっと読む）