【課題】装置として極めてシンプルでかつコンパクト等のカーボンファイバ製造装置を提供すること。
【解決手段】本カーボンファイバ製造装置１０は、反応ガスを、屈曲した少なくとも１つの反応経路(キャピラリ管１２の管路)を分子流領域の圧力で一方向に流しながら、当該反応経路内を流動する触媒粒子に作用させてカーボンファイバを製造する構成を備える。 （もっと読む）

【課題】ウィスカを用いてカーボンファイバの製造やその他の工業的用途等に用いることができる新規な構造を備えた触媒粒子を提供すること。
【解決手段】本触媒粒子１は、一軸方向両方向に細長い針状に延びたウィスカからなり、その軸方向両先端部分にカーボンファイバの成長起点を備える。 （もっと読む）

【課題】アプリケーションプログラムの実行を行う処理部においては、タスク管理といった、アプリケーションプログラム以外の処理を実行する必要がなく、また、設計後の各種処理内容の変更にも柔軟に対応可能な演算装置を提供する。
【解決手段】演算装置は、制御手段用のプログラムを読み込んで実行することで、状態通知手段が保持する各処理手段の状態に基づき、アプリケーションプログラムを構成するタスクの各処理手段への割当てを行う制御手段と、制御手段に割り当てられたタスクを実行し、タスクの実行に関する状態を出力する複数の処理手段と、処理手段が出力する状態を保持する状態通知手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバの成長に際して基板上から触媒粉体が合着することを防止しかつ剥離しないよう強固に固定すること。
【解決手段】本触媒担持基板１０は触媒作用が無い非触媒材料からなる非触媒膜１４が固定され、触媒粉体１２は、それぞれとの隙間に非触媒材料が入り込んだ状態で非触媒膜１４中に埋め込み固定されて合着を防止され、かつ、それぞれの一部１２ａは非触媒膜１４の表面上に露出した状態で非触媒膜１４上に点在している。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバをブロック形態にして成長させること。
【解決手段】本触媒担持基板１０は複数の触媒微粒子１２が集合して１つのブロック１４になって担持されている。複数の触媒微粒子１２は好ましくはカーボンファイバの成長形態に対応してその集合形態を制御されて担持されている。 （もっと読む）

【課題】アレイ型プロセッサに対するアセンブラを提供する。
【解決手段】アセンブラは、複数のプロセッサエレメントを行列状に配置したアレイ型プロセッサを対象とし、プロセッサエレメントの行方向の数及び列方向の数を指定する行列数情報と、各プロセッサエレメントが接続できる他のプロセッサエレメントを示す接続情報とに基づき、アセンブラプログラムの各命令をプロセッサエレメントに割当て、各命令について、割り当てられたプロセッサエレメントの行列内での位置を示す位置情報が付加された中間語を生成する割当手段と、中間語をコード化してオブジェクトプログラムを出力するコード生成手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバの成長密度等の制御を触媒物の配置制御により可能とすること。
【解決手段】カーボンを含むガスに作用してカーボンファイバの成長を促進する触媒微粒子５ａを含む触媒物が多数配置され、これら触媒物の配置間に、触媒微粒子５ａの前記作用を阻害する阻害物７がカーボンファイバ束内でのカーボンファイバ９の成長密度を制御することができるチップ状に分散して配置されている構造。 （もっと読む）

【課題】カーボンファイバの成長密度を各種用途の使用形態に合わせて制御することを可能にする。
【解決手段】カーボンを含むガスに接触してカーボンファイバの成長を促進する複数の触媒微粒子５ａが配置され、触媒微粒子５ａの配置間にその触媒作用を阻害する複数の阻害物１１がブロック状に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ダメージが少なく均一な長さで高純度のカーボンファイバを大量に製造することができるようにすること。
【解決手段】本カーボンファイバの製造方法は、基板４を基板カートリッジ２に搭載する第１ステップと、基板４に触媒を成膜する第２ステップと、基板カートリッジ２を熱ＣＶＤ装置６にセットする第３ステップと、熱ＣＶＤ装置６により基板面上にカーボンファイバ２８を成膜する第４ステップと、熱ＣＶＤ装置６から基板カートリッジ２を取り出す第５ステップと、カーボンファイバ２８を触媒に非反応のガス圧により剥離して回収する第６ステップとを含み、同じ基板４を繰り返し利用してカーボンファイバ２８の量産を可能とした方法である。 （もっと読む）

【課題】ガスの種類や触媒を変更する必要なく、用途に応じた結晶性を有するカーボンファイバを製造可能とすること。
【解決手段】本カーボンファイバの製造方法は、熱エネルギが付与されている反応炉内で触媒に反応する炭素系のガス（反応ガス）を触媒金属に接触させてカーボンファイバを製造する製造方法であって、反応炉内における反応ガスの圧力を制御してカーボンファイバの結晶性を制御する。また、反応炉内の圧力を触媒に反応しないガス（非反応ガス）の導入により一定に制御する。 （もっと読む）