【課題】高純度なカーボンファイバを量産することができ、かつ、原料ガスの有効利用率が高いカーボンファイバ製造方法を提供すること。
【解決手段】本カーボンファイバ製造方法は、反応管１２内を触媒付き基板１６を進行させる過程で触媒をアニールして活性化すると共にこの進行方向に対向して流入されてくるＣ₂Ｈ₂ガスを分解させて基板１６上にＣＮＴ２２を成長させるに際して、触媒２０がアニールされる基板１６の進行位置ではＨ₂ガス濃度を高くし、触媒高活性領域ＣではＨ₂ガス濃度が高めのＣ₂Ｈ₂ガスにてカーボン不純物の生成を抑制し、触媒低活性領域ＤではＣ₂Ｈ₂ガス濃度を高くすることにより触媒２０の能力を最大限にしてＣＮＴ２２を成長させる。 （もっと読む）

【課題】電極基板上でカーボンナノチューブの起毛長さにばらつきがあっても、同等の電界電子放出特性の電界電子エミッタを提供可能とする。
【解決手段】複数本のカーボンナノチューブ５が起毛している電極基板１において、起毛長さが一定未満のカーボンナノチューブ５がその起毛長さが短くなるほどカーボンナノチューブ５全体の本数に対してその本数が多くなる比率で、また、一定の起毛長さ好ましくは１６μｍ以上のカーボンナノチューブ５がその起毛長さが長くなってもカーボンナノチューブ５全体の本数に対してその本数がほぼ一定の比率好ましくは１−６％でもって分布している電界電子エミッタ。 （もっと読む）

【課題】エミッタ膜表面と粘着テープの粘着面との間に気泡が残らないようにしてエミッタ膜表面に粘着性シートの粘着面を貼り付けられるようにする。
【解決手段】カーボンナノチューブ８と無機バインダ１０とを含むエミッタ膜４の表面に粘着性シート１４の粘着面を貼り付け、次いでこの貼り付けた粘着性シート１４の粘着面をエミッタ膜４表面から剥離してカーボンナノチューブ８をエミッタ膜４表面から露出させると共に起毛させるカーボンナノチューブ起毛方法において、上記貼付に際しては、エミッタ膜４表面を粘着性シート１４の粘着面で覆うと共にエミッタ膜４表面と粘着性シート１４の粘着面とで囲む内部空間１６の圧力を粘着性シート１４表面側の外部空間２８の圧力より減圧状態に制御し、この内部圧力と外部圧力との圧力差で上記エミッタ膜４表面全体に粘着性シート１４の粘着面全体を等方圧で貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】基板上の触媒膜が気中放置されても酸化されない基板ユニットを提供する。
【解決手段】本基板ユニット１は、基板３と、この基板３上に成膜されていて熱アニール温度で微粒子化する触媒膜５と、この触媒膜５の表面を覆って上記触媒膜５を保護するもので熱分解温度が熱アニール温度未満の触媒保護膜７と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板表面に集合配置した複数のカーボンナノチューブ等のカーボンファイバの先端部を電子放出性能に優れた活性化処理することを可能にする。
【解決手段】基板表面に集合配置した複数のカーボンファイバの各先端部とアノード電極との間隙に酸素を含むガスを導入すると共にアノード電極と該アノード電極に最近の先端部との間隙を最小最適間隙に制御することでその最近先端部に電界集中による通電電流を流してジュール熱を発生させ、このジュール熱で当該最近先端部を損耗させる操作を行うことで全体の先端部とアノード電極との間隙を均等制御し、また、上記間隙にアルゴンガス等を導入すると共に導入したガスをイオン化し、発生したガスイオンを先端部に加速衝突させて各先端部をスパッタリングや起毛処理することで活性化して各先端部の電界放射閾値電界を下げる。 （もっと読む）

【課題】所望する長さ寸法に損傷を引き起こすおそれ少なく分断することが可能なカーボンナノチューブを提供すること。
【解決手段】本カーボンナノチューブ１は、長さ方向少なくとも途中１箇所にその両側領域部分２ａ，２ｂとは性質が異なる異質領域部分４を有する。 （もっと読む）

【課題】チャージアップ防止、電子放出層への電流制限、電極マイグレーション抑制、電極等の保護を図る抵抗膜の形成工程の工程数を削減し製造コストダウンを可能とすること。
【解決手段】電子放出層６を備えたカソード電極と、ゲート電極とを絶縁部分露出領域を介在させて離隔配置した冷陰極電子源において、両電極で覆われないで露出している絶縁部分露出領域と、上記カソード電極と電子放出層との境界領域と、電極表面露出領域と、電子放出層上面露出領域との４つの領域のうち、少なくとも２つの領域に単一の連続する高抵抗膜を設けた構成。 （もっと読む）

【課題】光導波路を分岐させて参照光用の光導波路を設けることなく、半導体レーザーの出力変動などの影響を補正できるようにする。
【解決手段】光導波層および光導波層上に設けられて被検知ガスと反応する反応膜１２を備えるガスセンサであって、Ｐ偏光成分およびＳ偏光成分を含むレーザー光を、光導波層に入射させ、光導波層から出射される導波光を、偏光ビームスプリッター８によって、Ｐ偏光成分とＳ偏光成分とに分離して、被検知ガスによって導波光が殆ど減衰しないＰ偏光成分を参照光として第１のフォトダイオード６−１で検出する一方、被検知ガスの濃度に応じて減衰するＳ偏光成分を第２のフォトダイオード６−２で検出し、両フォトダイオード６−１，６−２の出力から、半導体レーザー５の出力変動などの影響を補正した被検知ガスの濃度を求めるようにしている。 （もっと読む）

【課題】測定値から被検知ガスの濃度を直接表示するといったことが可能な信号処理回路、信号処理方法およびガスセンサを提供する。
【解決手段】被検知ガスが存在していない状態の光信号を、フォトダイオード６で光電変換して得られる入力信号に応じて、予め、基準電圧源２３の基準電圧を、可変抵抗ＶＲで調整して参照電圧とし、被検知ガスの濃度測定時には、オペアンプ２４によって、前記参照電圧と、被検知ガスが存在している状態の光信号を光電変換したフォトダイオード６からの入力信号とを差動増幅している。オペアンプ２４の差動出力は、光信号の減衰率、すなわち、被検知ガスの濃度に対応したものとなる。 （もっと読む）

【課題】光導波路へ不所望な応力がかかるのを防止して高精度な測定を行えるようにする。
【解決手段】基板１０上に形成された光導波層、光導波層上に設けられて被検知ガスと反応する検知材１２、光導波層にレーザー光を導くプリズム１３、および、光導波層からの導波光を導くプリズム１４を有するガス検知部２を、被検知ガスの導入口１６および排出口１７を有するとともに、レーザーダイオード５からのレーザー光が透過する光窓１８およびガス検知部２からの導波光が透過する光窓１９を有するチャンバー３内に収納配置し、これによって、従来例のように、光導波層上に、被検知ガスを導入するセルを設ける必要をなくし、光導波層に、不所望な応力がかかるのを防止している。 （もっと読む）